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公开(公告)号：CN112830781A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110068249.6
申请日：2021-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明提供了一种无铅透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用，涉及陶瓷材料技术领域。本发明提供的无铅透明铁电陶瓷材料的化学组成为(1‑x)K0.5Na0.5NbO3‑xSr(Bi0.5Nb0.5)O3，x＝0.02～0.07。本发明以KNN铁电陶瓷为基体，固溶第二组元Sr(Bi0.5Nb0.5)O3后，使陶瓷材料具有透光性能；通过控制第二组元的固溶比例，有效调控陶瓷的相结构，使陶瓷处在四方相和立方相两项共存的伪立方相结构，显著提高陶瓷的透过率，并使陶瓷材料具备较好的铁电性能。本发明提供的透明铁电陶瓷材料不含铅，且具有良好的透光性能和铁电性能，是一种光、电功能共存且可调控的多功能陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN110483038A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910863077.4
申请日：2019-09-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于反铁电陶瓷材料技术领域，特别涉及一种反铁电无铅陶瓷及其制备方法和应用。本发明提供了一种反铁电无铅陶瓷，其元素组成为(1-x)(0.94(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.06BaTiO3)-xCs2Nb4O11，x为摩尔百分比。本发明通过设计元素组成，尤其是保证Cs2Nb4O11组分形式的情况下，实现Cs2Nb4O11与0.94(Bi0.5Na0.5)TiO3-0.06BaTiO3组分结合，获得了在室温、低电场条件下具有反铁电性能且环保的陶瓷材料。实验数据表明，本发明提供的反铁电无铅陶瓷的储能密度可达0.70J/cm3，储能效率可达45％，具有优良的储能性能。
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公开(公告)号：CN107068884B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201710218783.4
申请日：2017-04-05
Applicant: 桂林电子科技大学 , 电子科技大学中山学院
Abstract: 本发明公开了一种高效率紫外有机电致发光器件及其制备方法。所述紫外有机电致发光器件至少包括空穴注入层，所述空穴注入层所用材料是掺杂了MoOx的PEDOT:PSS，其中x＝2～3。所述制备方法包括：将MoOx粉末溶解在纯水中，按质量百分比配置成浓度为0.1％～0.2％的MoOx水溶液，将该MoOx水溶液与PEDOT:PSS按质量比(1～3):(1～4)配成PEDOT:PSS+MoOx混合溶液，在ITO阳极上旋涂上述PEDOT:PSS+MoOx混合溶液制备空穴注入层。采用掺杂MoOx的PEDOT:PSS空穴注入层能有效提高空穴注入能力，增加发光层中的空穴数量，从而改善空穴‑电子的平衡性，提高紫外OLED器件的发光效率，同时器件的制备工艺简单，稳定性好，实用性广。
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公开(公告)号：CN109449313A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811241689.1
申请日：2018-10-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于溶胶-凝胶法制备有机发光二极管中空穴注入层的方法及构建的有机发光二极管，属于基本电气元件技术领域，该方法主要包括VOx前驱液的制备和空穴注入层的制备两个工艺环节，该方法中所使用的设备简单，合成工艺简单，易操作，且重复性好，由该方法获得的VOx前驱液具有水溶性、宽浓度耐受性、稳定性及优异的薄膜形态等优点，能够用于构建高性能的可见光或紫外有机发光二极管。
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公开(公告)号：CN109004096A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810840601.1
申请日：2018-07-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明涉及一种结构简单且高效率的蓝色荧光有机发光二极管，属于基本电气元件技术领域，该二极管包括依次层叠设置的衬底、阳极层、阳极界面层、空穴传输兼发光层、电子传输层、阴极界面层和阴极层。其中，空穴传输兼发光层由掺杂有1-4-二-[4-(N,N-二苯基)氨基]苯乙烯基苯的2-甲基-9,10-二(2-萘基)蒽制成。蓝色荧光有机发光二极管不但具有简单的结构，还具有较高的效率，克服了现有技术中多层结构有利于最终效率提高的技术偏见，可以被广泛应用于高效率有机发光显示和照明等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107069261A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710373874.5
