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公开(公告)号：CN119505871A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411659993.3
申请日：2024-11-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种橙红色的铌酸钠‑钛酸钙应力发光材料及其制备方法，该材料由荧光粉和树脂混合物组成，所述荧光粉的化学式为：Na0.985‑xCaxPr0.005Nb1‑xTixO3，x表示摩尔分数，0.01≤x≤0.09。其制备方法为：1)将Na2CO3、Pr6O11、CaCO3、TiO2、Nb2O5为原料按照化学式进行配料，球磨，干燥，第一次烧制，第一次研磨，第二次烧制，第二次研磨，即得荧光粉；2)将环氧树脂与脂环胺按配比混匀，得到树脂混合物；3)将荧光粉和将树脂混合物，静置，烘干，脱模，即得应力发光材料。本发明制得的应力发光材料发光性能优良。
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公开(公告)号：CN119350024A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411487645.2
申请日：2024-10-23
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种钽铌铋酸钾锂储能陶瓷及其制备方法和应用，属于储能陶瓷领域，其化学组成通式为(K1‑xLix)[(Ta0.63Nb0.37)1‑xBix]O3，其中0＜x≤0.01。本发明通过加入Bi5+(Bi3+)、Li+使其获得较高的储能密度以及储能效率。本发明通过固溶置换、离子掺杂的手段，可以在提高其击穿场强的同时获得较大的饱和极化强度和较小的剩余极化强度，从而提高其储能性能。
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公开(公告)号：CN118996343A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410937937.5
申请日：2024-07-12
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种自支撑柔性M型六角铁氧体薄膜的制备方法。该方法选用MgO单晶衬底，使用脉冲激光沉积系统(PLD)制备M/MgO薄膜，再通过湿法刻蚀制备所述自支撑柔性M型六角铁氧体薄膜。其制备方法主要包括以下步骤：S1、制备M型六角铁氧体靶材；S2、脉冲激光沉积，原位退火制得M/MgO薄膜；S3、对所述薄膜二次退火；S4、将二次退火后的薄膜转移，得到所述自支撑柔性M型六角铁氧体薄膜。本发明相比于传统的湿法刻蚀牺牲层法，利用MgO单晶衬底的溶解特性，减少衬底与薄膜之间的牺牲层，简化制备工艺，使得制备过程简单，制备周期较短，薄膜可依托于柔性衬底，大幅度拓展了其应用范围。
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公开(公告)号：CN118654789A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410744440.1
申请日：2024-06-11
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于轴承与应力发光材料结合的应力检测装置，包括底板和喷涂组件，底板上设置有套筒，套筒内滑动卡设有滑杆，喷涂组件包括滑杆顶端连接的连接架，连接架底端设置有固定板，固定板底端转动卡设有转板，转板和固定板间通过转向组件连接，转板上转动卡设有卡环，卡环一侧通过连接块连接有导向环，导向环上设置有连接板，连接板上滑动卡设有移动架，移动架一端同轴连接有电机，移动架上设置有多组喷涂口。本发明中设置的喷涂组件可配合转向组件和控制组件对轴承进行应力发光材料的喷涂，选择轴承需要进行应力监测的位置，由喷涂口对轴承一侧进行喷涂，完成喷涂后，感光罩即可对轴承侧面的材料进行发光监测，从而提高装置的使用效果。
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公开(公告)号：CN114613589B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210182570.1
申请日：2022-02-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种Gd，Co永磁材料及制备方法，由稀土Gd和Co为原材料，按照1:3的原子配比称量，经熔炼、甩带急冷和热处理制备得化学式为GdCo3的菱方相永磁材料，所得材料具有PuNi3型的晶体结构；居里温度为611K，在室温时，饱和磁化强度为6.6‑66.4emu/g，矫顽力0.083‑13.845kOe。本发明的Gd，Co永磁材料具有矫顽力大，温度稳定性好，总体制备工艺简单的特点，适合工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117802379A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311518629.0
