一种幅频独立连续可调的四带太赫兹吸收器

    公开(公告)号:CN111817024A

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN202010718838.X

    申请日:2020-07-23

    Abstract: 本发明提出了一种幅频独立连续可调的四带太赫兹吸收器,该器件涉及超材料及太赫兹波应用技术领域,其主要结构包括介质衬底、所述介质衬底上表面的金属反射板、所述金属反射板上表面的介质基板、所述介质基板上表面的复合谐振结构阵列。本发明使用锑化铟及光敏硅的可调谐材料,通过控制外部温度对四个吸收频点的频率进行调谐;控制外加泵浦光源的强度,对四个吸收频点的幅度进行调控,此达到吸收峰幅度和频率独立连续可调的效果,拓宽太赫兹吸收器工作频段。本发明具备功能性强,极化不敏感,结构设计简单,实用性强等优点。

    一种电压控制的太赫兹2位编码器件及方法

    公开(公告)号:CN110445553A

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201910795829.8

    申请日:2019-08-27

    Abstract: 本发明提出一种电压控制的太赫兹2位编码器,包括:分别设置于所述方形衬底两侧的呈周期性排列的方形结构单元;所述方形结构单元包括金属结构和半导体结构;半导体结构包括呈圆柱体的P型半导体和呈圆柱体的N型半导体,N型半导体的底面与方形衬底贴合,P型半导体设置于所述N型半导体上,形成一呈圆形区域的PN结;金属结构包括贴合于方形衬底上的环形金属层、第一金属电极和第二金属电极,每个金属结构的第一金属电极相连,每个金属结构的第二金属电极相连。所述编码器与控制端组成编码系统,通过对每个金属电极进行独立的电压控制实现太赫兹波的两位编码功能。本发明可以具有编码速度快,操作简便和实用性强等优点,具有较好的应用前景。

    一种基于并行分配制度下Two-Agent的悲观操作方法

    公开(公告)号:CN109034361A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201810784328.5

    申请日:2018-07-17

    CPC classification number: G06N3/006

    Abstract: 本发明公开了一种基于并行分配制度下Two‑Agent的悲观操作方法,当操作者Agent‑A和操作者Agent‑B同时想要同一个物品时,操作者Agent‑A在悲观策略下,认为自己不可能拿到该物品,会避免与其他操作者同时报告某个物品而采用悲观操作策略,根据所有操作者对分配物品的喜好顺序,依次把物品放入目标集进行判断能否被拿取,直到分配完所有物品,得到一个确切的最优物品集。采用本发明技术方案可使操作者Agent‑A找到一个成功能操作得到的最优物品集。

    一种光控的太赫兹波3比特编码器及编码方法

    公开(公告)号:CN111555814B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202010537774.3

    申请日:2020-06-12

    Abstract: 本发明公开一种光控的太赫兹波3比特编码器及编码方法,包括衬底层、金属层、定位标志和编码结构。金属层和定位标志均覆于衬底层的上表面;编码结构蚀刻在金属层上。编码结构由若干个双圆结构和若干个方形结构组成;所有双圆结构呈周期性排列,所有方形结构呈周期性排列,且所有双圆结构所形成的双圆阵列与所有方形结构所形成的方形阵列相互交错设置。本发明能对太赫兹波进行操控,并能实现3比特即八个状态的编码,与之前的编码结构相比大大提升了编码能力、信息传输能力。能同时控制三个频率点的谐振响应,作用的频段更宽、编码的频率范围更广。本发明具有工艺简单、结构简单且编码速率快的特点。

    一种压电陶瓷驱动的微位移放大机构及其使用方法

    公开(公告)号:CN109728745B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN201910019457.X

    申请日:2019-01-09

    Abstract: 本发明提供了一种压电陶瓷驱动的微位移放大机构及其使用方法,压电陶瓷伸长以推动所述第一柔性杆向左倾斜,当第一电变液盒中的电变液呈液态,第二电变液盒中的电变液呈固态时,输出臂向左移动,当所述第一电变液盒中的电变液呈固态,所述第二电变液盒中的电变液呈液态时,所述输出臂向右移动。通过增加电变液盒作为位移方向的控制,实现了位移由简单的单向输出变为双向输出,位移方向具有前进和后退两个方向,为小范围往复运动提供了一种简便方法。

    一种基于复合超表面的动态可调太赫兹波分束器

    公开(公告)号:CN114325898A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202210034731.2

    申请日:2022-01-12

    Abstract: 本发明公开一种基于复合超表面的动态可调太赫兹波分束器,包括衬底层、复合材料层、定位标志和透射相位控制结构。复合材料层和定位标志位于衬底层的上表面;透射相位控制结构位于复合材料层的上表面。透射相位控制结构为相位梯度超表面。入射太赫兹波经过本动态可调太赫兹波分束器被分为两束出射太赫兹波;在此过程中,通过外加激励让复合材料层的复合材料条从绝缘态转为高电导状态,以控制出射太赫兹波的波束强度;其中激发为高电导状态的复合材料条的条数与出射太赫兹波的波束强度呈反比。本发明能将一束太赫兹光分为两束太赫兹波,并能动态调节两束波束的强度和分束比。此外,本发明还具有工艺简单,调控方式可靠,功能丰富等特点。

    一种微米级硅基微热板精确温控系统

    公开(公告)号:CN113120853A

    公开(公告)日:2021-07-16

    申请号:CN202110366294.X

    申请日:2021-04-06

    Abstract: 本发明提供的是一种微米级硅基微热板精确温控系统。其特征是:所述的微米级硅基微热板精确温控系统由硅基底座1、加热电阻2,接触电极3、4、5、6,承重梁7、8、9、10,一字梁11、12,腐蚀窗口13,绝热层14组成。本发明使用多晶硅薄膜作为加热电阻2,多晶硅薄膜相对于金属导体具有较高的电阻值,可以保证在输入0V‑5V的电压下微米级硅基微热板的表面温度控制在0‑80℃的范围内。本发明使用二氧化硅薄膜作为绝热层14,因二氧化硅的具有较高硬度,可以稳定地支撑上部的加热电阻和加热器件,同时由于二氧化硅的低热导率可以有效地减少微热板的热损耗,起到保温隔热效果,也可增加微热板的灵敏度和使用寿命。本发明适用于基于二氧化钒等相变材料所制造的温控半导体器件,以实现温度的精准控制。

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