公开(公告)号：CN113644114B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202110845637.0

申请日：2021-07-26

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 葛孝昊 ,  肖婷 ,  林苡任 ,  史波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本申请涉及芯片制备的技术领域，本申请公开一种芯片、芯片制备方法及电子器件。其中芯片，包括衬底层、埋氧层以及N型漂移层，N型漂移层包括接近于所述衬底层的第一侧以及远离所述衬底层的第二侧，所述第二侧形成有第一阳极区以及第二阳极区，在第一阳极区以及第二阳极区之间形成有介电区，所述介电区包括密集分布的形成于所述N型漂移层的点缺陷，所述芯片为RC‑LIGBT芯片，所述芯片为RC‑LIGBT芯片，所述第一阳极区为P+阳极区，所述第二阳极区为N+阳极区。与现有技术相比，通过在介电区内形成点缺陷提高介电区内的电阻，进而抑制第一阳极区与第二阳极区之间电子的移动，进而减弱芯片的电压折回现象，提高芯片整体的稳定性。

公开(公告)号：CN114388606A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202011120756.1

申请日：2020-10-19

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  林苡任 ,  曾丹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该晶体管包括第一和第二元胞，它们共同包括漏极电极层、欧姆接触层、衬底层、外延层、层间介质层和源极电极层，第一元胞还包括第一深阱区、第二深阱区、第一浅阱区、第二浅阱区、第一源区、第二源区、第一栅氧化层和第一多晶硅栅极，第二元胞还包括第三深阱区、第四深阱区、第三浅阱区、第四浅阱区、第二栅氧化层、第三栅氧化层、第二多晶硅栅极和第三多晶硅栅极。该晶体管不但可以保证自身具有短路电流密度低、短路耐量高和短路时间长等优点，而且可以在降低体二极管正向压降的同时降低肖特基二极管的反向漏电流。

公开(公告)号：CN114220854A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111564339.0

申请日：2021-12-20

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 葛孝昊 ,  曾丹 ,  林苡任 ,  谢梓翔

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请提供了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，其中，该晶体管包括：绝缘衬底上的硅SOI晶圆片，SOI晶圆片包括依次设置的第一外延层、第二外延层、第一氧化层；间隔设置在第一氧化层中的集电区和短路区，以及设置在第一氧化层不与第二外延层接触的一面的第一金属层，形成的逆导型绝缘栅双极型晶体管的集电极结构。通过本申请，解决了现有技术中传统逆导型IGBT存在的工艺复杂且漏电流大的技术问题。

公开(公告)号：CN113497158A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202010266554.1

申请日：2020-04-07

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 温珂 ,  曾丹 ,  史波 ,  林苡任

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种快恢复半导体器件及其制作方法，制作方法包括以下步骤：提供一半导体基底，半导体基底包括第一导电类型漂移区；在漂移区之上形成氧化层，氧化层在漂移区中界定出有源区和位于所述有源区区域外围的终端耐压结构区；自漂移区上表面注入能量范围为100KEV～150KEV的第二导电类型离子，以在漂移区形成第二导电类型阱区；对第二导电类型阱区进行推结到指定深度；在所述终端耐压结构区边缘远离主结第二导电类型增强区一侧形成第一导电类型截止环。本发明通过采用高能量离子进行注入的工艺，可同时完成第二导电类型阱区的注入与第一导电类型漂移区缺陷的引入，降低了少子寿命，从而改善了反向恢复特性，提高了软度因子，并降低了生产成本。

公开(公告)号：CN113363330A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202010151123.0

申请日：2020-03-05

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 林苡任 ,  陈道坤 ,  曾丹 ,  史波

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种肖特基半导体器件及其制作方法，所述器件包括：位于衬底上的第一导电类型外延层，位于第一导电类型外延层中的第二导电类型增强区，位于第一导电类型外延层之上的纳米结构层，位于纳米结构层之上的肖特基金属。所述制作方法的步骤包括：在衬底上形成第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层上形成第二导电类型增强区，在第一导电类型外延层之上形成纳米结构层，在纳米结构层之上制备肖特基金属。本发明通过在肖特基金属和外延层之间设置一层具有量子点结构的纳米结构层来调节能带宽度，并改变态密度的电性，从而提高了肖特基势垒。同时肖特基势垒高阻碍了载流子的反向流动，降低了肖特基半导体器件的反向漏电。

公开(公告)号：CN214254418U

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202120543992.8

申请日：2021-03-16

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 林苡任 ,  史波 ,  曾丹

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/367 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

