公开(公告)号：CN104465741A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410061074.6

申请日：2014-02-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  阿部和秀 ,  内原士 ,  齐藤泰伸 ,  仲敏行 ,  吉冈启 ,  小野祐 ,  大野哲也 ,  藤本英俊 ,  增子真吾 ,  古川大 ,  八木恭成 ,  汤元美树 ,  饭田敦子

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/872 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/045 ,  H01L29/205 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L29/778 ,  H01L29/41775

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：GaN系半导体层，表面相对m面或a面具有0度以上5度以下的角度；第一电极，设置于上述表面，具有第一端部；以及第二电极，与第一电极分离地设置于上述表面，具有与第一端部对置的第二端部，连接第一端部的任意点和第二端部的任意点的线段的方向与GaN系半导体层的c轴方向不同。

公开(公告)号：CN104347696A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310731533.2

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤本英俊

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02389 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 本实施方式涉及半导体装置以及其制造方法，所述半导体装置具备基板。第一层被设在基板的第一面的上方并使用第一导电型的III族氮化物半导体而形成。第二层被设在第一层上，使用第二导电型的III族氮化物半导体而形成。第三层被局部地设在第二层的表面中的第一区域上，使用AlGaN而形成。栅电极的一端位于第三层的表面上方，另一端经由第二层位于第一层内，并与第一层、第二层以及第三层绝缘。第一电极与第三层连接。第二电极与第二层的表面中的第一区域以外的第二区域连接。第三电极设在与第一面相反一侧的基板的第二面上。

公开(公告)号：CN104064562A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310322235.8

申请日：2013-07-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  内原士 ,  梁濑直子 ,  仲敏行 ,  大野哲也 ,  小野祐

IPC: H01L25/18 ,  H01L29/78 ,  H03K17/567

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/095 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种具备了稳定的整流特性的实施方式的半导体装置具备导电性基板；肖特基势垒二极管，具有阳极电极、阴极电极，安装为所述导电性基板和所述阳极电极电连接，所述导电性基板和所述阳极电极相对；场效应晶体管，在表面具有源极电极、漏极电极、以及栅极电极，安装为所述场效应晶体管背面与所述导电性基板相对。而且，源极电极与阴极电极电连接，栅极电极与阳极电极电连接。

公开(公告)号：CN103681884A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310070533.2

申请日：2013-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也 ,  仲敏行

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02389 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/417 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

Abstract: 提供半导体器件及其制造方法。半导体器件具备含有III族元素的第1氮化物半导体层、第2氮化物半导体层、第3氮化物半导体层、绝缘膜、欧姆电极和肖特基电极。第2氮化物半导体层设在第1氮化物半导体层上，带隙大于第1氮化物半导体层。第3氮化物半导体层设在第2氮化物半导体层上。绝缘膜与第3氮化物半导体层相接地设在第3氮化物半导体层上。欧姆电极与第2氮化物半导体层欧姆接触。肖特基电极与第2氮化物半导体层肖特基接触。欧姆电极和肖特基电极之间的第3氮化物半导体层的表面区域，含有与第3氮化物半导体层的构成元素为异种的元素，该元素的浓度高于第3氮化物半导体层的比表面区域还靠第2氮化物半导体层侧的区域。

公开(公告)号：CN102694019A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201110255497.8

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  大野哲也 ,  斋藤涉 ,  杉山亨

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供氮化物半导体器件及其制造方法。氮化物半导体器件具备第1半导体层、第2半导体层、第1电极、第2电极、第3电极、第1绝缘膜和第2绝缘膜。第2半导体层设置在第1半导体层之上。第2半导体层包含具有比第1半导体层的禁带宽度还宽的禁带宽度的氮化物半导体。第2半导体层具有孔部。第1电极设置在孔部内。第2电极设置在第2半导体层之上。第3电极在第2半导体层之上，在第2电极之间夹着第1电极地设置，与第2半导体层电连接。第1绝缘膜是含有氧的膜。第1绝缘膜设置在第1电极和孔部的内壁之间及第1电极和第2电极之间，与第3电极分离设置。第2绝缘膜是含有氮的膜。第2绝缘膜在第1电极和第3电极之间与第2半导体层相接地设置。

