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公开(公告)号：CN103579350B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310503580.1
申请日：2013-10-23
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯场效应管及其形成方法，该场效应管包括：衬底；底层源极接触、底层漏极接触和栅金属层，底层源极接触、底层漏极接触和栅金属层位于衬底之上，底层源极接触和底层漏极接触分别位于栅金属层的左右两侧，底层源极接触、底层漏极接触和栅金属层的材料相同且厚度相同；栅介质层，栅介质层位于栅金属层之上，栅介质层与栅金属层的接触界面为粗糙面；石墨烯薄膜，石墨烯薄膜位于底层源极接触、底层漏极接触和栅介质层之上；和顶层源极接触和顶层漏极接触，顶层源极接触位于石墨烯薄膜之上并且与底层源极接触位置相对应，顶层漏极接触位于石墨烯薄膜之上并且与底层漏极接触位置相对应。本发明具有迁移率高、栅控能力良好的优点。
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公开(公告)号：CN102983178B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210331609.8
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯光探测器及其制备方法，其中，石墨烯光探测器包括：基板；基板上形成有第一金属电极图形；第一金属电极图形上形成有第二金属电极图形；且任两个相邻的第一金属电极中：一第一金属电极上形成有第二金属电极，另一第一金属电极上没有第二金属电极；第一金属电极图形和第二金属电极图形上形成有石墨烯，石墨烯的功函数介于第一金属电极的功函数和第二金属电极的功函数之间，石墨烯上还形成有金属接触层图形，各金属接触电极与第一金属电极和第二金属电极对应。本发明降低了器件制备过程中对石墨烯迁移率等特性的影响，提高所制备的探测器的性能，可形成良好的电极接触，增大光电感应的频率范围。
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公开(公告)号：CN102862949B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210331661.3
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于倒置工艺的双臂梁MEMS器件及其形成方法，该方法包括：提供衬底；依次在衬底上形成过渡层、底层电极和层间介质层；在层间介质层上形成上层电极层；刻蚀上层电极层和层间介质层以形成开口，露出底层电极的一部分，并且将上层电极层形成第一上层电极与第二上层电极；在第一上层电极与第二上层电极之上形成二维材料薄膜，其中，二维材料薄膜跨过开口；以及分别在二维材料薄膜两端上方形成第一金属接触和第二金属接触，其中，第一金属接触与第一上层电极的至少一部分相连，第二金属接触与第二上层电极的至少一部分相连。本发明的方法工艺成熟、易于实现，器件接触电阻小、稳定可靠。
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公开(公告)号：CN102867754A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210331608.3
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/49
Abstract: 本发明公开了一种基于倒置工艺的二维材料纳米器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底之上形成过渡层；在过渡层之上形成金属走线层，并在金属走线层中填充层间介质以形成层间介质层；在层间介质层之上形成连接线，其中，连接线的至少一部分与金属走线层相连；在层间介质层之上形成金属接触层，金属接触层与连接线相连；刻蚀金属接触层以分别形成源极、漏极和栅极，其中，源极和漏极分别通过金属接触层与连接线相连；在栅极之上形成栅极介质层；以及在源极、漏极、和栅极的栅极介质层之上形成石墨烯薄膜作为沟道层。本发明的方法采用倒置工艺，易于实现、稳定可靠；本发明的器件具有倒置结构，源漏接触小、栅控能力强。
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公开(公告)号：CN102938636B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210331610.0
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明提供一种混频器，包括：射频信号输入端、本振信号输入端、中频信号输出端、第一晶体管、第二晶体管、电压转换模块、第一偏置端以及第二偏置端，第一晶体管用于将由射频信号输入端输入的射频电压信号和由本振信号输入端输入的本振电压信号通过栅调制和漏调制得到中频电流信号，电压转换模块用于将中频电流信号转换成中频电压信号并通过中频信号输出端输出，采用双晶体管结构，射频电压信号、本振电压信号和中频电压信号分别通过不同的端口输入和输出，能在一定程度上降低各个信号之间的干扰，有效地提高各个信号之间的隔离度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102935993B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210331607.9
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种二维电子材料单臂梁器件及其制备方法，器件包括：衬底；衬底上形成有第一金属电极图形；衬底和第一金属电极图形上形成有介质层，介质层形成有第一通孔图形；介质层上形成有第二金属电极图形，第二金属电极图形中的第二金属电极未覆盖第一通孔图形中的第一通孔；第二金属电极图形上形成有二维电子材料图形，二维电子材料图形中的二维电子材料层部分覆盖位于第一通孔一侧的第二金属电极上、且部分悬空于该第一通孔中；二维电子材料图形和第二金属电极图形上还形成有欧姆接触层图形，欧姆接触层图形中的欧姆接触层覆盖在二维电子材料层与第二金属电极重叠部位的上方、且该欧姆接触层与该第二金属电极接触。本发明器件制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN102981060A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210331552.1
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯量子电容测试器件及其制备方法。该方法包括：在衬底上形成栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形；在衬底上形成栅电极图形、源电极图形和漏电极图形，分别与该栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形接触；在栅电极图形上形成栅介质层图形；在栅介质层图形、源电极图形和漏电极图形上形成石墨烯层图形；以及在石墨烯层图形上对应源电极图形和漏电极图形分别形成欧姆接触层图形。本发明的石墨烯量子电容测试器件及其制备方法可提高石墨烯量子电容的测量精度。
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公开(公告)号：CN102945794A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210331002.X
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L23/48 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种二维电子材料装置及其混合光刻方法，方法包括：在衬底上形成至少一层引线金属层并对至少一层引线金属层进行光学光刻，以形成至少一层引线图形，最上层包括多个上层引线，栅、源、漏电极图形分别与一个上层引线相连；形成电极金属层；对电极金属层进行光学光刻，以形成晶体管区域；对电极金属层进行电子束光刻，以形成栅、源、漏电极图形；形成栅介质层；对栅介质层进行光学光刻形成栅介质层图形；形成二维电子材料层图形；以及形成欧姆接触层图形。本发明可消除或减小二维电子材料的本征特性的破坏，在保证工艺成本的前提下可以大大提升小尺寸器件的光刻精度，提高器件性能，同时在保证加工精度的情况下可以节省加工时间。
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公开(公告)号：CN102862949A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210331661.3
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于倒置工艺的双臂梁MEMS器件及其形成方法，该方法包括：提供衬底；依次在衬底上形成过渡层、底层电极和层间介质层；在层间介质层上形成上层电极层；刻蚀上层电极层和层间介质层以形成开口，露出底层电极的一部分，并且将上层电极层形成第一上层电极与第二上层电极；在第一上层电极与第二上层电极之上形成二维材料薄膜，其中，二维材料薄膜跨过开口；以及分别在二维材料薄膜两端上方形成第一金属接触和第二金属接触，其中，第一金属接触与第一上层电极的至少一部分相连，第二金属接触与第二上层电极的至少一部分相连。本发明的方法工艺成熟、易于实现，器件接触电阻小、稳定可靠。
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公开(公告)号：CN105391404A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510924414.8
申请日：2015-12-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了基于石墨烯场效应管的双平衡混频器，四个石墨烯场效应管的栅极、源极、漏极交叉连接在一起，通过外部电路连接到差分输入、输出端口。本发明具有如下优点：四个石墨烯场效应管的栅极、源极、漏极交叉连接在一起，通过外部电路连接到差分输入、输出端口，通过这种交叉耦合的方式，有效抑制电路的高频分量，提高了线性度，抑制了穿通，减小了噪声。
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