公开(公告)号：CN119551629A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411631571.5

申请日：2024-11-15

Applicant: 苏州大学

Inventor： 梁卓维 ,  赵天翊 ,  王玉生 ,  孙宝全

IPC: B81C1/00 ,  A61B5/08

Abstract: 本发明涉及一种基于硅纳米线阵列的柔性传感器件及其制备方法，属于传感器技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：S1、在硅片表面镀银后进行一次刻蚀，形成硅纳米线阵列；S2、对一次刻蚀后的硅片进行一次超声诱导、二次刻蚀，在硅纳米线阵列底部形成裂纹；S3、在硅纳米线阵列顶部涂抹增粘剂，然后在加热条件下将硅纳米线阵列转移至基底表面，并进行剥离、固化、二次超声诱导；S4、在二次超声诱导后的硅纳米线阵列顶部设置第二电极，得到所述的基于硅纳米线阵列的柔性传感器件。本发明所述的制备方法构建了底部聚集，顶部开放整齐的开花状硅纳米线阵列，可以更快的进行微小水滴的蒸发、摩擦、吸附、脱附、以获得更快的响应和更好的信噪比。

公开(公告)号：CN118392954A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410376299.4

申请日：2024-03-29

Applicant: 苏州大学

Inventor： 赵天翊 ,  张泽堃 ,  王玉生 ,  孙宝全

IPC: G01N27/26 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N27/414

Abstract: 本发明涉及一种无声传译传感器件制备方法及无声传译传感器，其中，方法包括(1)以硅片作为材料基底；(2)对所述硅片进行预处理；(3)对预处理后的硅片进行硅线刻蚀，在所述硅片上刻蚀出硅纳米阵列；(4)对硅线刻蚀后的具有硅纳米阵列的硅片再切割成小片；(5)在具有硅纳米阵列的小片上、下表面上构造正、负极电极，并将导线嵌入所述正、负电极中，完成无声传译传感器件制备。本发明构建的无声传译传感器灵敏度较高，能在极短时间内完成数据的采集，基于无声传译传感器构建的无声传译传系统采用神经网络能够对采集的数据进行较好的识别。

公开(公告)号：CN118392954B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410376299.4

申请日：2024-03-29

Applicant: 苏州大学

Inventor： 赵天翊 ,  张泽堃 ,  王玉生 ,  孙宝全

IPC: G01N27/26 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N27/414

Abstract: 本发明涉及一种无声传译传感器件制备方法及无声传译传感器，其中，方法包括(1)以硅片作为材料基底；(2)对所述硅片进行预处理；(3)对预处理后的硅片进行硅线刻蚀，在所述硅片上刻蚀出硅纳米阵列；(4)对硅线刻蚀后的具有硅纳米阵列的硅片再切割成小片；(5)在具有硅纳米阵列的小片上、下表面上构造正、负极电极，并将导线嵌入所述正、负电极中，完成无声传译传感器件制备。本发明构建的无声传译传感器灵敏度较高，能在极短时间内完成数据的采集，基于无声传译传感器构建的无声传译传系统采用神经网络能够对采集的数据进行较好的识别。