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公开(公告)号：CN118974862A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380029119.9
申请日：2023-03-13
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 电子部件（102）具备半导体基板（1）、形成在半导体基板（1）的表层侧的绝缘体层（2）、形成在绝缘体层（2）内的内部电极（3A1、3A2、3B）、形成在半导体基板（1）的表层侧的由热氧化膜形成的电介质层（4）、在比内部电极（3A1、3A2）靠表层侧的位置与内部电极（3A1、3A2）导通的引出电极（5A1、5A2）、在比内部电极（3B）靠表层侧的位置与内部电极（3B）导通的引出电极（5B1、5B2）、在比引出电极（5A1、5A2）靠表层侧的位置与引出电极（5A1、5A2）导通的外部电极（6A）、以及在比引出电极（5B1、5B2）靠表层侧的位置与引出电极（5B1、5B2）导通的外部电极（6B）。在与半导体基板的面垂直的方向上观察时，所述第二引出电极形成在所述第二内部电极的内侧。
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公开(公告)号：CN105051887B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201480010622.0
申请日：2014-02-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L21/329 , H01L27/04 , H01L29/861 , H01L29/866 , H01L29/868
CPC classification number: H01L23/485 , H01L23/3192 , H01L23/4824 , H01L23/4827 , H01L23/5222 , H01L23/5226 , H01L23/525 , H01L23/528 , H01L23/53233 , H01L23/53247 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L24/05 , H01L27/0255 , H01L27/0292 , H01L27/0296 , H01L27/0814 , H01L2224/02331 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/024 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2924/0504
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。ESD保护器件(1)具备：Si基板(10)，其在表面形成有ESD保护电路(10A)；焊盘(P1、P2)，其形成于Si基板(10)；以及再布线层(20)，其与Si基板(10)的表面对置，包括与焊盘(P1、P2)导通的端子电极(25A、25B)。再布线层(20)包括：SiN保护膜(21)，其形成于Si基板(10)的表面以便覆盖形成于树脂层(22)的开口(接触孔)所接触的区域以外的焊盘(P1、P2)的一部分；以及树脂层(22)，其比SiN保护膜(21)介电常数低，形成在SiN保护膜(21)以及端子电极(25A、25B)之间。由此，能够减少寄生电容的产生，并且消除产生的寄生电容的偏差。
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公开(公告)号：CN104966117B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510447687.8
申请日：2012-10-25
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H04B5/0012 , G06K19/0726 , H01Q1/2225 , H01Q7/00 , H04B5/0031 , H04B5/0062 , H04B5/0081 , H04B5/02
Abstract: RFIC(11)包括IO端子(11P)。同样，控制IC(12)包括IO端子(12P)。可变电容元件(14)包括控制端子(14P)。该可变电容元件(14)包括根据控制电压来确定电容值的电容元件、以及对输入控制端子的电压进行分压来产生所述控制电压的电阻分压电路。RFIC(11)或控制IC(12)经由信号线(15A、15B)向可变电容元件(14)提供控制数据。可变电容元件(14)与天线线圈(13)一同构成LC并联谐振电路即天线电路，将天线电路的谐振频率定义为规定频率。
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公开(公告)号：CN102473675B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201080031298.2
申请日：2010-07-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L23/5252 , H01L25/167 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种基于动作电压的施加而发生短路时，不会产生开路不良的反熔丝元件。本发明的反熔丝元件(10)具有：绝缘层(22)；形成于绝缘层(22)的上下表面的一对电极层(21)、(23)；和以与电极层(23)的同绝缘层(22)形成静电电容的部分接触的方式形成的引出电极(42)。并且，被构成为产生构造变化部(29)，该构造变化部(29)具有：在施加了绝缘层(22)的绝缘破坏电压以上的电压时，一对电极层(21)、(23)相互熔融以将绝缘层(22)卷入的形态而短路的短路部(27)；和通过绝缘层(22)被卷入而使一对电极层(21)、(23)和绝缘层(22)消失的消失部(28)。并且，引出电极(42)具有两个以上与电极层(23)接触的部分。
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公开(公告)号：CN102473674B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201080028169.8
