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公开(公告)号：CN101999173A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200980112428.2
申请日：2009-06-04
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67781 , C23C16/24 , C23C16/45565 , C23C16/4587 , H01J37/32532 , H01L21/67161 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67754 , H01L31/202 , H01L31/206 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的薄膜太阳能电池制造装置包括：成膜室，在基板的成膜面上通过CVD法形成膜；电极单元，具有：施加有电压的阴极被配置在两侧的阴极单元、以及与所述各阴极分别对置且隔开间隔距离配置的一对阳极；掩膜，覆盖所述基板的周缘部；以及排气管道，设置在所述阴极单元的周围，在所述阴极单元与设置在所述阳极侧的所述基板之间形成成膜空间，在所述掩膜与所述阴极单元之间形成排气通道，所述排气管道与所述成膜空间经由所述排气通道连接，导入所述成膜空间的成膜气体通过所述排气通道从所述排气管道排出。
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公开(公告)号：CN101789358A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200910129865.7
申请日：2009-03-30
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/00 , H01L21/324
Abstract: 提供能够以低成本制造、高效率良好加热处理基板的加热处理装置。该加热处理装置具有真空腔(20)、支持部件(30)和加热装置(40)，所述真空腔(20)具备：腔本体(21)，该腔本体(21)由具有贯通孔(24)的多个腔部件(25)构成，在邻接的腔部件(25)的至少一个上，沿与另一个抵接的面的贯通孔(24)的开口部的整个周围连续设置槽部(27)，各腔部件(25)在夹着安装在槽部(27)中的密封部件(26)、分别紧靠的状态下被固定，腔本体(21)具有由多个贯通孔(24)构成的处理空间(A)；塞住处理空间(A)的壁面部件(22)；以及盖部件(23)，上述支持部件(30)配置在处理空间(A)内、支持基板(S)，上述加热装置(40)用辐射热加热基板(S)。
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公开(公告)号：CN118922579A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202380029003.5
申请日：2023-02-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , C23C14/08 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 溅射靶，其由包含由铟、镁和锡组成的式InXMgYSnZ的氧化物的氧化物烧结体构成，上述式的X为0.32以上且0.65以下，Y为0.17以上且0.46以下，Z为大于0且0.22以下，并且在X+Y+Z＝1的范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113881923A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110709756.3
申请日：2021-06-25
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种绝缘层更难以从靶材剥离的溅射靶。在溅射靶中，氧化物靶材具有作为溅射面的第一主面、与上述第一主面相反的一侧的第二主面以及与上述第一主面和上述第二主面相连设置的侧面。基材设置在上述氧化物靶材的上述第二主面侧。接合构件设置在上述基材与上述氧化物靶材之间，将上述基材和上述氧化物靶材接合。绝缘层设置在从上述氧化物靶材的上述侧面的至少一部分起经过接合构件直到上述基材的表面的至少一部分。对上述氧化物靶材、上述接合构件以及上述基材各自的要与上述绝缘层接触的相接面实施了喷砂处理。
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公开(公告)号：CN102473609B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080026689.5
申请日：2010-07-29
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/509 , H01J37/32
CPC classification number: C23C16/509 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: 该成膜装置(10)包括：阴极单元(68)；以及离开所述阴极单元(68)并对置配置的阳极(67)，该阴极单元(68)包括：电极板(76)，施加有电压；温度调整流体用流路(92)，设置在所述电极板(76)上，温度调整流体在该温度调整流体用流路中循环；簇射极板(75)，与所述电极板(76)接触，并具有用于向基板(W)的被成膜面供给工艺气体的多个孔(74)；热交换用板(91)，设置在所述电极板(76)与所述簇射极板(75)之间，并与所述电极板(76)和所述簇射极板(75)接触；以及气体流路(107)，设置在所述热交换用板(91)上，并将所述工艺气体导入到所述热交换用板(91)，且将被导入到所述热交换用板(91)的工艺气体引导至所述簇射极板(75)的所述多个孔(74)。
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公开(公告)号：CN102473608A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080025630.4
申请日：2010-07-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4587
Abstract: 该成膜装置(10)包括：成膜室(11)，在重力方向上具有上部(22)，以基板(W)的被成膜面与重力方向平行的方式配置所述基板(W)；电极单元(31)，可装卸地设置于所述成膜室(11)，并具有被施加电压的平板状的阴极(75)以及与所述阴极(75)分开并对置配置的阳极(67)；装卸用轨道(41)，设置在所述成膜室(11)的所述上部，并沿着从所述成膜室(11)引出所述电极单元(31)的方向设置，用于引导所述电极单元(31)。
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公开(公告)号：CN101999172A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200980112427.8
申请日：2009-06-04
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04 , C23C16/505 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67173 , C23C16/24 , C23C16/45565 , C23C16/4587 , C23C16/509 , C23C16/54 , H01L21/67161 , H01L21/67167 , H01L21/67754 , H01L21/67781 , H01L31/202 , H01L31/206 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的薄膜太阳能电池制造装置具有：成膜室，以基板的成膜面与重力方向大致平行的方式配置所述基板，在所述成膜面上通过CVD法形成膜；电极单元，具有：施加有电压的阴极被配置在两侧的阴极单元、以及与所述各阴极分别对置且隔开间隔距离配置的一对阳极；以及搬送部，支撑所述基板，将所述基板搬送到所述阴极与对置于所述阴极的所述阳极之间，所述间隔距离可变。
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公开(公告)号：CN101990585A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200980112430.X
申请日：2009-06-05
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C16/4587 , C23C16/24 , C23C16/54 , H01L21/67161 , H01L21/67173 , H01L21/67712 , H01L21/67736 , H01L21/67754 , H01L31/076 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种成膜装置包括：成膜室(11)，在真空中将希望的膜成膜在基板(W)上；放入取出室(13)，经由第一开闭部(25)被固定于所述成膜室(11)，并能将内部减压为真空气氛；第二开闭部(36)，设置在所述放入取出室(13)的、与设置有所述第一开闭部(25)的面相反的面上；以及托架(21)，以所述基板(W)的成膜面与重力方向大致平行的方式保持所述基板(W)，所述托架或所述基板(W)通过所述第二开闭部(36)被搬入、搬出所述放入取出室(13)，在所述放入取出室(13)中并列配置多个所述托架(21)，在所述放入取出室(13)与所述成膜室(11)之间所述多个托架(21)被并列地搬入或搬出，在所述成膜室(11)中对保持在所述多个托架(21)上的多个所述基板(W)同时进行成膜。
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