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公开(公告)号：CN100485955C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610074303.3
申请日：2006-04-05
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/207 , H01L29/737 , H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/34
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/36 , H01L29/66318 , H01L29/66462 , H01L33/025 , H01L33/305 , H01S5/22 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓类半导体元件，其特征在于，具备掺杂了镁的第一氮化镓类半导体膜、和在所述第一氮化镓类半导体膜之上设置的、掺杂了镁的第二氮化镓类半导体膜；在所述第一氮化镓类半导体膜中，镁浓度分布和氢浓度分布实质上是平坦的，而且镁浓度被保持为比氢浓度高；在所述第二氮化镓类半导体膜中，设置有朝着表面方向镁浓度减少而氢浓度增大的区域，在所述区域中的镁浓度被保持为比氢浓度高，同时还比所述第一氮化镓类半导体膜中的镁浓度高。
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公开(公告)号：CN1269229C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN01122064.3
申请日：2001-03-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L25/0756 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 色调偏差小的半导体发光器件及其制造方法。包括半导体发光元件(包含由电流注入发射第一波长的光的有源区)以及至少一个半导体叠层体(结合到上述半导体发光元件上、包含由上述第一波长的光激发、发射第二波长的光的发光层)，将上述第一波长的光与上述第二波长的光混合输出的半导体发光器件。作为制造这种半导体发光器件的方法，提供一种首先采用适合于形成有源区的第一衬底构成上述半导体发光元件，其次采用适合于形成发光层的第二衬底构成上述半导体叠层体，然后将二者结合的方法。
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公开(公告)号：CN1450667A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03110224.7
申请日：2003-04-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种高亮度半导体元件及其制造方法。一种半导体元件的制造方法，具有以下步骤：在具有第1面和与第1面相对且面积比上述第1面小的第2面的GaP衬底的上述第1面上，形成发射能透过上述GaP衬底的波长λ的光的发光层；在上述GaP衬底，形成朝上述第2面变窄、相互以大致相等的角度倾斜的多个侧面；及在上述多个侧面形成高度不小于0.1λ、不大于3λ的多个凹凸。还提供一种通过该方法得到的半导体发光元件。
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公开(公告)号：CN114765236B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202110811090.2
申请日：2021-07-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 菅原秀人
Abstract: 本申请的实施方式的半导体发光装置具备半导体基板和发光层。上述发光层包含在上述半导体基板上交替层叠的量子阱层和阻挡层。上述量子阱层包含具有比上述半导体基板的晶格常数大的晶格常数的第一半导体混晶，并且具有第一应变率与其层厚之积的第一应变量。上述阻挡层包含具有比上述半导体基板的晶格常数小的晶格常数的第二混晶，并且具有第二应变率与其层厚之积的第二应变量。上述量子阱层及上述阻挡层以上述第一应变量比上述第二应变量大的方式设置。
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公开(公告)号：CN112420886B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202010017050.6
申请日：2020-01-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 菅原秀人
Abstract: 本发明的实施方式提供发光光谱的半值宽度窄并且长时间工作中的可靠性提高的半导体发光器件。实施方式的半导体发光器件具有基板和多量子阱层。上述多量子阱层设置于上述基板上，包含3个以上的InGaAs阱层和夹在2个InGaAs阱层中的多个势垒层。上述多个势垒层包含混晶比不同的至少2个区域或厚度不同的至少2个区域。
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公开(公告)号：CN110854197B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201811621023.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 实施方式的半导体装置具备：半导体部，包含第1导电型的第1半导体层和第2导电型的第2半导体层；第2电极，设置于上述半导体部的表面上的第1电极；及控制电极，设置于上述半导体部的内面上；设置于上述半导体部和上述第1电极之间。上述第2半导体层在沿上述半导体部的表面的第1方向上，位于上述第1半导体层的一部分和上述第1半导体层的其他的一部分之间。上述半导体部还包含，第2导电型的第3半导体层和第1导电型的第4半导体层。上述第3半导体层具有：位于上述第1半导体层的上述一部分中的第1端部；和位于上述第2半导体层中的第2端部，上述第4半导体层设置于上述第3半导体层的上述第2端部。
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公开(公告)号：CN114765236A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110811090.2
申请日：2021-07-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 菅原秀人
Abstract: 本申请的实施方式的半导体发光装置具备半导体基板和发光层。上述发光层包含在上述半导体基板上交替层叠的量子阱层和阻挡层。上述量子阱层包含具有比上述半导体基板的晶格常数大的晶格常数的第一半导体混晶，并且具有第一应变率与其层厚之积的第一应变量。上述阻挡层包含具有比上述半导体基板的晶格常数小的晶格常数的第二混晶，并且具有第二应变率与其层厚之积的第二应变量。上述量子阱层及上述阻挡层以上述第一应变量比上述第二应变量大的方式设置。
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公开(公告)号：CN103000492B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201210068462.8
申请日：2012-03-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/007
Abstract: 依据一个实施方案，一种执着堆叠的氮化物半导体结构的方法包括在基材的第二表面上形成第一保护薄膜，在基材的第一表面上形成第一氮化物半导体层，在第一氮化物半导体层上形成第二保护薄膜，去除第一保护薄膜，露出基材的第二表面，在基材的第二表面上形成第二氮化物半导体层，和去除第二保护薄膜，露出第二氮化物半导体层的表面。
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公开(公告)号：CN100541836C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200410079795.6
申请日：2001-03-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L25/0756 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 色调偏差小的半导体发光器件及其制造方法。包括半导体发光元件(包含由电流注入发射第一波长的光的有源区)以及至少一个半导体叠层体(结合到上述半导体发光元件上、包含由上述第一波长的光激发、发射第二波长的光的发光层)，将上述第一波长的光与上述第二波长的光混合输出的半导体发光器件。作为制造这种半导体发光器件的方法，提供一种首先采用适合于形成有源区的第一衬底构成上述半导体发光元件，其次采用适合于形成发光层的第二衬底构成上述半导体叠层体，然后将二者结合的方法。
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