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公开(公告)号：CN101542315B8
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN200780042651.5
申请日：2007-11-12
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/29
Abstract: 本发明涉及一种辐射探测器(200)，具体而言是一种X射线探测器，其包括至少一个用于将入射光子(X)转换成电信号的敏感层(212)。电极(213)的二维阵列位于该敏感层(212)的正面，而其背面携带对电极(211)。电极(213)的尺寸可在辐射方向(y)上变化以适应电极的计数工作量。此外，电极(213)相对于辐射方向(y)的位置提供关于所探测到的光子(X)的能量的信息。
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公开(公告)号：CN103097913A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043788.9
申请日：2011-09-07
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: G01T1/24 , G01T1/241 , G01T1/2928 , H01L31/022408 , H01L31/035272
Abstract: 本发明涉及辐射探测器（100）和用于（例如X或γ）辐射探测的相关联的方法。所述探测器（100）包括转换器元件（110），在所述转换器元件（110）中将入射光子（X）转换为电信号，并且所述探测器包括阳极（130）的阵列，所述阳极（130）的阵列用于在所述转换器元件（110）中生成电场（E）。至少两个阳极与两个操纵电极（140）相关联，能够由控制单元(150)向所述操纵电极施加不同电势。优选地，由一个操纵电极围绕每个单个阳极或每小组阳极。所述操纵电极（140）的电势能够被设定为当在所述阳极和阴极（120）间施加工作电压时在这些电极中感生的电势的函数。此外，可以提供栅格电极（160），所述栅格电极至少部分环绕阳极（130）及他们的操纵电极（140）。
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公开(公告)号：CN101542315B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200780042651.5
申请日：2007-11-12
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/29
CPC classification number: G01T1/2928
Abstract: 本发明涉及一种辐射探测器(200)，具体而言是一种X射线探测器，其包括至少一个用于将入射光子(X)转换成电信号的敏感层(212)。电极(213)的二维阵列位于该敏感层(212)的正面，而其背面携带对电极(211)。电极(213)的尺寸可在辐射方向(y)上变化以适应电极的计数工作量。此外，电极(213)相对于辐射方向(y)的位置提供关于所探测到的光子(X)的能量的信息。
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公开(公告)号：CN102667526B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201080058842.2
申请日：2010-12-07
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: G01T1/243 , G01T1/247 , G01T7/005 , H01J49/0009 , H04N5/32 , H04N5/378 , H04N17/002
Abstract: 一种辐射探测器组件（20）包括被配置成将辐射粒子转换成电探测脉冲的探测器阵列模块（40）以及与所述探测器阵列操作性连接的专用集成电路（42）。所述ASIC包括被配置成使从探测器阵列模块接收的电探测脉冲数字化的信号处理电路（60）和被配置成向所述信号处理电路注入测试电脉冲的测试电路（80）。所述测试电路包括被配置成测量注入到所述信号处理电路中的测试电脉冲的电流计（84）以及被配置成生成注入到所述信号处理电路中的测试电脉冲的电荷脉冲发生器（82）。通过使所述ASIC（42）与所述探测器阵列模块（40）操作性连接组装所述辐射探测器组件（20），并且在不利用辐射的情况下测试组装后的辐射探测器组件的ASIC的信号处理电路（60）。
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公开(公告)号：CN103314307A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201180064645.6
申请日：2011-12-27
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/17
CPC classification number: G01T1/17
Abstract: 本发明涉及一种用于探测辐射源（2）发射的光子的探测装置（6）。信号发生单元（20）在光子撞击探测装置（6）的同时生成指示探测到的光子的能量的探测信号，在光子被避免撞击探测装置（6）的同时生成基线信号，所述基线信号受到先前撞击探测装置（6）的光子的影响。基线偏移确定单元（40）根据所述基线信号来确定探测信号的基线偏移。能量确定单元（30）根据所述探测信号和所确定的基线偏移来确定所探测的光子的能量。由于探测信号的基线偏移是由在光子被避免撞击检测装置（6）的同时生成的基线信号确定的，因而能够以更高的准确度确定基线偏移，从而得到改善的能量确定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101779144B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN200880101761.9
