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公开(公告)号:CN107415383B
公开(公告)日:2021-01-12
申请号:CN201710569491.5
申请日:2016-03-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B32B27/36 , B32B27/34 , B32B27/08 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/38 , B32B27/02 , B32B27/12 , B32B15/20 , B32B15/14 , B32B15/082 , B32B27/28 , B32B7/12
Abstract: 根据实施方式,提供一种结构体,其具备:由纤维构成的芯材、和构成芯材且与芯材接触的内芯材。
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公开(公告)号:CN109895482A
公开(公告)日:2019-06-18
申请号:CN201910288086.5
申请日:2016-03-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B32B27/08 , B32B27/06 , B32B27/36 , B32B27/34 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/02 , B32B27/38 , B32B15/14 , B32B15/20 , B32B15/082 , B32B33/00 , B32B7/08 , B32B7/12
Abstract: 根据实施方式,提供一种结构体,其具备:由纤维构成的芯材、和构成芯材且与芯材接触的内芯材。
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公开(公告)号:CN107579190A
公开(公告)日:2018-01-12
申请号:CN201710674730.3
申请日:2014-03-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01M2/14 , H01M2/16 , H01M10/0525 , H01M10/0587 , H01M10/42
Abstract: 本发明提供一种二次电池。本发明的二次电池具备电极和有机纤维层。电极具备集电体、含活性物质层和极耳。集电体具有边缘部。含活性物质层被担载在集电体的至少单面上。极耳从集电体的边缘部伸出。极耳具有第一表面和第二表面。含活性物质层包含被担载在集电体的边缘部上的端部。含活性物质层在端部具有最大厚度T。有机纤维层包含有机纤维,并且与含活性物质层的端部以及极耳的第一表面的和集电体的边缘部相邻的部分结合。
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公开(公告)号:CN101960594B
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN200880127778.1
申请日:2008-08-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/149 , H01L45/1666 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了非易失性存储装置及其制造方法,其特征在于,具备:基板;上述基板上设置的第1电极;以与上述第1电极交叉的方式在其上方设置的第2电极;以及在上述第1电极和上述第2电极之间设置的存储部,上述存储部的与上述第1电极相对的第1存储部面的面积和上述存储部的与上述第2电极相对的第2存储部面的面积的至少一个比通过交叉而相对的上述第1电极和上述第2电极的交叉面的面积小。
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公开(公告)号:CN102102211B
公开(公告)日:2013-01-23
申请号:CN201010591444.9
申请日:2010-12-16
Applicant: 株式会社东芝 , 芝浦机械电子株式会社 , 氯工程株式会社
CPC classification number: C25B1/22 , C25B9/08 , G03F1/80 , G03F7/423 , H01L21/02057 , H01L21/31133 , H01L21/6708
Abstract: 在一个实施方案中,公开了一种蚀刻方法。该方法可以包括通过电解硫酸溶液产生氧化性物质、和通过控制氧化性物质的生成量来产生具有规定的氧化剂浓度的蚀刻溶液。该方法可包括将所生产的蚀刻溶液供应到工件表面。
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公开(公告)号:CN102031203B
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201010287629.0
申请日:2010-09-20
Applicant: 株式会社东芝 , 芝浦机械电子株式会社 , 氯工程株式会社
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/423 , H01L21/67051
Abstract: 根据实施方案,一种清洗液包括氧化物质和氢氟酸,并且显示出酸性。公开了一种清洗方法。该方法包括制备一种包括氧化物质的氧化溶液,通过选自电解硫酸溶液、电解加入硫酸溶液中的氢氟酸以及混合硫酸溶液和过氧化氢水溶液中的一种来制备。该方法包括向待清洗物体的表面提供氧化溶液和氢氟酸。
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公开(公告)号:CN101276746B
公开(公告)日:2012-04-25
申请号:CN200810096345.6
申请日:2008-03-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种可以在蚀刻处理后立即从被处理物上除去反应生成物和硬掩模等的表面处理方法、蚀刻处理方法、和电子装置的制造方法。所提供的表面处理方法的特征在于,对具有多层膜的被处理物的各层依次进行蚀刻而堆积含有氟化碳的反应生成物时,通过进行氧气等离子体处理来除去上述反应生成物,在上述反应生成物的除去后,使用氟化氢气体来除去含氧化物的反应生成物。
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公开(公告)号:CN102031203A
公开(公告)日:2011-04-27
申请号:CN201010287629.0
申请日:2010-09-20
Applicant: 株式会社东芝 , 芝浦机械电子株式会社 , 氯工程株式会社
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/423 , H01L21/67051
Abstract: 根据实施方案,一种清洗液包括氧化物质和氢氟酸,并且显示出酸性。公开了一种清洗方法。该方法包括制备一种包括氧化物质的氧化溶液,通过选自电解硫酸溶液、电解加入硫酸溶液中的氢氟酸以及混合硫酸溶液和过氧化氢水溶液中的一种来制备。该方法包括向待清洗物体的表面提供氧化溶液和氢氟酸。
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公开(公告)号:CN1840248A
公开(公告)日:2006-10-04
申请号:CN200610073365.2
申请日:2006-03-31
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明揭示一种洗涤方法及洗涤装置,洗涤装置具备:提供碱性的洗涤用液体的洗涤用水供给部(50)、提供高压空气的高压空气供给部(40)、以及使所提供的洗涤用水与高压空气混合以使其形成雾状,向半导体晶片(W)喷射的双流体喷嘴(30)。
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公开(公告)号:CN107323014A
公开(公告)日:2017-11-07
申请号:CN201710569368.3
申请日:2016-03-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B32B5/24
CPC classification number: B32B5/022 , B32B3/04 , B32B3/06 , B32B3/26 , B32B5/026 , B32B5/08 , B32B5/24 , B32B5/26 , B32B7/045 , B32B15/02 , B32B15/082 , B32B15/088 , B32B15/14 , B32B15/20 , B32B27/12 , B32B27/302 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B2250/44 , B32B2262/023 , B32B2262/0246 , B32B2262/0253 , B32B2262/0261 , B32B2262/0276 , B32B2262/0284 , B32B2262/101 , B32B2262/105 , B32B2262/106 , B32B2262/14 , B32B2264/101 , B32B2264/102 , B32B2264/104 , B32B2264/105 , B32B2307/202 , B32B2307/204 , B32B2307/302 , B32B2307/304 , B32B2307/31 , B32B2307/50 , B32B2307/718 , B32B2307/72 , B32B2307/732 , B32B2363/00 , B32B2535/00 , B32B2553/00 , B32B2603/00 , B32B2605/08 , B32B2605/10 , B32B2605/18
Abstract: 根据实施方式,提供一种结构体,其具备:由纤维构成的芯材、和构成芯材且与芯材接触的内芯材。
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