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公开(公告)号:CN213152023U
公开(公告)日:2021-05-07
申请号:CN202021206704.1
申请日:2020-06-24
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H03K17/08
Abstract: 本公开提供一种基于逆阻型IGCT的固态开关,包括并联的开关模块和吸收保护模块;其中,所述开关模块包括反向并联的第一逆阻型IGCT和第二逆阻型IGCT,所述第一逆阻型IGCT的阳极为所述开关模块的第一端,所述第一逆阻型IGCT的阴极为所述开关模块的第二端,所述第二逆阻型IGCT的阳极连接所述第一逆阻型IGCT的阴极,所述第二逆阻型IGCT的阴极连接所述第一逆阻型IGCT的阳极;所述吸收保护模块,用于保护所述开关模块。无需在IGCT器件两端反并联二极管或者采用二极管桥式电路结构就可实现双向导通和关断,简化了固态开关的结构,减小了固态开关内部的杂散电感。而且降低了固态开关的损耗,提高了固态开关的电流关断速度。
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公开(公告)号:CN213152022U
公开(公告)日:2021-05-07
申请号:CN202021177333.9
申请日:2020-06-22
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H03K17/08
Abstract: 本实用新型公开了一种功率半导体器件驱动保护电路,涉及电子电路技术领域,该驱动保护电路包括:驱动模块、启停模块以及保护模块,驱动模块连接在功率半导体器件的门极与阴极之间,启停模块的一端与功率半导体器件的门极连接,启停模块的另一端与保护模块的一端连接,且启停模块的控制端连接触发控制信号,保护模块的另一端与所述功率半导体器件的阴极连接。本实用新型的有益效果是:能够在该启停模块失效后造成的功率半导体器件门阴极短路的情况下,防止功率半导体器件损坏。不仅降低了驱动电路的复杂程度,还节约成本,可广泛应用于功率半导体型器件的驱动电路中。
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公开(公告)号:CN212434600U
公开(公告)日:2021-01-29
申请号:CN202021870565.2
申请日:2020-08-31
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H01L23/13
Abstract: 本说明书一个或多个实施例提供一种绝缘垫块及半导体组件,绝缘垫块包括:本体,所述本体的表面开有至少一个具有第一深度的第一凹槽和至少一个具有第二深度的第二凹槽,所述第一深度与所述第二深度不同;通过深度不同的第一凹槽和第二凹槽,能够满足放电间隙和爬电距离的要求,有效增加爬电距离,同时能够减小绝缘垫块的重量。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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