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公开(公告)号：CN110120354B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201910371347.X
申请日：2019-05-06
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块的封装方法及智能功率模块。其中，该方法包括：在智能功率模块完成第一次树脂层封装后，在第一树脂层的外表面进行导电膏体印刷，其中，上述智能功率模块中的功率芯片内置于上述第一树脂层；通过对经导电膏体印刷后的智能功率模块进行第二次树脂层封装，得到封装成型的智能功率模块，其中，上述智能功率模块的驱动芯片内置于第二树脂层。本发明解决了传统的智能功率模块采用引线键合的方式电性连接导致杂散电感偏高，电流承载能力不足的技术问题。
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公开(公告)号：CN110581110A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910760416.6
申请日：2019-08-16
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供了一种功率模块组件，涉及电子设备领域。包括：散热器和功率电子器件，所述散热器设有安装槽，所述功率电子器件设置于所述安装槽内，所述安装槽的开口处设有盖板，所述盖板上设有多个通孔，所述功率电子器件包括多个电极引脚，所述电极引脚从所述通孔伸出至所述安装槽外部。本发明提供的功率模块组件，通过在散热器上设置安装槽，将功率电子器件设置于安装槽内，实现了功率电子器件与散热器的一体化集成。从而使功率电子器件不用再进行单独的封装，摆脱了封装外壳的限制，降低了整体重量，也避免了封装外壳的材料成本。同时，由于功率电子器件集成在了散热器内部，减小了整体的体积。
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公开(公告)号：CN111916409A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910374133.8
申请日：2019-05-07
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L25/07 , H01L21/50
Abstract: 本发明涉及电子技术领域，公开了一种功率模块及其制作方法，该功率模块包括基板、设置于基板一侧的功率芯片组、设置于基板另一侧的散热器以及设置于功率芯片组背离基板一侧的散热桥；功率芯片组包括至少两个功率芯片；散热桥包括散热桥导电层以及散热桥导热层，散热桥导电层与每个功率芯片第一面上的电极电连接，散热桥导热层包括正投影覆盖基板的中间区域以及与中间区域连接且伸出基板的边缘区域，中间区域位于散热桥导电层背离功率芯片组的一侧，边缘区域形成有朝向基板所在平面弯折的弯折结构，弯折结构与散热器连接。该功率模块中功率芯片上的热量既能从基板上导出至散热器，又能从散热桥导出至散热器，能够利用一个散热器实现双面散热。
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公开(公告)号：CN112768356B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201911074969.2
申请日：2019-11-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种沟槽栅IGBT制作方法，包括以下步骤：在有源区形成主结P+区以及在终端区形成多个P+耐压环，在有源区制备多个源区沟槽，并在源区沟槽内制备栅极氧化层，在多个源区沟槽内部的栅极氧化层上以及有源区和终端区的栅极氧化层上制备厚度高达 的多晶硅，在多个源区沟槽之间以及在主结P+区与环绕所述主结P+区的沟槽之间制备P阱区、N+区和N+截止环，然后形成介质层，并进行接触孔刻蚀填充，再形成金属层，最后制备钝化层。本发明由于采用了较厚的多晶硅，故在减薄多晶硅工序后仍保留了 厚的多晶硅，在进行N型离子注入的时候无需再使用光刻版为掩膜，从而减少了一张光刻版降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN112397388B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201910760385.4
申请日：2019-08-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L29/861
Abstract: 本发明涉及一种二极管及其制备方法。该二极管的制备方法包括以下步骤：提供表面形成有外延层的衬底，所述外延层的表面包括主结区和包围所述主结区的非主结区；在所述非主结区的表面形成隔离层，并形成与所述主结区位置对应的主结槽；对所述主结槽的底面进行扩铂处理；在所述扩铂处理后的所述主结槽的底面形成电阻层，得到中间器件；其中，所述电阻层在所述主结区的投影面积小于所述主结区的面积；在所述中间器件的正面形成与所述主结区连接并与所述电阻层绝缘设置的阳极，和位于所述电阻层的表面且与所述阳极绝缘设置的电阻电极；在所述中间器件的背面形成阴极。利用该制备方法以解决主结区扩铂不完全，且电阻层电阻值难以控制的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112310226B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201910691503.0