Abstract: 本实用新型涉及电子技术领域，公开一种功率模块及电子设备，该功率模块，包括基板；设置在所述基板同侧的绝缘栅双极型晶体管芯片和快速恢复二极管芯片；形成在所述绝缘栅双极型晶体管芯片和所述快速恢复二极管芯片远离所述基板一侧的封装层；形成在所述封装层远离所述绝缘栅双极型晶体管芯片和所述快速恢复二极管芯片一侧的环氧树脂层，所述封装层的材料的热膨胀系数小于所述环氧树脂层的热膨胀系数；所述绝缘栅双极型晶体管芯片的栅极部分伸出所述封装层；位于所述环氧树脂层内的驱动芯片，所述驱动芯片与所述栅极伸出所述封装层的部分连接。用于提高功率模块的性能。

公开(公告)号：CN216528873U

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202123277147.X

申请日：2021-12-22

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 林苡任 ,  葛孝昊 ,  谢梓翔 ,  曾丹

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/492 ,  H01L23/498

Abstract: 本申请涉及电路基板及绝缘栅双极型晶体管模块。其中，绝缘栅双极型晶体管模块包括电路基板和功率芯片，电路基板与功率芯片之间设置有焊料层，电路基板包括沿远离功率芯片的方向依次层叠设置的第一导热层、第二导热层和第三导热层，功率芯片通过焊料层与第一导热层连接；焊料层与第一导热层之间形成有第一热扩散角，第二导热层与第三导热层之间形成有第二热扩散角；第一热扩散角大于第二热扩散角，第一导热层的厚度大于第三导热层的厚度；或第一热扩散角小于第二热扩散角，第一导热层的厚度小于第三导热层的厚度。本申请的设置提高了绝缘栅双极型晶体管模块的散热效果，降低了各层材料发生松弛甚至裂纹的几率。

公开(公告)号：CN214848639U

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202121152384.0

申请日：2021-05-26

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 林苡任 ,  史波 ,  肖婷

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本申请提供一种半导体器件的元胞结构及半导体器件，该元胞结构包括第一导电类型衬底；依次并排设置于所述衬底上表面内的至少一个第一沟槽栅、至少一个第二沟槽栅、至少一个第三沟槽栅和至少一个第四沟槽栅；位于所述阱区上表面内并位于所述第一沟槽栅两侧、所述第三沟槽栅两侧和所述第四沟槽栅两侧的第一导电类型源区；位于所述衬底上方并同时与所述源区电连接的发射极金属层；其中，所述第一沟槽栅、所述第二沟槽栅和所述第三沟槽栅与所述发射极金属层之间通过第一层间介质层隔离，所述第四沟槽栅与所述发射极金属层电连接。这种元胞结构可以实现更好的导通压降、饱和电流、短路时间三大参数的折中平衡。

公开(公告)号：CN212517215U

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202021074035.7

申请日：2020-06-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 林苡任 ,  陈道坤 ,  曾丹 ,  史波

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/324 ,  H01L21/329

Abstract: 本实用新型涉及电子器件技术领域，公开了一种MPS二极管器件，该包括MPS二极管器件并联设置的多个元胞，其中：每个元胞包括阴极电极以及依次形成于阴极电极上的衬底、外延层、缓冲层和阳极电极，外延层背离衬底的一侧形成有两个有源区，缓冲层的禁带宽度大于外延层的禁带宽度且缓冲层的材质与外延层的材质为同素异形体，缓冲层中与有源区相对的位置形成有第一开孔，第一开孔内形成有欧姆金属层。该MPS二极管器件在降低反向漏电损耗的同时降低了正向导通损耗，使得反向漏电和正向工作电压这两个性能参数同时得以改善，从而使得该MPS二极管器件的性能更好。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN215815860U

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202122374176.1

申请日：2021-09-28

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 林苡任 ,  何柱进 ,  廖勇波 ,  苏梨梨 ,  史波 ,  刘宇航

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/31 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请涉及一种电子器件的管脚、电子器件及封装模具；其中，所述电子器件的管脚包括：管脚分支和至少一个附加分支；各个所述附加分支均与所述管脚分支相连；且所述管脚分支一部分封装在所述电子器件的封装外壳的外部，所述管脚分支的另一部分以及各个所述附加分支均封装在所述封装外壳的内部。本申请用以解决现有技术中，由于灌封材料与管脚间易分层，导致器件的使用寿命短的问题。