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公开(公告)号：CN100428465C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200510137720.3
申请日：2005-12-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 伊东春树
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/48 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/6835 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68372 , H01L2224/0401 , H01L2224/13009 , H01L2224/13099 , H01L2224/13147 , H01L2224/16 , H01L2224/16146 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06586 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置，备有：半导体基板，其具有能动面和背面；集成电路，其形成在所述能动面上；贯通电极，其将所述半导体基板贯通、从所述能动面及所述背面突出；第1树脂层，其设置在所述半导体基板的能动面上、具有比从所述能动面突出的所述贯通电极的一部分的高度要大的厚度、具有至少使所述贯通电极的一部分露出的开口；配线层，其设置在所述第1树脂层上、通过所述开口连接在所述贯通电极上；和外部连接端子，其连接在所述配线层上。
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公开(公告)号：CN1311547C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN01801366.X
申请日：2001-03-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L23/28 , H01L23/12 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02321 , H01L2224/0236 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05184 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/11 , H01L2224/1191 , H01L2224/13 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13099 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/013
Abstract: 本发明的课题是一种半导体器件的制造方法，它包含在具有电极(14)的多个半导体元件(12)的集合体(10)上形成多个树脂层(40、100)、与各半导体元件(12)的电极(14)进行电连接的布线(20)以及与布线(20)进行电连接的外部端子(30)，并且切断集合体(10)的工序，避开集合体(10)的切区域形成多个树脂层(40、100)中的至少一个树脂层。
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公开(公告)号：CN1291456C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200310118053.5
申请日：2003-11-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 伊东春树
CPC classification number: H01L24/14 , G02F1/13458 , H01L21/4846 , H01L23/485 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0236 , H01L2224/02375 , H01L2224/02377 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/114 , H01L2224/1145 , H01L2224/1146 , H01L2224/1161 , H01L2224/11622 , H01L2224/11901 , H01L2224/12105 , H01L2224/13008 , H01L2224/13013 , H01L2224/13018 , H01L2224/1319 , H01L2224/13582 , H01L2224/13644 , H01L2224/13666 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电路板、电光装置及电子仪器。该半导体器件具有电极、由树脂形成并且比电极还突出的多个突起体(4)和电连接在电极上并且到达突起体(4)的上面的导电层(5)。该制造方法包括：在半导体器件(1)上避开电极形成树脂层(4a)的工序；在电极上及树脂层(4a)上，按照突起体(4)对导电层(5)构图的工序；以构图的导电层(5)为掩模，除去位于导电层(5)之间的树脂层(4a)，形成突起体(4)的工序。
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公开(公告)号：CN1877989A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610088762.7
申请日：2006-06-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H01L23/481 , H01L23/4824 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L24/12 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05025 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05184 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/05686 , H01L2224/16 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H03H9/0547 , H03H9/0552 , H03H9/1071 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/013 , H01L2924/01074 , H01L2924/01023
Abstract: 一种半导体装置，包括：半导体基板，具有第一面、和与所述第一面相反的一侧的第二面；外部连接端子，形成于所述半导体基板的所述第一面上；第一电极，形成于所述半导体基板的所述第一面上，且与所述外部连接端子电连接；电子元件，形成于所述半导体基板的所述第二面上或者上方；第二电极，电连接于所述电子元件，且具有表面与背面；槽部，形成于所述半导体基板的所述第二面，且具有包含所述第二电极的所述背面的至少一部分的底面；以及导电部，形成于所述槽部的内部，且与所述第二电极的所述背面电连接。
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公开(公告)号：CN1750394A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510099921.9
