公开(公告)号：CN101276746B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200810096345.6

申请日：2008-03-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 青木克明 ,  速水直哉 ,  服部圭 ,  冈幸广 ,  金高秀海 ,  长谷川诚

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供一种可以在蚀刻处理后立即从被处理物上除去反应生成物和硬掩模等的表面处理方法、蚀刻处理方法、和电子装置的制造方法。所提供的表面处理方法的特征在于，对具有多层膜的被处理物的各层依次进行蚀刻而堆积含有氟化碳的反应生成物时，通过进行氧气等离子体处理来除去上述反应生成物，在上述反应生成物的除去后，使用氟化氢气体来除去含氧化物的反应生成物。

公开(公告)号：CN101276746A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810096345.6

申请日：2008-03-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 青木克明 ,  速水直哉 ,  服部圭 ,  冈幸广 ,  金高秀海 ,  长谷川诚

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供一种可以在蚀刻处理后立即从被处理物上除去反应生成物和硬掩模等的表面处理方法、蚀刻处理方法、和电子装置的制造方法。所提供的表面处理方法的特征在于，对具有多层膜的被处理物的各层依次进行蚀刻而堆积含有氟化碳的反应生成物时，通过进行氧气等离子体处理来除去上述反应生成物，在上述反应生成物的除去后，使用氟化氢气体来除去含氧化物的反应生成物。