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公开(公告)号：CN119551629A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411631571.5
申请日：2024-11-15
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于硅纳米线阵列的柔性传感器件及其制备方法，属于传感器技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：S1、在硅片表面镀银后进行一次刻蚀，形成硅纳米线阵列；S2、对一次刻蚀后的硅片进行一次超声诱导、二次刻蚀，在硅纳米线阵列底部形成裂纹；S3、在硅纳米线阵列顶部涂抹增粘剂，然后在加热条件下将硅纳米线阵列转移至基底表面，并进行剥离、固化、二次超声诱导；S4、在二次超声诱导后的硅纳米线阵列顶部设置第二电极，得到所述的基于硅纳米线阵列的柔性传感器件。本发明所述的制备方法构建了底部聚集，顶部开放整齐的开花状硅纳米线阵列，可以更快的进行微小水滴的蒸发、摩擦、吸附、脱附、以获得更快的响应和更好的信噪比。
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