申请日：2005-09-09
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 一种电子零件，具备：具有第一面和与所述第一面相反侧的第二面的半导体基板；将所述半导体基板的第一面和所述第二面贯通的贯通电极；设置在所述半导体基板的第一面侧的电子元件；和将所述电子元件密封在所述第一面之间的密封部件，其中所述电子元件与所述贯通电极是电连接的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1630072A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410104969.X
申请日：2004-12-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 伊东春树
Abstract: 本发明的目的在于，提供可以相应于大型芯片、通过细密配线形成多个外部端子、而且连接可靠性高的半导体装置。该半导体装置是在具有多个电极(9)的半导体元件(2)上形成(1)层或多层树脂层、与电极(9)电连接的多个配线(4)和与该配线(4)电连接的多个外部端子(7)的半导体装置(1)，多个配线(4)的一部分或全部由从与电极(9)连接的部分向着半导体元件(2)的中心(10)方向的第1配线部(4a)、和与该第1配线部(4a)连接、从半导体元件(2)的中心(10)方向向着外侧与外部端子(7)连接的第2配线部(4b)形成，在第1配线部(4a)和第2配线部(4b)之间至少形成1层树脂层。
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公开(公告)号：CN1630071A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410104968.5
申请日：2004-12-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 伊东春树
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置(1)，在具备多个电极(9)的半导体元件(2)上，形成有多个树脂层、与电极(9)进行电连接的多个配线(4)、以及电连接到该配线(4)的多个外部端子(7)，其特征是，在多个配线(4)中，其一部分的第一配线(4a)形成于一个树脂层(第一树脂层3)或者叠层了的多个树脂层的底面，且在多个配线(4)中，除该一部分之外的第二配线(4b)形成于一个树脂层(第一树脂层3)或者叠层了的多个树脂层的表面。由此，本发明提供一种能够高密度地形成配线以及外部端子的半导体装置及其制造方法、搭载该半导体装置的电路基板以及具备该半导体装置的电子设备。
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公开(公告)号：CN100565851C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200410104968.5
申请日：2004-12-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 伊东春树
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置(1)，在具备多个电极(9)的半导体元件(2)上，形成有多个树脂层、与电极(9)进行电连接的多个配线(4)、以及电连接到该配线(4)的多个外部端子(7)，其特征是，在多个配线(4)中，其一部分的第一配线(4a)形成于一个树脂层(第一树脂层3)或者叠层了的多个树脂层的底面，且在多个配线(4)中，除该一部分之外的第二配线(4b)形成于一个树脂层(第一树脂层3)或者叠层了的多个树脂层的表面。由此，本发明提供一种能够高密度地形成配线以及外部端子的半导体装置及其制造方法、搭载该半导体装置的电路基板以及具备该半导体装置的电子设备。
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公开(公告)号：CN101359638A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810130149.6
申请日：2008-07-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05548 , H01L2224/13 , H01L2224/13008 , H01L2224/13099 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29299 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，目的在于即使在分别排列于1对区域的端子的数量不同的情况下，也能使树脂突起的变形量的差较小。半导体装置具有：按照从多个第1电极(14)上到第1树脂突起(20)上为止的方式形成的多个即n1个第1布线(28)；和按照从多个第2电极(16)上到第2树脂突起(22)上为止的方式形成的多个即n2(n2＜n1)个第2布线(30)。第1树脂突起(20)和第2树脂突起(22)由相同的材料构成，形成为以相同的宽度沿着长边方向延伸的形状。第1布线(28)按照和第1树脂突起(20)的长轴交叉的方式延伸，在第1树脂突起(20)上有第1宽度W1。第2布线(30)按照和第2树脂突起(22)的长轴交叉的方式延伸，在第2树脂突起(22)上有第2宽度W2(W1＜W2)。有W1×n1＝W2×n2的关系。
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公开(公告)号：CN100452337C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610100071.4
申请日：2006-06-28
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L24/13 , H01L24/11 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05671 , H01L2224/114 , H01L2224/116 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13624 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/13664 , H01L2224/13666 , H01L2224/13671 , H01L2924/0001 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , Y10T29/49155 , Y10T29/49158 , Y10T29/49204 , Y10T29/49224 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于实现导电层的密接性的提高和迁移的防止。半导体装置的制造方法，包括：(a)在具有电极垫(16)以及钝化膜(18)的半导体基板(10)的上方形成第一树脂层(20b)的工序；(b)固化第一树脂层(20b)的工序；(c)至少在第一树脂层(20)的根基部形成第二树脂层(30a)的工序，该第二树脂层(30a)的上升相比固化后的第一树脂层(20)更平缓；(d)通过固化第二树脂层(30a)，而形成包括第一以及第二树脂层(20、30)的树脂突起(40)的工序；(e)形成与电极垫(16)电连接，且经过树脂突起(40)的上方的导电层(50)的工序。
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