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公开(公告)号：CN105336808A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510857640.9
申请日：2015-11-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/035236 , H01L31/035254
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯量子阱光探测器，包括：第一压电层和第二压电层，所述第一压电层和所述第二压电层均由压电材料构成；量子阱层，所述量子阱层位于所述第一压电层和所述第二压电层之间，所述量子阱层包括两个半导体子层和位于两个半导体子层之间的石墨烯纳米带。本发明具有如下优点：利用量子阱的最优偏置电压，使得量子阱中的最高能级与导带边界对准形成最大的输出光电流，从而达到最大的探测灵敏度；利用压电电势，调节量子阱的偏置电压，从而提高单个量子阱的量子效率。
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公开(公告)号：CN102983775B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210442386.2
申请日：2012-11-08
Applicant: 清华大学
IPC: H02N1/06
Abstract: 本发明属于能量收集与转换装置技术领域，特别涉及一种球体驱动的静电式振动能量收集装置。该装置由球体、驻极体、电极和接触结构组成；驻极体与接触结构构成腔体，球体放置在所述腔体内；球体在驻极体上表面滚动，其运动受接触结构调节；所述电极在驻极体下表面。驻极体为具有电荷存储能力的电介质材料构成，电极由电阻率不超过2×10-6Ω·m的导电性材料制成。驻极体和所述接触结构还可以以固连方式级联，形成阵列式装置。本发明适用于低频、宽频带的面内振动、离面振动、俯仰激励和冲击激励，可以高效收集环境振动能量。
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公开(公告)号：CN102868370B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210331572.9
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种具有石墨烯晶体管的低噪声放大器，包括：石墨烯晶体管，其源极接地，栅极接偏置电压相连，漏极接工作电压；连接在漏极与工作电压之间的第一电感和第一电容；连接在源极与地端之间的第二电感和第二电容；以及输出端和输入端，其中，石墨烯晶体管进一步包括：衬底；过渡层；金属走线层；层间介质层；连接线；形成在层间介质层之上的源极、漏极和栅极，其中，源极、漏极和栅极包括形成在层间介质层之上的金属接触层，源极和漏极分别通过金属接触层与连接线相连；以及形成在栅极之上的栅极介质层和形成在源极、漏极和栅极之上的沟道层，其中，沟道层为石墨烯薄膜。本发明具有低噪声和稳定可靠的优点。
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公开(公告)号：CN102945794B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210331002.X
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L23/48 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种二维电子材料装置及其混合光刻方法，方法包括：在衬底上形成至少一层引线金属层并对至少一层引线金属层进行光学光刻，以形成至少一层引线图形，最上层包括多个上层引线，栅、源、漏电极图形分别与一个上层引线相连；形成电极金属层；对电极金属层进行光学光刻，以形成晶体管区域；对电极金属层进行电子束光刻，以形成栅、源、漏电极图形；形成栅介质层；对栅介质层进行光学光刻形成栅介质层图形；形成二维电子材料层图形；以及形成欧姆接触层图形。本发明可消除或减小二维电子材料的本征特性的破坏，在保证工艺成本的前提下可以大大提升小尺寸器件的光刻精度，提高器件性能，同时在保证加工精度的情况下可以节省加工时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102981060B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201210331552.1
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯量子电容测试器件及其制备方法。该方法包括：在衬底上形成栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形；在衬底上形成栅电极图形、源电极图形和漏电极图形，分别与该栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形接触；在栅电极图形上形成栅介质层图形；在栅介质层图形、源电极图形和漏电极图形上形成石墨烯层图形；以及在石墨烯层图形上对应源电极图形和漏电极图形分别形成欧姆接触层图形。本发明的石墨烯量子电容测试器件及其制备方法可提高石墨烯量子电容的测量精度。
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公开(公告)号：CN102879625B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210331632.7
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种具有石墨烯晶体管的包络检波器，包括：石墨烯晶体管，源极与地端相连，栅极与偏置电压相连，漏极与工作电压相连；第一电感和第一电容；第二电感；第二电容；输入端以及输出端，其中，石墨烯晶体管进一步包括：衬底；过渡层；金属走线层和层间介质层；连接线；源极、漏极和栅极；以及石墨烯薄膜的沟道层。本发明利用了石墨烯薄膜的双极性，具有电路结构简单、可同时提供增益的优点。
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公开(公告)号：CN102879625A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210331632.7
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种具有石墨烯晶体管的包络检波器，包括：石墨烯晶体管，源极与地端相连，栅极与偏置电压相连，漏极与工作电压相连；第一电感和第一电容；第二电感；第二电容；输入端以及输出端，其中，石墨烯晶体管进一步包括：衬底；过渡层；金属走线层和层间介质层；连接线；源极、漏极和栅极；以及石墨烯薄膜的沟道层。本发明利用了石墨烯薄膜的双极性，具有电路结构简单、可同时提供增益的优点。
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公开(公告)号：CN102868370A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210331572.9
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种具有石墨烯晶体管的低噪声放大器，包括：石墨烯晶体管，其源极接地，栅极接偏置电压相连，漏极接工作电压；连接在漏极与工作电压之间的第一电感和第一电容；连接在源极与地端之间的第二电感和第二电容；以及输出端和输入端，其中，石墨烯晶体管进一步包括：衬底；过渡层；金属走线层；层间介质层；连接线；形成在层间介质层之上的源极、漏极和栅极，其中，源极、漏极和栅极包括形成在层间介质层之上的金属接触层，源极和漏极分别通过金属接触层与连接线相连；以及形成在栅极之上的栅极介质层和形成在源极、漏极和栅极之上的沟道层，其中，沟道层为石墨烯薄膜。本发明具有低噪声和稳定可靠的优点。
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公开(公告)号：CN116647211A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202210142851.4
申请日：2022-02-16
Applicant: 清华大学
IPC: H03K3/3565 , H03K3/012
Abstract: 本发明提供一种基于铁电晶体管的施密特触发器及多谐振荡器，该触发器包括：构成CMOS反相器的第一元件和第二元件，两元件分别为n型铁电晶体管和p型晶体管，源极分别接地与VDD，或者两元件分别为p型铁电晶体管和n型晶体管，源极分别接VDD与地；两元件的栅极相连作为输入，漏极相连作为输出；或者，第一元件和第二元件构成伪NMOS反相器，其中，第一元件为n型铁电晶体管，第二元件为负载，第一元件通过负载连接至VDD端，第一元件的源极接地，栅极与漏极分别作为输入和输出。该触发器电路结构简单，仅仅通过两个元件便可实现施密特触发器功能，面积小，功耗低。同时减少制备加工工艺难度，减少加工成本，综合性能优越。
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