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公开(公告)号：CN102983178B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210331609.8
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯光探测器及其制备方法，其中，石墨烯光探测器包括：基板；基板上形成有第一金属电极图形；第一金属电极图形上形成有第二金属电极图形；且任两个相邻的第一金属电极中：一第一金属电极上形成有第二金属电极，另一第一金属电极上没有第二金属电极；第一金属电极图形和第二金属电极图形上形成有石墨烯，石墨烯的功函数介于第一金属电极的功函数和第二金属电极的功函数之间，石墨烯上还形成有金属接触层图形，各金属接触电极与第一金属电极和第二金属电极对应。本发明降低了器件制备过程中对石墨烯迁移率等特性的影响，提高所制备的探测器的性能，可形成良好的电极接触，增大光电感应的频率范围。
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公开(公告)号：CN102862949B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210331661.3
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于倒置工艺的双臂梁MEMS器件及其形成方法，该方法包括：提供衬底；依次在衬底上形成过渡层、底层电极和层间介质层；在层间介质层上形成上层电极层；刻蚀上层电极层和层间介质层以形成开口，露出底层电极的一部分，并且将上层电极层形成第一上层电极与第二上层电极；在第一上层电极与第二上层电极之上形成二维材料薄膜，其中，二维材料薄膜跨过开口；以及分别在二维材料薄膜两端上方形成第一金属接触和第二金属接触，其中，第一金属接触与第一上层电极的至少一部分相连，第二金属接触与第二上层电极的至少一部分相连。本发明的方法工艺成熟、易于实现，器件接触电阻小、稳定可靠。
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公开(公告)号：CN102867754A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210331608.3
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/49
Abstract: 本发明公开了一种基于倒置工艺的二维材料纳米器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底之上形成过渡层；在过渡层之上形成金属走线层，并在金属走线层中填充层间介质以形成层间介质层；在层间介质层之上形成连接线，其中，连接线的至少一部分与金属走线层相连；在层间介质层之上形成金属接触层，金属接触层与连接线相连；刻蚀金属接触层以分别形成源极、漏极和栅极，其中，源极和漏极分别通过金属接触层与连接线相连；在栅极之上形成栅极介质层；以及在源极、漏极、和栅极的栅极介质层之上形成石墨烯薄膜作为沟道层。本发明的方法采用倒置工艺，易于实现、稳定可靠；本发明的器件具有倒置结构，源漏接触小、栅控能力强。
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公开(公告)号：CN102867753B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210331121.5
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种基于倒置工艺的射频功率管及其形成方法，该方法包括：提供衬底；形成过渡层；形成源极连接线、漏极连接线和栅极连接线；在过渡层之上形成层间介质层，层间介质层填充在连接线之间；在层间介质层之上形成金属接触层，金属接触层与连接线相连；刻蚀金属接触层以形成互相平行的N个源极、N个漏极和2N-1个栅极，其中，源栅漏极按照源极-栅极-漏极-栅极的顺序依次相邻排列，N个源极与源极连接线相连，N个漏极与漏极连接线相连，2N-1个栅极与栅极连接线相连；形成栅极介质层；以及形成石墨烯薄膜作为沟道层。本发明的方法采用倒置工艺，易于实现、稳定可靠；本发明的器件具有倒置结构，源漏接触小、栅控能力强。
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公开(公告)号：CN102935993A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210331607.9
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种二维电子材料单臂梁器件及其制备方法，器件包括：衬底；衬底上形成有第一金属电极图形；衬底和第一金属电极图形上形成有介质层，介质层形成有第一通孔图形；介质层上形成有第二金属电极图形，第二金属电极图形中的第二金属电极未覆盖第一通孔图形中的第一通孔；第二金属电极图形上形成有二维电子材料图形，二维电子材料图形中的二维电子材料层部分覆盖位于第一通孔一侧的第二金属电极上、且部分悬空于该第一通孔中；二维电子材料图形和第二金属电极图形上还形成有欧姆接触层图形，欧姆接触层图形中的欧姆接触层覆盖在二维电子材料层与第二金属电极重叠部位的上方、且该欧姆接触层与该第二金属电极接触。本发明器件制备工艺简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102867753A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210331121.5
