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公开(公告)号：CN109977534A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910221710.X
申请日：2019-03-22
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于强化学习的电路参数优化方法及系统，其中，该方法包括：获取仿真电路的优化参数和观测信息，并对优化参数进行初始化；将观测信息输入预先训练好的神经网络模型，以输出优化参数的更新量；根据更新量对优化参数进行更新以达到优化目标。该方法可以快速得到给定设计参数及设计目标下最优的优化参数，提高电路设计效率，缩短电路产品的上市时间。
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公开(公告)号：CN105391404A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510924414.8
申请日：2015-12-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了基于石墨烯场效应管的双平衡混频器，四个石墨烯场效应管的栅极、源极、漏极交叉连接在一起，通过外部电路连接到差分输入、输出端口。本发明具有如下优点：四个石墨烯场效应管的栅极、源极、漏极交叉连接在一起，通过外部电路连接到差分输入、输出端口，通过这种交叉耦合的方式，有效抑制电路的高频分量，提高了线性度，抑制了穿通，减小了噪声。
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公开(公告)号：CN102087678A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201110003028.7
申请日：2011-01-07
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及通过时域划分实现并行计算的电路仿真方法，属于集成电路设计技术领域；该方法包括：给定一个电路仿真的输入文件，该文件用于描述需要仿真的电路的拓扑结构、外部激励信号以及仿真参数；根据实际的计算资源的情况将仿真时间平均分割成若干片段；相邻的两个时间片段之间有一部分重叠的时间；对于每个时间片段单独进行瞬态分析；不同的时间片段利用不同线程或不同进程在不同的计算单元上同时进行；在所有的时间片段的瞬态分析都完成之后，对所有的时间片段的瞬态分析得到的结果进行波形拼接，得到整个仿真时间范围电路各个节点的电压的波形，再进一步的处理得到其它所需要的信息。本发明可提高电路设计效率，缩短电路产品的上市时间。
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公开(公告)号：CN105789323A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610210348.2
申请日：2016-04-06
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/16 , H01L21/04
CPC classification number: H01L29/78687 , H01L21/0405 , H01L29/1606 , H01L29/66045
Abstract: 本发明公开了场效应晶体管以及制备方法。该场效应晶体管包括：衬底；栅极，所述栅极嵌在所述衬底中；异质结，所述异质结设置在所述衬底的上表面，所述异质结包括单层石墨烯以及层状材料；源极，所述源极设置在所述异质结的上表面；以及漏极，所述漏极设置在所述异质结的上表面。利用单层石墨烯以及层状材料形成异质结以调节沟道材料禁带宽度，从而可以提高该场效应晶体管的开关比；嵌在衬底中的栅极结构有利于保护单层石墨烯结构不在制备栅极的过程中被破坏，从而可以提高该场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN102207692A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110188741.3
申请日：2011-07-06
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种确定掩膜版经光刻系统后所成像光照强度分布的方法，属于集成电路制造技术领域，用于集成电路制造工艺中；该方法包含以下步骤：用矩阵表示掩膜版图形；用矩阵表示光刻系统光源的强度分布；利用所述光源强度分布矩阵，计算得到所述光刻系统的成像核及其系数，所述成像核用一组矩阵Hk(k＝1，2，……，l)表示，所述系数用μk(k＝1，2，……，l)表示；对于所述矩阵m做粗像素转换；对于所述每个成像核矩阵Hk做粗像素转换；利用所述粗像素转换后的表示掩膜版的矩阵和表示成像核矩阵卷积，并对所述卷积结果先求和再做线性插值；利用所述线性插值后的结果，根据给出的公式计算所述掩膜版经过光刻系统之后的成像光强分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105391412B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201510885765.2
