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公开(公告)号:CN117897903A
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202180101785.X
申请日:2021-07-02
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司 , 中车株洲电力机车研究所有限公司
IPC: H02P5/74
Abstract: 本发明提供了一种电动牵引系统(1),包括:牵引变流器模块(2),包括:用于可操作性耦接至DC电源的正输入端子(4)和负输入端子(6),以及多个功率逆变器(11),每个功率逆变器包括配置为接收DC功率的正和负输入节点(3,5)以及配置为供应AC功率的输出节点(9),其中多个功率逆变器(11)的正和负输入节点(3,5)串联地电连接在正输入端子(4)与负输入端子(6)之间;以及至少一个电动马达(8),配置为由牵引变流器模块(2)驱动,该至少一个电动马达(8)包括多相电动马达(81)。
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公开(公告)号:CN105957888B
公开(公告)日:2023-09-08
申请号:CN201610494974.9
申请日:2016-06-27
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L23/488
Abstract: 本发明的实施例提供一种压接式IGBT子模组和IGBT模块封装结构,涉及电力技术领域,能够降低因IGBT子模组个数较多时因弹簧针接触不良而造成的失效概率。IGBT子模组,包括:IGBT芯片;发射极钼片,所述发射极钼片的一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触;集电极钼片,所述集电极钼片的一面与所述IGBT芯片的集电极接触;栅极连接件,所述栅极连接件的一端为自由端,并与所述IGBT芯片的栅极接触;定位件,用于固定所述IGBT芯片、所述发射极钼片、所述集电极钼片和所述栅极连接件;所述栅极连接件的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。
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公开(公告)号:CN109524363B
公开(公告)日:2020-07-03
申请号:CN201710840250.X
申请日:2017-09-18
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提出了一种压接式子单元和制造其的方法,该压接式子单元具有塑料框,其具有上下贯彻的通孔;芯片单元,其具有从下到上依次设置的第一垫块、芯片和第二垫块,其中,第一垫块延伸到通孔内,芯片通过绝缘胶固定在塑料框的上表面上,该压接式子单元通过塑料框代替了需要灌注成型的绝缘胶框,其结构简单,尤其是,该结构的生产工艺简单,避免了使用额外的复杂的灌注成型模具,其生产效率大幅提高,另外,由于上述结构的塑料框通过绝缘胶与芯片单元粘附为一体,避免了高温导致的塑料框脱附问题,增加了子单元的使用安全性。
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公开(公告)号:CN111128900A
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201811275230.3
申请日:2018-10-30
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/29 , H01L29/739 , H01L21/56
Abstract: 本申请提供了一种IGBT芯片子单元封装结构及其制造方法,该封装结构包括IGBT芯片、设置在该IGBT芯片上的栅极、分别与该IGBT芯片的上表面发射极和下表面集电极电连接的上钼片和下钼片以及封装器,其中,在上表面发射极上沿着该IGBT芯片的终端区涂覆有硅橡胶。通过本申请的封装结构及其制造方法,能够对该IGBT芯片终端结构进行钝化保护,避免了外界因素对芯片终端的污染而引起电击穿,提高了芯片的耐压性和长期工作的可靠性。
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公开(公告)号:CN107768340A
公开(公告)日:2018-03-06
申请号:CN201710827140.X
申请日:2017-09-14
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种功率模块陶瓷衬板,包括:从上至下依次布置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。第一金属层与第二金属层之间布置有第一陶瓷层,第二金属层与第三金属层之间布置有第二陶瓷层。第一金属层设置为彼此隔离的发射极区和控制信号端子区,第二金属层设置为集电极区。第二金属层还可以进一步通过布置在第一陶瓷层中的通孔延伸至第一陶瓷层的上表面。在衬板上表面沿厚度方向开设有分别用于安装第一功率芯片和第二功率芯片的凹槽,凹槽自第一金属层延伸至第二金属层。本发明能够解决现有功率模块陶瓷衬板电路互连结构杂散电感大,芯片焊接需要使用焊接工装,衬板正面金属层为强电和弱电的结合层,衬板间互连较复杂的技术问题。