申请日：2008-07-24
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/17
CPC classification number: G01T1/17
Abstract: 本发明涉及一种用于在成像装置(16)中、尤其是在计算机断层摄影机中从撞击X射线光子(12、14)生成可计数脉冲(30)的设备(10)，所述设备(10)包括适于将由撞击光子(12、14)生成的电荷脉冲(20)转换成电信号(22)的前置放大元件(18)，和具有反馈回路(28)并适于将所述电信号(22)转换成电脉冲(30)的整形元件(26)，其中，延迟电路(38)连接至所述反馈回路(28)，从而使得延长了所述反馈回路(28)收集所述电信号(22)的电荷的时间，以便提高在所述整形元件(26)的输出(56)处的所述电脉冲(30)的幅度。本发明还涉及对应的成像装置(16)和对应的方法。
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公开(公告)号：CN101558325B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200780045780.X
申请日：2007-12-11
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/17
CPC classification number: G01T1/17 , G01T1/2928
Abstract: 本发明涉及一种用于对X射线光子(12，14)进行计数的装置(10)。该装置(10)包括适于将光子(12，14)转换成电荷脉冲的传感器(16)、适于将电荷脉冲(51)转换成电脉冲(53)的处理元件(18)以及适于将电脉冲(53)与第一阈值(TH1)进行比较并且在超过第一阈值(TH1)时输出事件(55)的第一鉴别器(20)。第一计数器(22)对这些事件(55)进行计数，除非第一门控元件(24)禁止计数。当第一鉴别器(20)输出事件(55)时启用第一门控元件(24)，并且当通过测量或通过关于在处理元件(18)中处理光子(12，14)所需的时间的知识发现对光子(12，14)的处理被完成或即将完成时停用第一门控元件。通过启用和停用第一计数器(22)，可以解决堆积事件，即多个电脉冲(53)的堆积。本发明还涉及相应的成像设备和相应的方法。
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公开(公告)号：CN101557762B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200780046161.2
申请日：2007-12-11
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: A61B6/03
Abstract: 本发明涉及一种X射线成像装置(100)，尤其是一种能谱CT扫描器，其包括用于生成具有在观测周期(T)内连续变化的能谱(P(E，t))的X辐射的X射线源(10)。在优选实施例中，辐射(X)根据能量相关的衰减系数μ(E，r)在对象(1)内衰减，通过探测器(20，30)的传感器单元(22)测量透射的辐射，并对所得到的测量信号(i(t))进行采样和A/D转换。优选通过过采样A/D转换器，例如，∑Δ-ADC完成这一操作。以高频对驱动所述X射线源的管电压(U(t))采样。在评价系统(50)中，能够使这些采样的测量值与对应的有效能谱(Φ(E))相关，以确定能量相关的衰减系数μ(E，r)。
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公开(公告)号：CN102209912A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200980144530.0
申请日：2009-11-09
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/29
CPC classification number: G01T1/249 , G01T1/24 , G01T1/2928
Abstract: 本发明涉及一种用于辐射探测器、具体用于谱CT扫描器的转换器元件(100)。所述转换器元件(100)包括至少两个转换元(131)，其至少部分由中间的分隔壁(135)彼此分隔，所述分隔壁影响入射辐射(X)生成的电信号的扩展。所述转换元(131)具体可以包括CdTe和/或CdZnTe晶体。优选通过例如在预先形成的分隔壁之间进行气相沉积来生长所述晶体。
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公开(公告)号：CN101893718A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010113544.0
申请日：2010-02-03
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: H01L27/1446 , H01L27/14603 , H01L27/1462 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种辐射探测器(100)和一种用于生产这样的探测器的方法，其中所述探测器包括闪烁体元件(110、110’)和光电二极管阵列(PDA)的堆叠体(S)。PDA(120)连同电导线(123)延伸进入填充闪烁体元件(110、110’)横向的边界体积(BV)的刚性体中，其中所述导线终止在所述边界体积(BV)的接触表面(CS)中。此外，再分配层(160)设置在接触表面(CS)上，其中再分配层(160)的电线路与PDA的导线接触。
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