申请日：2015-12-04
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯分布式放大器，包括：栅传输线，其第一端为石墨烯分布式放大器的输入端，其第二端接栅极直流偏压；漏传输线，其第一端接漏极直流偏压，其第二端为石墨烯分布式放大器的输出端；以及多个相同的、顺次排列的石墨烯场效应管，其中，所有石墨烯场效应管的源极分别接地，栅极分别连接到栅传输线上，相邻两个石墨烯场效应管的两个栅极之间设有栅传输线电感，漏极分别连接到漏传输线上然后分别经过漏侧线电容接地，相邻两个石墨烯场效应管的两个漏极之间设有漏传输线电感。本发明具有如下优点：不采用外部电容，从而提升栅极人工传输线特征阻抗，特征阻抗增加引起增益成二次方增加，相比现有技术具有更高的增益效果。
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公开(公告)号：CN105571727B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201510938308.5
申请日：2015-12-15
Applicant: 清华大学
IPC: G01J5/14
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯热电堆器件的信号读出方法和读出系统，方法包括对第一、第二调制电极分别施加互为反相的第一、第二控制信号，其中，第一、第二控制信号组合用于调制石墨烯层的Seebeck系数以消除1/f噪声；通过获取第一电压引出端的第一电压值和获取第二电压引出端的第二电压值得到热源的温度信息。本发明具有如下优点：用相互反相的控制信号直接调制石墨烯层的Seebeck系数，使石墨烯热电堆的输出由传统的直流或低频信号改为高频交流信号，从而取消了传统热电堆放大器电路前端的斩波部分，不仅简化了信号处理电路，还消除了斩波开关引入的1/f噪声，极大地降低了石墨烯热电堆传感器系统的噪声。
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公开(公告)号：CN105336808B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201510857640.9
申请日：2015-11-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯量子阱光探测器，包括：第一压电层和第二压电层，所述第一压电层和所述第二压电层均由压电材料构成；量子阱层，所述量子阱层位于所述第一压电层和所述第二压电层之间，所述量子阱层包括两个半导体子层和位于两个半导体子层之间的石墨烯纳米带。本发明具有如下优点：利用量子阱的最优偏置电压，使得量子阱中的最高能级与导带边界对准形成最大的输出光电流，从而达到最大的探测灵敏度；利用压电电势，调节量子阱的偏置电压，从而提高单个量子阱的量子效率。
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公开(公告)号：CN102542112A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110460515.6
申请日：2011-12-31
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种基于无源建模的电路仿真方法，属于集成电路设计技术领域。首先采用电磁仿真的方法，生成一个数据文件，根据数据文件，利用向量拟合方法，建立初始仿真模型；对初始仿真模型进行修正，使初始仿真模型成为初始无源模型；以最终无源模型的精度为优化目标，用无源性约束作为优化约束条件，以初始无源模型为初始解，使用优化算法，得到最终无源模型；将最终无源模型的系数矩阵输入到电路仿真器中，进行计算，得到电路参数。本发明仿真方法提高了建模的精度，缩短建模的时间，进而提高电路仿真的效率和精度，增强电路仿真的收敛性，将本发明方法应用到集成电路设计中，可以提高电路仿真的可靠性和电路设计效率，缩短电路产品的上市时间。
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公开(公告)号：CN102402639A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110459332.2
申请日：2011-12-31
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种基于局部补偿的电路仿真方法，属于集成电路设计技术领域。首先采用电磁仿真的方法生成一个用于电路建模的数据文件，根据数据文件，利用向量拟合方法，建立初始仿真模型；然后对初始仿真模型进行有源频段检验，根据有源频段的起止频率和传递函数H(s)的特征根在有源频段的最小值和最大值，建立一个补偿系统；将补偿系统连接到初始仿真模型上得到电路仿真模型，得到电路仿真模型；将电路仿真模型的传递函数输入到电路仿真器中，进行计算，得到电路参数。将本发明电路仿真方法应用到集成电路设计中，可以提高电路仿真的可靠性和电路设计效率，进而缩短电路产品的上市时间。
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