公开(公告)号：CN111819668A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201880090846.5

申请日：2018-11-22

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 根来世 ,  小林健司

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/336 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 通过将TMAH、过氧化氢与水混合，从而制备包含TMAH、过氧化氢和水、但不含氟化氢化合物的碱性蚀刻液。将制备的蚀刻液供给至露出了多晶硅膜和氧化硅膜的衬底，在抑制氧化硅膜的蚀刻的同时对多晶硅膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN109545704A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201810994507.1

申请日：2018-08-29

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 西出基 ,  伊豆田崇 ,  林孝俊 ,  福井克洋 ,  冈本浩一 ,  藤田和宏 ,  三浦淳靖 ,  小林健司 ,  根来世 ,  辻川裕贵

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种药液生成方法、药液生成装置及基板处理装置。一种药液生成方法，生成用以对基板上所形成的膜进行处理的药液，所述药液生成方法包括气体溶解工序，所述气体溶解工序通过将含有氧气的含氧气体及含有惰性气体的含惰性气体供给至药液来使所述含氧气体及所述含惰性气体溶解至药液中，并且通过将供给至所述药液的所述含氧气体与所述含惰性气体的混合比设定为与规定的目标溶解氧浓度相对应的混合比来调整药液的溶解氧浓度。

公开(公告)号：CN109155247A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780026979.1

申请日：2017-05-18

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 林昌之 ,  远藤亨 ,  河原启之 ,  岩田敬次 ,  根来世

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

Abstract: 基板处理装置包括：处理腔室；基板保持单元，配置在所述处理腔室内，用于保持基板；第一喷嘴，具有用于朝被所述基板保持单元保持的基板的主面喷出流体的喷出口。在基板处理装置中执行：第一处理步骤，将第一药剂流体从所述第一喷嘴朝所述基板的主面喷出，对所述基板实施使用了所述第一药剂流体的处理；第二处理步骤，将第二药剂流体供给至所述基板的主面，对所述基板实施使用了所述第二药剂流体的处理；以及水置换步骤，在所述第一处理步骤执行前及/或执行后，以及/或者，在所述第二处理步骤的执行前及/或执行后，将来自所述第一水供给单元的水供给至所述药剂流体配管，并以水置换所述药剂流体配管的内部。

公开(公告)号：CN119923710A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202380068309.1

申请日：2023-08-28

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 德山真裕 ,  筱原健介 ,  根来世

IPC: H01L21/306 ,  G06N20/00

Abstract: 本发明的学习装置包含：实验数据取得部，其在以包含表示随时间经过而相对于基板变动的喷嘴的相对位置的变动条件的处理条件驱动基板处理装置，进行形成于前述基板的膜的处理之后，取得表示前述膜的处理的前后的膜厚的差的第一处理量；第1转换部，其将变动条件转换成压缩数据，该压缩数据表示对于复数个移动区间各者的与喷嘴相关的动作量，复数个所述移动区间是将在喷嘴动作开始至结束的扫描期间喷嘴的移动范围分割成比变动条件的数据数量更少的数量而得到的移动区间；及预测器生成部，其对包含压缩数据及与处理条件对应的第一处理量的学习用数据进行机器学习，生成推测第二处理量的学习模型。

公开(公告)号：CN116631895A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310046730.4

申请日：2023-01-13

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 根来世 ,  筱原健介 ,  德山真裕

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种衬底处理条件的设定方法、衬底处理方法、衬底处理条件的设定系统、及衬底处理系统。衬底处理条件的设定方法包含：步骤(S24)，对基于学习用处理条件、及以学习用处理条件处理衬底(W)时的处理结果进行机械学习后的已学习模型(M)，输入多个处理条件，取得多个推定处理结果；步骤(S26)，使显示部(105)显示基于多个推定处理结果的图像；及步骤(S27及S28)，基于显示于显示部(105)的图像，将与多个推定处理结果中的1个推定处理结果对应的1个处理条件，设定为处理衬底(W)时的执行处理条件。

公开(公告)号：CN115050668A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210184146.0

申请日：2022-02-24

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 泽岛隼 ,  山口贵大 ,  难波敏光 ,  根来世

IPC: H01L21/67 ,  B01D46/00

Abstract: 本发明提供一种能减少供气单元从处理外壳朝上方伸出的供气单元的突出长度的衬底处理装置。衬底处理装置(1)具备处理外壳(22)与供气单元(30)。处理外壳(22)在处理外壳(22)的内部处理衬底(W)。供气单元(30)将气体供给到处理外壳(22)的内部。供气单元(30)具备过滤器(31)、导管(32)及风扇(41)。过滤器(31)配置在处理外壳(22)的上部。过滤器(31)将气体吹出到处理外壳(22)的内部。导管(32)设置在处理外壳(22)的外部。导管(32)连接到过滤器(31)。风扇(41)设置在处理外壳(22)的外部。风扇(41)连接到导管(32)。风扇(41)在俯视下配置在不与过滤器(31)重叠的位置。风扇(41)的至少一部分配置在与处理外壳(22)相同的高度位置。

公开(公告)号：CN113728416A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202080028876.0

申请日：2020-04-07

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 根来世 ,  小林健司 ,  奥谷学 ,  阿部博史

IPC: H01L21/304

Abstract: 将含有水的漂洗液供给至衬底的上表面。将衬底的上表面上的漂洗液置换成第1液体。将衬底的上表面上的第1液体置换成第2液体。将衬底的上表面上的第2液体除去，由此使衬底干燥。第2液体在水中的溶解度小于第1液体在水中的溶解度。第2液体的表面张力低于第1液体的表面张力。第2液体的比重大于第1液体的比重。第2液体的沸点为室温以上，从第2液体的沸点减去室温而得的值为室温以下。

公开(公告)号：CN113053728A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011545248.8

申请日：2020-12-24

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 阿部博史 ,  太田乔 ,  石津岳明 ,  小林健司 ,  村元僚 ,  根来世 ,  奥谷学 ,  酒井渉

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 基板处理方法及装置，方法包括：液膜形成工序，在基板的上表面形成处理液的液膜；液膜保温工序，将基板的整体加热至比处理液的沸点更低的温度以对液膜进行保温；气相层形成工序，一边执行液膜保温工序，一边从照射单元朝设定在基板的上表面中央部的照射区域照射光来对基板进行加热，由此使接触基板的上表面中央部的处理液蒸发，而在液膜的中央部形成保持处理液的气相层；开口形成工序，将由气相层保持的处理液排除以在液膜的中央部形成开口；基板旋转工序，使基板环绕旋转轴线进行旋转；及开口扩大工序，一边执行液膜保温工序及基板旋转工序，一边使照射区域朝基板的周缘部移动，由此一边维持在液膜的内周缘形成有气相层的状态，一边使开口扩大。