申请日：2010-07-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/82 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L33/00
CPC classification number: H01L23/5252 , H01L23/62 , H01L25/167 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种难以产生因静电放电导致的绝缘破坏的反熔丝元件。本发明的反熔丝元件(10)的特征在于，具备电容部(20)，该电容部(20)具有绝缘层(22)和在所述绝缘层的上下面形成的至少一对电极层(21)、(23)，电容部(20)具有对静电放电的保护功能。在本发明中，电容部具有对静电放电的保护功能，因此能够提供难以产生例如因部件安装时的静电放电导致的绝缘破坏的反熔丝元件。
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公开(公告)号：CN102473675A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080031298.2
申请日：2010-07-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L23/5252 , H01L25/167 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种基于动作电压的施加而发生短路时，不会产生开路不良的反熔丝元件。本发明的反熔丝元件(10)具有：绝缘层(22)；形成于绝缘层(22)的上下表面的一对电极层(21)、(23)；和以与电极层(23)的同绝缘层(22)形成静电电容的部分接触的方式形成的引出电极(42)。并且，被构成为产生构造变化部(29)，该构造变化部(29)具有：在施加了绝缘层(22)的绝缘破坏电压以上的电压时，一对电极层(21)、(23)相互熔融以将绝缘层(22)卷入的形态而短路的短路部(27)；和通过绝缘层(22)被卷入而使一对电极层(21)、(23)和绝缘层(22)消失的消失部(28)。并且，引出电极(42)具有两个以上与电极层(23)接触的部分。
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公开(公告)号：CN102473521A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080028867.8
申请日：2010-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 中矶俊幸
Abstract: 本发明的目的在于提供一种耐湿性高、特性劣化小的电介质薄膜元件。本发明的电介质薄膜元件(10)具备基板(11)；在基板(11)的一个主面上形成的紧贴层(13)；电容部(20)，其具有在紧贴层(13)上形成的下部电极层(21)、在下部电极层(21)上形成的电介质层(22)和在电介质层(22)上形成的上部电极层(23)；和以覆盖电容部(20)的方式形成的保护层(30)。而且其特征在于，紧贴层(13)的端部从保护层(30)露出。
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公开(公告)号：CN117954421A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202310900866.7
申请日：2023-07-21
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/522 , H01L23/48 , H01L23/31 , H01L23/29
Abstract: 本发明提供一种能够缓和模塑时的应力并且抑制性能的降低的无源部件。无源部件具备：无机基板，具有相互对置的第一主面和第二主面，且包含半导体材料；以及无源元件部，设置在上述第一主面上，与上述无机基板的上述第一主面接触，在将通过上述第一主面整体的重心并与上述第一主面正交的平面上的剖面作为第一剖面时，在上述第一剖面上，上述无机基板具有与上述第一主面连接且相互对置的第一侧面和第二侧面，上述第一侧面的线粗糙度以及上述第二侧面的线粗糙度分别大于上述第一主面的线粗糙度。
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公开(公告)号：CN117198706A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310654576.9
申请日：2023-06-05
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够降低由涡流引起的损耗的电子部件。电子部件具备：半导体基板，具有主面，包含半导体材料；以及线圈，设置在上述主面上，由导电材料构成，上述半导体基板包含低电阻部，该低电阻部的电阻低于由上述半导体材料构成的半导体的电阻，上述线圈与上述低电阻部电连接，上述线圈的轴向与上述主面平行。
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公开(公告)号：CN109219859B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201780033770.8
申请日：2017-10-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 在使电感器和电容器一体地形成在一个坯体的结构中，实现优异的Q值的电感器。LC器件(10)具备坯体(20)、电感器(40)、电容器(50)、以及磁性体部(31)。坯体(20)为平板状，在至少一部分具备绝缘性的树脂层。电感器(40)具有环状的导体图案(401、402)，并形成在坯体(20)的内部。电容器(50)是安装型的元件，在环状的导体图案(401、402)的开口内，并以至少安装面与树脂层接触的状态配置在坯体(20)内。磁性体部(31)形成坯体(20)的一部分，遍及环状的导体图案(401、402)的大致全长地配置在导体图案(401、402)与电容器(50)之间。
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