申请日：2017-05-24
Applicant: 桂林恒昌电子科技有限公司 , 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种超细间距集成电路连接器，包括印制电路板、联接器及集成电路板，印制电路板、联接器、集成电路板按从下至上顺序叠放，联接器通过施加固定压缩比率实现集成电路板引脚与印制电路板铜焊盘之间的压缩接触导通。采用本发明的技术方案可以实现集成电路板与印制电路板在细间距条件下导电互连的可靠性，缩小集成电路芯片的封装尺寸、可代替细间距集成电路再流组装工艺、降低组装成本和集成电路芯片的制造成本，除连接器的成本大幅降低外，总体成本还能大幅降低。
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公开(公告)号：CN107017471A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710373403.4
申请日：2017-05-24
Applicant: 桂林恒昌电子科技有限公司 , 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01R4/04 , H01R43/007 , H05K3/326
Abstract: 一种超细间距连接集成电路的方法，通过对弹性导电橡胶制成的联接器施加固定压缩比率实现集成电路板引脚与印制电路板铜焊盘之间的压缩接触导通，其特征在于：包括以下步骤：步骤1把印制电路板置于最底层，然后把弹性导电橡胶制成的联接器紧贴印制电路板铜焊盘，再把集成电路板引脚紧贴联接器放置；步骤2对所述联接器施加固定压缩比率，实现所述集成电路板引脚与所述印制电路板铜焊盘之间的压缩接触导通。本发明可以实现集成电路板与印制电路板在细间距条件下导电互连的可靠性，缩小集成电路芯片的封装尺寸、可代替细间距集成电路再流组装工艺、降低组装成本和集成电路芯片的制造成本，除连接器的成本大幅降低外，总体成本还能大幅降低。
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公开(公告)号：CN106587986A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611201458.9
申请日：2016-12-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/515
Abstract: 本发明公开了一种同时具备储能、应变及宽介电温区多功能共存的三元体系无铅陶瓷及其制备方法，所述多功能无铅陶瓷组份的化学通式可以用(1‑x)[(1‑y)BiAO3‑yMeTiO3]‑x(Bi0.5Na0.5)TiO3所表示。其中：A为Sc、Y、In中的一种或两种；Me为Ca、Sr、Ba中的一种或两种；x、y表示摩尔分数；0.05≤x≤0.30；0.50≤y≤0.80。这种多功能无铅陶瓷除了低污染外，还具备储能、应变及宽介电温区等多功能特性，相比于传统的多组分集成方式具有更好的质量和体积效率，是一种新型的智能性材料。
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公开(公告)号：CN103896578B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410102318.0
申请日：2014-03-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高密度低电阻率氧化锌陶瓷靶材的制备方法，所述方法包括在掺杂ZnO粉体中加入助烧剂，助烧剂是Bi2O3、B2O3和SiO2中的一种、两种或三种，并于不低于摄氏1200度的温度下烧结。本方法能够使得制备的氧化锌陶瓷靶材不仅具有高密度、低电阻率及降低对氧化锌粉体的粒度要求，而且因为降低了烧结温度，从而导致能耗的大幅降低。另外，本方法制备的氧化锌陶瓷靶材由于具有超高的密度及低的电阻率，使得在磁控溅射镀膜时，可以使用直流工艺进行溅射镀膜，在对靶材加高压进行镀膜过程中的放电次数少，高速沉积薄膜，靶材表面节瘤少。
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公开(公告)号：CN104987060A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510344609.5
申请日：2015-06-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有骨架网络结构的氧化锌蒸镀靶材的制备方法：高温烧制获得微米级粉体，加入纳米级粉体、碎颗粒、氢氧化物浆料中的一种或者多种混合，再加入粘接剂压制成型，高温烧结后得到蒸镀靶材。本发明通过构建具有三维骨架网络的结构，实现对低密度蒸发材料的结构强化，所制备的氧化锌蒸镀材料具有较高的强度，抗热冲击性能好，彻底解决高能电子束轰击时开裂的问题。
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