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种基于倒置工艺的射频功率管及其形成方法，该方法包括：提供衬底；形成过渡层；形成源极连接线、漏极连接线和栅极连接线；在过渡层之上形成层间介质层，层间介质层填充在连接线之间；在层间介质层之上形成金属接触层，金属接触层与连接线相连；刻蚀金属接触层以形成互相平行的N个源极、N个漏极和2N-1个栅极，其中，源栅漏极按照源极-栅极-漏极-栅极的顺序依次相邻排列，N个源极与源极连接线相连，N个漏极与漏极连接线相连，2N-1个栅极与栅极连接线相连；形成栅极介质层；以及形成石墨烯薄膜作为沟道层。本发明的方法采用倒置工艺，易于实现、稳定可靠；本发明的器件具有倒置结构，源漏接触小、栅控能力强。
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公开(公告)号：CN102865938A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210331662.8
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: G01K7/02
Abstract: 本发明公开了一种热电偶及其形成方法，该方法包括：提供衬底；在衬底之上形成介质层；在介质层之上形金属层；对金属层进行光刻及刻蚀处理以形成第一压焊块、第二压焊块和热偶金属条，其中第二压焊块与热偶金属条相连；在介质层之上形成碳基薄膜，其中，碳基薄膜的一端与压焊块接触，另一端与热偶金属条接触；在第一压焊块形成第一金属接触，并在第二压焊块之上形成第二金属接触。本发明的热电偶采用石墨烯，具有很高的塞贝克系数，且可以通过栅电压进行调制，因此制作的热电偶灵敏性高；利用气压形成的碳基薄膜平整、致密、质量好；形成碳基薄膜之后的工序少，对碳基薄膜的沾污或损害少；最终形成两面夹结构的电极，强度更大，接触电阻更小。
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公开(公告)号：CN102865938B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201210331662.8
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: G01K7/02
Abstract: 本发明公开了一种热电偶及其形成方法，该方法包括：提供衬底；在衬底之上形成介质层；在介质层之上形金属层；对金属层进行光刻及刻蚀处理以形成第一压焊块、第二压焊块和热偶金属条，其中第二压焊块与热偶金属条相连；在介质层之上形成碳基薄膜，其中，碳基薄膜的一端与压焊块接触，另一端与热偶金属条接触；在第一压焊块形成第一金属接触，并在第二压焊块之上形成第二金属接触。本发明的热电偶采用石墨烯，具有很高的塞贝克系数，且可以通过栅电压进行调制，因此制作的热电偶灵敏性高；利用气压形成的碳基薄膜平整、致密、质量好；形成碳基薄膜之后的工序少，对碳基薄膜的沾污或损害少；最终形成两面夹结构的电极，强度更大，接触电阻更小。
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公开(公告)号：CN102983178A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210331609.8
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯光探测器及其制备方法，其中，石墨烯光探测器包括：基板；基板上形成有第一金属电极图形；第一金属电极图形上形成有第二金属电极图形；且任两个相邻的第一金属电极中：一第一金属电极上形成有第二金属电极，另一第一金属电极上没有第二金属电极；第一金属电极图形和第二金属电极图形上形成有石墨烯，石墨烯的功函数介于第一金属电极的功函数和第二金属电极的功函数之间，石墨烯上还形成有金属接触层图形，各金属接触电极与第一金属电极和第二金属电极对应。本发明降低了器件制备过程中对石墨烯迁移率等特性的影响，提高所制备的探测器的性能，可形成良好的电极接触，增大光电感应的频率范围。
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公开(公告)号：CN102938636A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210331610.0
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明提供一种混频器，包括：射频信号输入端、本振信号输入端、中频信号输出端、第一晶体管、第二晶体管、电压转换模块、第一偏置端以及第二偏置端，第一晶体管用于将由射频信号输入端输入的射频电压信号和由本振信号输入端输入的本振电压信号通过栅调制和漏调制得到中频电流信号，电压转换模块用于将中频电流信号转换成中频电压信号并通过中频信号输出端输出，采用双晶体管结构，射频电压信号、本振电压信号和中频电压信号分别通过不同的端口输入和输出，能在一定程度上降低各个信号之间的干扰，有效地提高各个信号之间的隔离度。
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