公开(公告)号：CN107085351B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201710080816.3

申请日：2017-02-15

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  石川直树

IPC: G03F1/80

Abstract: 本发明提供在光刻法用光掩模的制造中考精致地控制光掩模具有的半透光部的透光率的蚀刻液、使用该蚀刻液的制造灰度掩模的方法及通过该方法制造的灰度掩模。包含硝酸二铵铈(IV)或硫酸四铈(IV)铵的蚀刻液。

公开(公告)号：CN112997278A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201980074709.7

申请日：2019-11-13

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 柏木一树 ,  大和田拓央

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可充分除去残存于基板的Ru，并且能够抑制RuO4气体的产生的除去用组合物。一种残存于基板的钌的除去用组合物，其中，25℃时的pH为8以上，包含1种或2种以上的pH缓冲成分。

公开(公告)号：CN104449739B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201410478206.5

申请日：2014-09-18

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  清水寿和

IPC: C09K13/04 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  H01L21/467 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供用于对作为半导体元件和平板显示器(FPD)等电子器件的氧化物半导体或透明电极使用的含In的金属氧化物及含Zn和In的金属氧化物进行蚀刻的蚀刻液组合物，其中，可控制为具实用性的蚀刻速度，且Zn的溶解性高，使用中的组成变化少，因此可使蚀刻液的使用寿命长。可对作为半导体元件和FPD等电子器件的氧化物半导体或透明电极使用的含In的金属氧化物及含Zn和In的金属氧化物进行微细加工，包含至少1种除氢卤酸和高卤酸等以外的某一解离阶段的25℃的酸解离常数pKan在2.15以下的酸和水，25℃的氢离子浓度pH在4以下的蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。

公开(公告)号：CN109328394A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201780039260.1

申请日：2017-07-07

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 河野良 ,  大和田拓央

IPC: H01L21/308 ,  C23F1/26 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23F1/26 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种蚀刻液组合物，其能够同时蚀刻钨膜和氮化钛膜；以及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。根据本发明的蚀刻液组合物，含有硝酸和水，用于同时蚀刻钨膜和氮化钛膜。

公开(公告)号：CN108690984A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810273822.5

申请日：2018-03-29

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 清水寿和 ,  大和田拓央

IPC: C23F1/26

CPC classification number: C23F1/26

Abstract: 本发明的课题在于提供能够在对Qz基板不造成破坏的情况下对MoSi膜进行选择性的蚀刻的蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。一种用于对MoSi膜进行蚀刻处理的蚀刻液组合物，其中，包含少于3.5重量％的氟化合物、水和含碘氧化剂。

公开(公告)号：CN103605266A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201310475754.8

申请日：2007-10-24

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央

IPC: G03F7/42

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/426 ,  H01L21/02071

Abstract: 本发明提供了一种光刻胶残渣及聚合物残渣去除液组合物以及使用该去除液组合物去除残渣的方法，该去除液组合物可以在低温、短时间内，去除半导体电路元件制造工序中产生的光刻胶残渣及聚合物残渣。本发明的组合物，可以去除在制造具有金属布线的半导体电路元件的工序中产生的光刻胶残渣和/或聚合物残渣，其含有氟化物的质量百分含量为0.5%-3.0%、水的质量百分含量不超过30%，pH值在4以下。

公开(公告)号：CN103080845A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180042398.X

申请日：2011-09-02

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央

IPC: G03F7/42 ,  C11D7/26 ,  C11D7/50 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304

CPC classification number: G03F7/422 ,  C11D7/261 ,  C11D7/263 ,  C11D7/265 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/426 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31133

Abstract: 本发明提供一种除去在具有金属布线的半导体电路元件的制造工序中产生的光致抗蚀剂残渣以及聚合物残渣的光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣除去液组合物，以及使用该组合物的残渣除去方法，特别提供不含有含氮有机羟基化合物、氨、氟化合物，含有作为残渣除去成分以金属氧化物为主要成分的残渣除去性优异的熔点25℃以上的脂肪族多元羧酸，能够抑制在清洗装置喷出液体的喷嘴或清洗槽以及腔室的周边附着溶液后，脂肪族多元羧酸通过水的蒸发而再结晶的光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣除去液组合物，以及该组合物的残渣除去方法。在含有熔点25℃以上的脂肪族多元羧酸的光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣除去液组合物中，含有20℃下的蒸汽压为17mmHg、在结构内具有羟基的可与水混溶的有机溶剂。

公开(公告)号：CN100429299C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN03131434.1

申请日：2003-05-16

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 阿部优美子 ,  大和田拓央 ,  石川典夫 ,  青木秀充 ,  富盛浩昭

IPC: C11D3/20 ,  C11D11/00 ,  C11D7/26 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明提供一种对化学机械研磨后的半导体基板的表面上附着的微小粒子和金属杂质的除去性优良、且不腐蚀金属配线材料的洗涤液。该化学机械研磨后洗涤液组合物的特征在于，含有一种或两种以上脂肪族多元羧酸类和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上，且pH不满3.0。

公开(公告)号：CN1322105C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200510067052.1

申请日：2005-04-27

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  关东化学株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  铃木达也 ,  大和田拓央 ,  池上薰 ,  石川典夫

IPC: C11D7/32 ,  G03F7/42 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/426

Abstract: 制造半导体器件的方法在衬底上形成的镍硅化物层上形成层间绝缘膜，并通过使用在层间绝缘膜上形成的光致抗蚀剂图形作为掩模进行干蚀刻来形成通孔，然后通过灰化除去光致抗蚀剂图形。使用由具有1.0到5.0质量百分比的含氟化合物的含量、0.2到5.0质量百分比的螯合剂的含量和0.1到3.0质量百分比的有机酸盐的含量的水溶液组成的清洗液来清洗灰化工艺之后的晶片。

公开(公告)号：CN1831654A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610054750.2

申请日：2006-03-10

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  池上薰

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/426 ,  G03F7/425

Abstract: 本发明提供光致抗蚀剂剥离液组合物、以及光致抗蚀剂和光致抗蚀剂变质层的剥离方法，其在半导体电路元件的制造工序中，对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂以及光致抗蚀剂变质层等具有优良的剥离性；且不会对新型的布线材料和层间绝缘膜材料产生浸蚀。本发明所使用的光致抗蚀剂剥离液组合物含有：炔醇化合物和有机磺酸化合物之中的至少1种、以及多元醇及其衍生物之中的至少1种。