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公开(公告)号：CN102237386B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201110114682.5
申请日：2011-04-25
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14698 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本文涉及用于图像传感器的改良的激光退火。一种用于制造包括像素电路区域及周边电路区域的图像传感器的技术包括在该图像传感器的前侧上制造前侧组件。在该图像传感器的背面上植入掺杂剂层。抗反射层形成在该背面上且覆盖该掺杂剂层的在像素电路区域下方的第一部分同时曝露该掺杂剂层的在周边电路区域下方的第二部分。经由该抗反射层从该图像传感器的背面对该掺杂剂层的第一部分进行激光退火。该抗反射层使该掺杂剂层的第一部分的温度在该激光退火期间增加。
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公开(公告)号：CN102217069B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN200980145870.5
申请日：2009-11-11
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开一种具有改良的角度响应的背面照射式成像像素(400)，其包含具有前表面(207)及背表面(209)的半导体层。该成像像素还包含形成在该半导体层中的光电二极管区。该光电二极管区包含第一n-区(210)及第二n-区(215)。该第一n-区具有投射在该半导体层的前表面与背表面之间的中心线(213)。该第二n-区置于该第一n-区与该半导体层的背表面之间，以使该第二n-区自该第一n-区的中心线偏移。
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公开(公告)号：CN102007590B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN200980114512.8
申请日：2009-05-08
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
Inventor： H·E·罗兹
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76816 , H01L21/76805
Abstract: 本发明公开在栅极有源区域上的晶体管触点(270)，其包括形成于集成电路衬底上的晶体管栅极(250)。栅极绝缘体(230)形成于晶体管栅极(250)下，并帮助界定晶体管栅极的有源区域。绝缘层(260)形成于晶体管栅极上。金属触点插塞(270)形成于位于有源区域上的绝缘层的一部分中，使得金属触点插塞与晶体管栅极形成电接触。
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公开(公告)号：CN102339839B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201110206456.X
申请日：2011-07-15
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N9/04
CPC classification number: H04N5/3696 , H01L27/14621 , H01L27/1464 , H04N9/04
Abstract: 一种装置的实施例包括像素阵列，该像素阵列包括多个宏像素。每个宏像素包括：一对第一像素，其各自包括用于第一色彩的滤色器，该第一色彩为像素最敏感的色彩；第二像素，其包括用于第二色彩的滤色器，该第二色彩为像素最不敏感的色彩；及第三像素，其包括用于第三色彩的滤色器，像素对该第三色彩的敏感性介于最不敏感与最敏感之间，其中第一像素所占据的宏像素的光收集区域的比例大于该第二像素或该第三像素所占据的比例。揭示并要求保护相应的过程和系统实施例。
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公开(公告)号：CN102164250B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201110046568.3
申请日：2011-02-17
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/367
CPC classification number: H04N5/361 , H01L27/1461 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H04N5/3745
Abstract: 本发明公开一种能够进行黑电平校准的成像系统，该成像系统包括成像像素阵列、至少一个黑基准像素以及周边电路。该成像像素阵列包括各自经耦合以捕获图像数据的多个有效像素。该黑基准像素经耦合以产生用于校准该图像数据的黑基准信号。光透射层设置于包括该成像系统的像素阵列管芯的第一面上，且覆盖至少该成像像素阵列和黑基准像素。光屏蔽层设置于该像素阵列管芯的该第一面上，且覆盖光透射层的一部分和该黑基准像素而不覆盖该成像像素阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102339839A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110206456.X
申请日：2011-07-15
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N9/04
CPC classification number: H04N5/3696 , H01L27/14621 , H01L27/1464 , H04N9/04
Abstract: 一种装置的实施例包括像素阵列，该像素阵列包括多个个宏像素。每个宏像素包括：一对第一像素，其各自包括用于第一色彩的滤色器，该第一色彩为像素最敏感的色彩；第二像素，其包括用于第二色彩的滤色器，该第二色彩为像素最不敏感的色彩；及第三像素，其包括用于第三色彩的滤色器，像素对该第三色彩的敏感性介于最不敏感与最敏感之间，其中第一像素所占据的宏像素的光收集区域的比例大于该第二像素或该第三像素所占据的比例。揭示并要求保护相应的过程和系统实施例。
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公开(公告)号：CN102237386A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110114682.5
申请日：2011-04-25
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14698 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本文涉及用于图像传感器的改良的激光退火。一种用于制造包括像素电路区域及周边电路区域的图像传感器的技术包括在该图像传感器的前侧上制造前侧组件。在该图像传感器的背面上植入掺杂剂层。抗反射层形成在该背面上且覆盖该掺杂剂层的在像素电路区域下方的第一部分同时曝露该掺杂剂层的在周边电路区域下方的第二部分。经由该抗反射层从该图像传感器的背面对该掺杂剂层的第一部分进行激光退火。该抗反射层使该掺杂剂层的第一部分的温度在该激光退火期间增加。
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公开(公告)号：CN102007594A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200980114505.8
申请日：2009-05-12
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
Inventor： H·E·罗兹
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14641 , H04N5/3597 , H04N5/37457
Abstract: 本发明提供一种成像电路，其包括配置成响应于全局性重置信号而并发重置像素阵列中的像素阵列。这些像素按照行配列，使得这些行可个别地被行选择线选择。重置晶体管通过将重置电压耦合至像素的浮动扩散而并发重置像素。转移栅晶体管选择性地将浮动扩散耦合至储存区域。存储栅晶体管选择性地将储存区域耦合至感光区域，使得每个像素的重置晶体管、转移栅晶体管以及存储栅晶体管可响应于全局性重置信号而被激活。相关双采样器可用于使用重置电压的第一采样电压以及将光电二极管区域曝光于入射光时产生的像素电压的第二采样电压来提供相关双采样。
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公开(公告)号：CN102318064B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN200980105000.5
申请日：2009-02-04
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本发明揭示一种图像传感器，其包含至少一个设置在一半导体基板中的光敏元件。金属导体可设置在该半导体基板上。一滤光片可设置在至少两个单独的金属导体之间且一微透镜可设置在该滤光片上。可存在设置于这种金属导体与该半导体基板之间及/或单独的金属导体之间的绝缘体材料。该绝缘体材料可经移除以使得该滤光片可设置在该半导体基板上。
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公开(公告)号：CN102177586B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN200980140364.7
申请日：2009-08-17
Applicant: 美商豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463
Abstract: 本发明公开一种彩色像素阵列，其包含第一(300A)、第(300B)与第三(300C)多个彩色像素，各彩色像素包含置于第一半导体层内的光敏区域(330)。在一项实施例中，将包含深掺杂区域(320)的第二半导体层(315)置于该第一半导体层下方。该深掺杂区域均驻存于第一多个彩色像素的一对应像素的下方，但不在该第二多个彩色像素与该第三多个彩色像素下方。在一项实施例中，将掩埋阱置于该第二多个彩色像素与该第三多个彩色像素之下，但不在该第一多个彩色像素下方。
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