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公开(公告)号：CN113261390B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201980087725.X
申请日：2019-12-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/31 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明的真空处理装置是用于进行等离子体处理的真空处理装置。真空处理装置包括：连接到高频电源的电极凸缘；簇射极板，与所述电极凸缘隔开对置并与所述电极凸缘一起构成阴极；设置在所述簇射极板的周围的绝缘屏蔽；处理室，在所述簇射极板的与所述电极凸缘相反的一侧配置被处理基板；电极框，安装在所述电极凸缘的所述簇射极板侧；以及滑动板，安装在所述簇射极板的作为所述电极框侧的周缘部。所述簇射极板被形成为具有大致矩形轮廓。所述电极框与所述滑动板对应于所述簇射极板的升降温时产生的热变形而能够滑动，而且由所述簇射极板、所述电极凸缘和所述电极框包围的空间能够密封。所述电极框具有：安装于所述电极凸缘的框状的上板面部；纵板面部，从所述上板面部的轮廓外侧整周朝向所述簇射极板竖立设置；以及下板面部，从所述纵板面部的下端以与所述上板面部大致平行的方式朝向所述上板面部的轮廓内侧端延伸。
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公开(公告)号：CN112563158B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202010933390.3
申请日：2020-09-08
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/67 , H01L21/205 , H01J37/32
Abstract: 本发明的真空处理装置具备电极框。电极框具有上板部、下板部和纵板部。上板部被安装在电极法兰上，在俯视中形成为框形状且具有上外侧区域。下板部具有与滑动板的一部分接触的接触面且与上板部平行延伸，在俯视中形成为框形状且具有下外侧区域。纵板部具有固定在上板部的上外侧区域的上固定端和固定在下板部的下外侧区域的下固定端，纵板部从下板部向上板部竖立设置，被固定在上板部与下板部之间，且厚度小于上板部和下板部的厚度。
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公开(公告)号：CN109477221B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201780036633.X
申请日：2017-06-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/505 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H05H1/46
Abstract: 提供一种能够实现缩短返回电流路径和确保对称性的等离子体处理装置。本发明的一实施方式涉及的等离子体处理装置具备腔室主体、载物台、高频电极、多个接地部件、可动单元。上述腔室主体具有侧壁，所述侧壁的一部分包括能够使基板通过的开口部。上述多个接地部件配置在上述载物台的周围，电连接上述侧壁与上述载物台之间。上述可动单元具有支撑体，所述支撑体支撑作为上述多个接地部件的一部分的第一接地部件。上述可动单元构成为，能够使上述支撑体在上述第一接地部件间隔上述开口部而与上述开口部的内周面对置的第一位置和上述第一接地部件电连接于上述内周面的第二位置之间移动。
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公开(公告)号：CN108138321B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201680058354.9
申请日：2016-10-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/455 , B01F3/02 , H01L21/31
Abstract: 提供将第一气体和第二气体均匀混合的混合器和使用该混合器的真空处理装置。以第二筒开口（46）位于第一筒主体（11）中的方式将第二筒主体（12）以互相不接触的方式配置于第一筒主体（11）的内部，在第一筒主体（11）内部的第一筒开口（45）和第二筒开口（46）之间形成助跑空间（48），使第二气体从第二筒开口（46）向助跑空间（48）流出，使第一气体从形成于第一、第二筒主体（11、12）之间的间隙（47）向助跑空间（48）流出，使第一、第二气体在第二气体被第一气体的包围状态下流向助跑空间（48），使其从第一筒开口（45）向混合容器（10）内流出。第一、第二气体在混合容器（10）内直行，与混合容器（10）的与第一筒开口（45）面对的壁面碰撞，形成第一、第二气体的漩涡，被供给于混合容器（10）的第一、第二气体的流量之差即使较大也被均匀地混合。
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公开(公告)号：CN110073484A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201880004839.9
申请日：2018-08-06
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 本发明的升降销为与具有处理面及非处理面的基板接触的升降销，具备：中央部件，具备具有第一表面粗糙度及电绝缘部的第一面和作为导电性部件的主体，所述中央部件与所述基板的所述非处理面相对；和周围部件，具备具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度及电绝缘部的第二面，所述周围部件包围所述中央部件的周围且与所述基板的所述非处理面相对。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108138321A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680058354.9