公开(公告)号：CN102623498A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201110241197.4

申请日：2011-08-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤涉 ,  藤本英俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/205

CPC classification number: H01L29/42316 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7781

Abstract: 根据实施方式，半导体元件具备：第1半导体层，在支承基板上N面生长，包含AlXGa1-XN(0≤X＜1)；第2半导体层，形成在上述第1半导体层上，包含无掺杂或第1导电型的AlYGa1-YN(0＜Y≤1，X＜Y)；以及第3半导体层，形成在上述第2半导体层上，包含AlZGa1-ZN(0≤Z＜1，Z＜Y)。实施方式的半导体元件具备与上述第3半导体层连接的第1主电极、与上述第3半导体层连接的第2主电极、以及设置在上述第1主电极与上述第2主电极之间的上述第3半导体层之上的栅极电极。上述第3半导体层的厚度在上述栅极电极下选择性地变薄。

公开(公告)号：CN1344031A

公开(公告)日：2002-04-10

申请号：CN01132991.2

申请日：2001-09-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤本英俊

IPC: H01L29/737 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01L29/80

Abstract: 在GaAs系半导体元件中,通过使用InpGa1－pN(0

公开(公告)号：CN104917483A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410275588.1

申请日：2014-06-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  阿部和秀 ,  内原士 ,  齐藤泰伸 ,  仲敏行 ,  吉冈启 ,  小野祐 ,  大野哲也 ,  藤本英俊 ,  增子真吾 ,  古川大 ,  八木恭成 ,  汤元美树 ,  饭田敦子 ,  村上友佳子 ,  铃木良和

IPC: H03H9/15 ,  H03H9/02

CPC classification number: H01L28/20 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/092 ,  H01L27/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78 ,  H03H9/02566

Abstract: 本发明提供一种具备使用了GaN类半导体的谐振子的半导体装置。实施方式的半导体装置具备GaN类半导体层、以GaN类半导体层的一部分为压电层进行谐振的谐振子、以及以GaN类半导体层的一部分为沟道层的晶体管。

公开(公告)号：CN104917374A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410453507.2

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 仲敏行 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  大野哲也 ,  內原士 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  増子真吾 ,  小野祐

IPC: H02M3/155

CPC classification number: H02M3/33507 ,  H02M2001/0048 ,  H02M2001/007 ,  Y02B70/1491

Abstract: 本发明提供一种具备可以使常导通元件适当地动作的控制电路的电源电路。根据一实施方式，电源电路包括第一电路，该第一电路包含一个以上的第一开关元件以及控制所述第一开关元件的动作的第一控制电路，且输出第一电压。进而，所述电源电路包括第二电路，该第二电路包含包括常导通元件的一个以上的第二开关元件以及控制所述第二开关元件的动作的第二控制电路，且输出从所述第一电压产生的第二电压。进而，所述第二控制电路是基于所述第二电路内的第一节点的电压或电流的值，发送使所述第一电路输出所述第一电压的第一信号。进而，所述第一控制电路是通过根据所述第一信号来控制所述第一开关元件的动作，而使所述第一电压从所述第一电路输出。

公开(公告)号：CN104347694A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310729612.X

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤本英俊 ,  齐藤泰伸 ,  吉冈启

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够兼顾高耐压和低开启电阻的使用III族氮化物半导体的半导体装置。本实施方式的半导体装置具备基板。第1层设在基板的第1面的上方，使用第1导电型的III族氮化物半导体形成。第2层设在第1层上，使用第2导电型的III族氮化物半导体形成。第3层部分地设在第2层的表面中的第1区域上，使用第1导电型的III族氮化物半导体形成。栅极电极的一端处于第3层的表面上方，经由第2层而另一端处于第1层内，与第1层、第2层及第3层绝缘。第1电极连接在第3层上。第2电极连接在第2层的表面中的第1区域以外的第2区域上。第3电极设在与第1面相反侧的基板的第2面上。