申请日：2019-07-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种快恢复二极管，涉及二极管领域。该快恢复二极管，包括：衬底层；N型外延层，位于所述衬底层表面；P型注入区，位于所述衬底层表面，且设置于所述N型外延层的侧部；扩散区，位于所述N型外延层的顶部区域，与P型注入区分隔设置。利用该快恢复二极管能够解决现有技术中采用扩铂工艺降低快恢复二极管反向恢复时间时容易导致其正向导通压降高的问题，通过改变快恢复二极管的结构达到降低快恢复二极管反向恢复时间的目的。
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公开(公告)号：CN112652661A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910959540.5
申请日：2019-10-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种晶体管及其制备方法，包括依次贴合连接的金属漏极、衬底和外延层以及嵌设于所述外延层的正面结构；所述外延层内设有金属夹层，所述正面结构从所述外延层的正面向内延伸至穿过所述金属夹层。通过在外延层内设置金属夹层，金属夹层作为杂质原子掺杂在外延层内，而且正面结构嵌设入外延层内后穿过金属夹层，因此杂质原子可以形成复合中心，复合中心使晶体管内的非平衡载流子的复合过程从传统的直接复合改变为间接复合，这样减少了载流子的复合时间，进而减小了晶体管的反向恢复时间。
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公开(公告)号：CN112447679A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910818893.3
申请日：2019-08-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/739
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：栅极结构和多个元胞结构；栅极结构包括电阻区和接线区，接线区设有连接金属层，元胞结构的栅极与接线区的连接金属层电连接；电阻区包括电阻走线、和沿电阻走线的延伸方向分布的多个连接焊盘，每一个连接焊盘与电阻走线电连接，以将电阻走线分隔为相互串联的多段电阻。本申请公开的功率半导体器件，将外部电阻集成到栅极结构上，从而降低IGBT和MOSFET器件栅极的电压操控难度，提高精准性。
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公开(公告)号：CN110534556B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910668260.9
申请日：2019-07-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/266 , G03F1/80
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件、其终端结构、掩膜版和制备方法，所述功率半导体器件设有主结，所述终端结构包括终端区，所述终端区包括多个依次环绕于所述主结之外的场限环；所述场限环包括第一传导类型的半导体离子，在远离所述主结的方向上，多个所述场限环的第一传导类型的半导体离子的掺杂浓度依次递减。通过将多个场限环内的第一传导类型的半导体离子的浓度设计为沿远离所述主结的方向依次递减，可以使半导体器件的耐压更加稳定，而且整个终端结构所占的面积大大减小，提高了生产效率，避免了半导体材料的浪费；而且呈一定梯度的离子浓度变化，还有效缓解了电场集中现象，提高了功率器件的反向阻断能力。
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公开(公告)号：CN110718508A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201810762665.4
申请日：2018-07-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种电子元件封装结构、电器设备及电子元件的封装方法，涉及电子元件技术领域，解决了现有技术中存在的封装结构吸湿率大导致的电子元件可靠性降低的技术问题。电子元件封装结构包括电子元件、载体和水汽隔离层，所述电子元件安装在所述载体上，所述水汽隔离层覆盖于所述电子元件的外侧以及所述电子元件的周围载体上；所述水汽隔离层至少能够防止水汽沿所述电子元件的上方和周围入侵所述电子元件。通过在电子元件之外以及电子元件周围的载体上设置水汽隔离层来防止水汽入侵电子元件，还能缓冲电子元件的内部应力，提高电子元件的可靠性，延长电子元件的使用寿命。
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