申请日：2016-10-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/455 , B01F3/02 , H01L21/31
Abstract: 提供将第一气体和第二气体均匀混合的混合器和使用该混合器的真空处理装置。以第二筒开口（46）位于第一筒主体（11）中的方式将第二筒主体（12）以互相不接触的方式配置于第一筒主体（11）的内部，在第一筒主体（11）内部的第一筒开口（45）和第二筒开口（46）之间形成助跑空间（48），使第二气体从第二筒开口（46）向助跑空间（48）流出，使第一气体从形成于第一、第二筒主体（11、12）之间的间隙（47）向助跑空间（48）流出，使第一、第二气体在第二气体被第一气体的包围状态下流向助跑空间（48），使其从第一筒开口（45）向混合容器（10）内流出。第一、第二气体在混合容器（10）内直行，与混合容器（10）的与第一筒开口（45）面对的壁面碰撞，形成第一、第二气体的漩涡，被供给于混合容器（10）的第一、第二气体的流量之差即使较大也被均匀地混合。
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公开(公告)号：CN102272895A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004120.9
申请日：2010-01-07
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32743 , H01J37/32091
Abstract: 该等离子体处理装置包括：处理室(101)，由具有侧壁(34)的腔室(2)、电极法兰(4)、和被所述腔室(2)与所述电极法兰(4)夹着的绝缘法兰(81)形成，并具有反应室(2a)；支撑部(15)，收容于所述反应室(2a)内，载置有具有处理面(10a)的基板(10)；搬出搬入部(36)，设置于所述腔室(2)的所述侧壁(34)；RF电源(9)，与所述电极法兰(4)连接，并施加高频电压；第一阀门(55)，设置于所述搬出搬入部(36)，并开闭所述搬出搬入部(36)；以及第二阀门(56)，与所述腔室(2)电连接，并具有与所述腔室(2)的内侧面(33)位于同一平面上的面部(56a)。
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公开(公告)号：CN102272894A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004096.9
申请日：2010-01-06
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32467 , C23C16/4585 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 该等离子体处理装置包括：基底部件(3)，具有第一基底面(33)、第二基底面(33a)、和基底台阶部(34)；绝缘板(35)，具有从所述第二基底面(33a)到载置于所述第一基底面(33)的基板(10)的上表面(10a)的高度以下的高度，并被配置在所述第二基底面(33a)上，由绝缘物质形成；簇射极板(5)，具有第一簇射面(5a)、第二簇射面(5b)、和簇射台阶部(42)；以及电极掩膜(43)，具有从所述第二簇射面(5b)到所述第一簇射面(5a)的高度以下的高度，以与所述绝缘板(35)对置的方式配置在所述第二簇射面(5b)上，由绝缘物质形成。
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公开(公告)号：CN102272893A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080003989.1
申请日：2010-01-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32467 , H01J37/32091
Abstract: 该等离子体处理装置包括：电极法兰(4)；腔室(2)，具有内壁面(34)；绝缘法兰(31)，配置在所述电极法兰(4)与所述腔室(2)之间；基底部件(3)，具有侧面(32)，并配置在所述腔室(2)内，且载置有基板(10)；RF电源(9)，与所述电极法兰(4)连接，并施加高频电压；以及绝缘部件(41、42)，配置在与所述内壁面(34)对置的所述基底部件(3)的所述侧面(32)以及与所述基底部件(3)的侧面(32)对置的所述内壁面(34)中的至少任意一方。
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公开(公告)号：CN102017169A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980112754.3
申请日：2009-06-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04 , C23C16/505 , H01L21/205
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/50 , C23C16/5096 , C23C16/54 , H01J37/32568 , H01L21/67748 , H01L31/1876 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种薄膜太阳能电池制造装置包括：成膜空间(81)，以基板(W)的成膜面与重力方向大致平行的方式配置所述基板(W)，并通过CVD法将希望的膜形成在所述成膜面上；阴极单元(68、118、128)，具有施加有电压的阴极(75)和两个以上的供电点(88)，所述阴极(75)配置在两侧；以及阳极(67)，与配置在所述阴极单元(68、118、128)的两侧的所述阴极(75)隔开并对置地配置。
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