公开(公告)号：CN103000492B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201210068462.8

申请日：2012-03-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 甲斐健一郎 ,  菅原秀人

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007

Abstract: 依据一个实施方案，一种执着堆叠的氮化物半导体结构的方法包括在基材的第二表面上形成第一保护薄膜，在基材的第一表面上形成第一氮化物半导体层，在第一氮化物半导体层上形成第二保护薄膜，去除第一保护薄膜，露出基材的第二表面，在基材的第二表面上形成第二氮化物半导体层，和去除第二保护薄膜，露出第二氮化物半导体层的表面。

公开(公告)号：CN103000492A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210068462.8

申请日：2012-03-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 甲斐健一郎 ,  菅原秀人

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007

Abstract: 依据一个实施方案，一种执着堆叠的氮化物半导体结构的方法包括在基材的第二表面上形成第一保护薄膜，在基材的第一表面上形成第一氮化物半导体层，在第一氮化物半导体层上形成第二保护薄膜，去除第一保护薄膜，露出基材的第二表面，在基材的第二表面上形成第二氮化物半导体层，和去除第二保护薄膜，露出第二氮化物半导体层的表面。