申请日：2023-11-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种Ho‑Co磁制冷材料，其原料以原子个数比计满足化学式为Ho3Co，最终制得的Ho‑Co磁制冷材料的主相为Ho3Co相，同时存在少量Ho2Co相，其中，Ho2Co相为非晶相。其制备方法包括以下步骤：1，Ho‑Co合金铸锭的熔炼；2，采用真空甩带工艺Ho‑Co合金薄带的制备；所述真空甩带的基本参数通过定制石英管实现，具体参数为石英管的喷嘴与铜辊的距离为13mm，石英管喷嘴的孔径为1mm。其应用在0‑5 T磁场下的最大磁熵变为15‑21.4 J kg‑1K‑1，制冷量达539.2‑669.9J/kg。相对于现有技术，本发明具有无需额外的退火处理、显著减少整体制备周期的优点。
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公开(公告)号：CN113121226B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110481507.3
申请日：2021-04-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , H01G7/06
Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域，特别涉及一种光介电铁电陶瓷材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种光介电铁电陶瓷材料，所述光介电铁电陶瓷材料的化学通式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xA(MyNb1‑y)O3‑δ，x为0.005～0.10，y为0.01～0.5；A为AII族元素中的一种或多种，M为过渡金属元素中的一种或多种。本发明通过过渡金属的引入降低(K0.5Na0.5)NbO3材料的带隙，实现半导化，从而使光介电铁电陶瓷材料具有高的光介电调谐率，使光介电铁电陶瓷材料的介电常数在光激励时产生改变，实现光对光介电铁电陶瓷材料介电性能的非接触式调控。
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公开(公告)号：CN114613589A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210182570.1
申请日：2022-02-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种Gd，Co永磁材料及制备方法，由稀土Gd和Co为原材料，按照1:3的原子配比称量，经熔炼、甩带急冷和热处理制备得化学式为GdCo3的菱方相永磁材料，所得材料具有PuNi3型的晶体结构；居里温度为611K，在室温时，饱和磁化强度为6.6‑66.4emu/g，矫顽力0.083‑13.845kOe。本发明的Gd，Co永磁材料具有矫顽力大，温度稳定性好，总体制备工艺简单的特点，适合工业生产。
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公开(公告)号：CN114512288A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210184945.8
申请日：2022-02-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种永磁材料，属于永磁材料技术领域。本发明通过选择轻稀土Pr、Nd和Sm中的一种，与重稀土Dy或Gd配合，利用轻重两种稀土存在时引起的电子层的相互作用，能够与过渡族金属Co的电子层发生复杂的3d‑3d、3d‑4f、4f‑4f交换耦合作用，可以有效提高材料的永磁性能；而且通过控制两种稀土的比例可以使永磁材料获得均匀的固溶体组织，有效提高永磁材料的居里温度和矫顽力。
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公开(公告)号：CN111136268B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202010033061.3
申请日：2020-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B22F3/105 , B22F3/24 , C21D1/18 , C21D1/773 , C21D6/00 , C22C28/00 , C22C38/00 , C22F1/02 , G01N23/225 , H01F1/057 , H01F41/02
Abstract: 本发明提供一种高通量合金制备和Ho‑Fe‑B相图测试方法，包括：根据设计需要称量配比出FeB各质量；将配比好的Fe、B进行熔炼形成FeB合金化合物；将熔炼好的FeB铸锭在真空状态下对其进行均匀化热处理；经处理好的样品进行切割，然后对其进行金相处理；采用真空烧结炉烧方式将经过金相处理后的FeB合金和Ho圆柱体以堆垛方式完成结合；将经高通量制备出的FeB‑Ho置于真空封管，并在800℃保温480h；扩散结束，切割样品观察扩散层形成的相组织；采用高通量测试获取扩散层金相组织分布分析各扩散层之间的相组织关系。本发明缩短了绘制相图的实验周期，节省人力和物力，并且获得清晰准确的Ho‑Fe‑B相关系。
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