公开(公告)号：CN115432871A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210404730.2

申请日：2022-04-18

Applicant: 上村工业株式会社

Inventor： 佐藤雅亮 ,  小田幸典

IPC: C02F9/08 ,  C02F103/16 ,  C02F101/16 ,  C02F101/10

Abstract: 本发明公开了一种无电解镀覆废液的处理方法及无电解镀覆废液的处理系统。无电解镀覆废液至少含有金属离子、氨、还原剂、还原剂废物及络合剂，无电解镀覆废液的处理方法包括：电解无电解镀覆废液而去除金属离子的电解处理工序；使进行了电解处理工序的无电解镀覆废液中的氨挥发而去除氨的氨挥发工序；氧化进行了氨挥发工序的无电解镀覆废液，分解还原剂、还原剂废物及络合剂的紫外线·臭氧处理工序；以及通过向进行了紫外线·臭氧处理工序的无电解镀覆废液中添加钙化合物，使磷酸盐沉淀而去除磷酸盐的磷酸盐去除工序。

公开(公告)号：CN112534082B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202080003242.X

申请日：2020-02-13

Applicant: 上村工业株式会社

Inventor： 高田英明 ,  中山智晴 ,  山本久光 ,  小田幸典

IPC: C23C18/40 ,  H05K3/18

Abstract: 化学镀铜浴为含有肼化合物作为还原剂、不含甲醛、pH值为5～10的化学镀铜浴，该化学镀铜浴至少含有胺类络合剂或胺化合物、与氨基羧酸类络合剂。

公开(公告)号：CN112534082A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202080003242.X

申请日：2020-02-13

Applicant: 上村工业株式会社

Inventor： 高田英明 ,  中山智晴 ,  山本久光 ,  小田幸典

IPC: C23C18/40 ,  H05K3/18

Abstract: 化学镀铜浴为含有肼化合物作为还原剂、不含甲醛、pH值为5～10的化学镀铜浴，该化学镀铜浴至少含有胺类络合剂或胺化合物、与氨基羧酸类络合剂。

公开(公告)号：CN105970226B

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201610131098.3

申请日：2016-03-08

Applicant: 上村工业株式会社

Inventor： 田边克久 ,  北岛晃太 ,  染矢立志 ,  小田幸典 ,  能津雅浩

IPC: C23F1/40 ,  C23C18/20 ,  H05K3/28

Abstract: 本发明提供一种金属图案外析出防止处理剂和使用了该处理剂的印刷电路板及封装件的制备方法，本发明的金属图案外析出防止处理剂的特征在于，该处理剂含有过氧化氢和选自醛糖、醛糖酸、醛糖二酸及其盐、其内酯体中的一种以上的化合物，且该金属图案外析出防止处理剂的pH值为7.1以上。本发明的化学镀图案外析出防止处理剂以使用直接导致Pd残渣失活的过氧化氢为前提，抑制处理剂随时间劣化，具体而言，在抑制碱性条件下的过氧化氢的消耗的同时，抑制基底金属的溶解，能够除去引起化学镀的图案外析出的Pd残渣。

公开(公告)号：CN106399983B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201610584745.6

申请日：2016-07-22

Applicant: 上村工业株式会社

Inventor： 柴田利明 ,  田中小百合 ,  小田幸典

IPC: C23C18/44

Abstract: 本发明提供了一种能够在ENIG工序和ENEPIG工序两者的镀金形成中使用的镀金浴。本发明的无氰化学镀金浴为含有水溶性金盐、还原剂和络合剂，不含有氰的化学镀金浴，其特征在于，所述还原剂含有甲酸或其盐，以及肼类。

公开(公告)号：CN111254424A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911199413.6

申请日：2019-11-29

Applicant: 上村工业株式会社

Inventor： 前川拓摩 ,  柴田利明 ,  小田幸典

IPC: C23C18/44

Abstract: 本发明提供即使在镀浴中不含有氯化物等卤化物也具有镀膜性优异的特性的化学镀浴。本发明的无卤素的化学镀浴，其为含有水溶性铂化合物或水溶性钯化合物、和还原剂的化学镀浴，所述水溶性铂化合物为四氨合铂(II)络盐，但是，除去所述四氨合铂(II)络盐的卤化物，所述水溶性钯化合物为四氨合钯(II)络盐，但是，除去所述四氨合钯(II)络盐的卤化物和硫酸四氨钯(II)，所述还原剂为甲酸或其盐，所述化学镀浴作为添加剂不含有卤化物。

公开(公告)号：CN110718523A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201910634802.0

申请日：2019-07-10

Applicant: 上村工业株式会社

Inventor： 前川拓摩 ,  小田幸典 ,  柴田利明 ,  伊井义人 ,  神崎翔

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供了可以防止凸块的基底导电层中使用的金属扩散至Au层表面或Ag层表面的凸块。本发明的导电性凸块为在基体上形成的导电性凸块，其中，所述凸块从基体侧依次至少具有基底导电层、Pd层、与所述Pd层直接接触的Pt层、以及Au层或者Ag层，所述凸块的直径为20μm以下。

公开(公告)号：CN105970226A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610131098.3

申请日：2016-03-08

Applicant: 上村工业株式会社

Inventor： 田边克久 ,  北岛晃太 ,  染矢立志 ,  小田幸典 ,  能津雅浩

IPC: C23F1/40 ,  C23C18/20 ,  H05K3/28

Abstract: 本发明提供一种金属图案外析出防止处理剂和使用了该处理剂的印刷电路板及封装件的制备方法，本发明的金属图案外析出防止处理剂的特征在于，该处理剂含有过氧化氢和选自醛糖、醛糖酸、醛糖二酸及其盐、其内酯体中的一种以上的化合物，且该金属图案外析出防止处理剂的pH值为7.1以上。本发明的化学镀图案外析出防止处理剂以使用直接导致Pd残渣失活的过氧化氢为前提，抑制处理剂随时间劣化，具体而言，在抑制碱性条件下的过氧化氢的消耗的同时，抑制基底金属的溶解，能够除去引起化学镀的图案外析出的Pd残渣。

公开(公告)号：CN101356299A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200680035637.8

申请日：2006-09-22

Applicant: 上村工业株式会社

Inventor： 村角明彦 ,  黑坂成吾 ,  稻川扩 ,  小田幸典

IPC: C23C18/44

CPC classification number: C23C18/44 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/54 ,  H01L24/43 ,  H01L24/745 ,  H01L2224/45664

Abstract: 本发明公开了包含钯化合物、至少一种选自氨和胺化合物的络合剂、至少一种选自次膦酸和亚膦酸盐的还原剂、和至少一种选自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、不饱和羧酸盐和不饱和羧酸衍生物的不饱和羧酸化合物的无电镀钯浴。这种无电镀钯浴具有高的浴稳定性，并且几乎不会发生浴分解。因此，本发明的无电镀钯浴比传统的无电镀钯浴具有较长的浴寿命。此外，这种无电镀钯浴能够获得优异焊接结合性能和引线接合性能，因为即使当它使用了很长时间，它也不影响镀层的性能。