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公开(公告)号:CN105957861A
公开(公告)日:2016-09-21
申请号:CN201610480973.9
申请日:2016-06-24
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/04 , H01L23/488
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/041 , H01L23/488
Abstract: 本发明的实施例提供一种芯片模块封装结构,涉及电力技术领域,能够简化工艺过程,可缩短封装时间,降低生产成本。芯片模块封装结构,包括:多个芯片;定位件,所述定位件上设置有阵列分布的孔洞单元,每个所述孔洞单元用于固定一个所述芯片;壳体,所述壳体包括顶壳、中环和底壳,所述顶壳和底壳的边缘分别与所述中环的上下开口接合,所述顶壳上固定设置有多个第一钼片,所述第一钼片与孔洞单元的位置对应,所述第一钼片的一面与所述芯片的第一极接触;多个凸台,所述凸台设置于所述壳体的底壳上,所述凸台上固定设置有所述第二钼片,所述第二钼片的一面与所述芯片的第二极接触。
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公开(公告)号:CN119758001A
公开(公告)日:2025-04-04
申请号:CN202411683142.2
申请日:2024-11-22
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及功率半导体的测试电路技术领域,特别地涉及一种功率半导体的测试电路、方法、装置、设备、介质和产品,其中电路包括:直流电源和待测器件,其中,所述待测器件包括第一待测器件和第二待测器件;第一待测器件的第一端连接于直流电源的正极,第一待测器件的第二端连接于第二待测器件的第一端;第二待测器件的第二端连接于直流电源的负极;能够准确测量功率半导体器件的开关损耗。
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公开(公告)号:CN119362848A
公开(公告)日:2025-01-24
申请号:CN202410859216.7
申请日:2024-06-28
Applicant: 中车株洲电力机车研究所有限公司 , 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明创造属于轨道交通设备的技术领域,具体涉及了一种牵引变流器。本申请通过一种牵引变流器,包括:箱体、预充电电路、变流器主体器件和冷却风机;所述箱体内的一侧设置有预充电腔室,所述预充电腔室内设置有预充电电路;所述箱体内的另一侧设置有L型的主体腔室,所述主体腔室的一端与所述预充电腔室相邻;所述变流器主体器件布置在所述L型的主体腔室中,且所述变流器主体器件的一端与所述预充电电路连接,另一端与机车连接;所述箱体内还设置有冷却腔室,所述冷却腔室位于所述预充电腔室和所述主体腔室之间;所述冷却风机设置在所述冷却腔室中。本申请的设备降低了风道长度,提升了变流器的集成度,降低了变流器的车长尺寸。
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公开(公告)号:CN119246944A
公开(公告)日:2025-01-03
申请号:CN202411505416.9
申请日:2024-10-25
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: G01R21/02
Abstract: 本发明公开了一种磁元件损耗的测量方法及相关组件,涉及电力电子磁技术领域,包括控制加热器将磁元件加热至预设温度;确定磁元件及在磁元件的表面设置的均热块之间的温度差;控制激励源对磁元件进行激励;控制加热器的功率减小,以保持温度差不变;确定加热器减小的功率,加热器减小的功率与磁元件的损耗功率相等。当激励源对磁元件进行激励时,磁元件的损耗以热的形式散发,磁元件升温会提高与均热块之间的温度差,此时控制加热器的功率减小,在温度差恒定的条件下,加热器减小的功率与磁元件的功率相等,这样就可以确定磁元件的损耗功率,无需考虑磁元件的电气特性,利用磁元件产生的热量测量其损耗,得到的结果更加准确。
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公开(公告)号:CN119182178A
公开(公告)日:2024-12-24
申请号:CN202411448564.1
申请日:2024-10-16
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H02J3/38 , H02J3/46 , H02M7/493 , H02M7/5375 , H02M1/36
Abstract: 本申请涉及一种并联供电系统的控制方法、系统、设备、介质及产品,本申请中,各个控制器在预设时长内控制逆变器的输出电压的幅值保持在第二预设电压值,再根据第一实时输出电压和第一实时桥臂电流,调整或保持逆变器的调制波的相位,直至计时器的计时值达到预设时长,使得在达到预设时长时各个逆变器的输出电压的相位相同,再根据第二实时输出电压和额定电压值,同步调整各个逆变器的输出电压的幅值至额定电压值,使得各个控制器之间不需要网络通信,即可实现并联供电系统中的各个逆变器同步启动,能够有效地降低并联供电系统的控制系统的复杂性,能够有效地降低并联供电系统的控制系统对网络的依赖。
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