公开(公告)号：CN100493275C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200510131433.1

申请日：2005-12-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤本明 ,  浅川钢儿 ,  中西务

IPC: H05B33/00 ,  H05B33/02 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L51/5262 ,  H01L27/3211

Abstract: 在设置有透明衬底的有机EL显示器中，缓冲层设置在透明衬底上，且有机EL元件设置在缓冲层上，缓冲层由具有与EL元件的透明电极的折射率相同的材料形成，并包含具有两个光栅周期的二维衍射光栅。

公开(公告)号：CN100442559C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200610004252.7

申请日：2006-02-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤本明 ,  浅川钢儿

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L2933/0083 ,  H01L2933/0091

Abstract: 本发明提供一种白色LED，其包括：LED芯片，其在蓝宝石基板的一个主面上形成有包含发光层的半导体层叠结构，并发出预定波长的光；光取出膜，其粘贴在基板的另一个主面上，该光取出膜用折射率与所述基板的折射率相差在±5%以内的材料形成，而且处在基板相反一侧的面被形成为凹凸形状；面对所述光取出膜并处在所述基板相反一侧而设置的荧光体，该荧光体因通过光取出膜得到的光的入射而产生白色光。

公开(公告)号：CN100403555C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN02160828.8

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 浅川钢儿 ,  藤本明 ,  杉山仁 ,  大桥健一 ,  铃木启之 ,  户野谷纯一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的：采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜，该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构，然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去，采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。

公开(公告)号：CN1822729A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200510131433.1

申请日：2005-12-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤本明 ,  浅川钢儿 ,  中西务

IPC: H05B33/00 ,  H05B33/02 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L51/5262 ,  H01L27/3211

Abstract: 在设置有透明衬底的有机EL显示器中，缓冲层设置在透明衬底上，且有机EL元件设置在缓冲层上，缓冲层由具有与EL元件的透明电极的折射率相同的材料形成，并包含具有两个光栅周期的二维衍射光栅。

公开(公告)号：CN1819290A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610004252.7

申请日：2006-02-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤本明 ,  浅川钢儿

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L2933/0083 ,  H01L2933/0091

Abstract: 本发明提供一种白色LED，其包括：LED芯片，其在蓝宝石基板的一个主面上形成有包含发光层的半导体层叠结构，并发出预定波长的光；光取出膜，其粘贴在基板的另一个主面上，该光取出膜用折射率与所述基板的折射率相差在±5％以内的材料形成，而且处在基板相反一侧的面被形成为凹凸形状；面对所述光取出膜并处在所述基板相反一侧而设置的荧光体，该荧光体因通过光取出膜得到的光的入射而产生白色光。

公开(公告)号：CN103003918B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201180035598.2

申请日：2011-07-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部繁树 ,  浅川钢儿 ,  中村裕子 ,  北川良太 ,  清野由里子 ,  菅野正洋 ,  比嘉百夏

IPC: H01L21/027 ,  B82B3/00 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3081 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337

Abstract: 本发明提供一种图案形成方法，其能短时间内形成高取向的图案以及在聚合物合金上的相分离结构；还提供聚合物合金基材。提供图案形成方法，该方法包括：将自组装单层和聚合物膜层压在基质上；用能量射线照射所得层压材料以将聚合物膜与自组装单层化学键合，从而在自组装单层膜上形成聚合物表面层；和在聚合物表面层上形成具有在其上形成的相分离结构图案的聚合物合金。

公开(公告)号：CN102194954B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201010520326.9

申请日：2010-09-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤本明 ,  北川良太 ,  堤荣史 ,  浅川钢儿

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/38 ,  H01L33/387 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件、使用其的发光装置以及制造该半导体发光器件的方法。根据实施例的半导体发光器件包括衬底、化合物半导体层、具备特定开口的金属电极层、光提取层以及反电极。光提取层具有20至120nm的厚度，且至少部分地覆盖金属电极层的金属部分；或者光提取层具有褶皱结构，并至少部分地覆盖金属电极层的金属部分。褶皱结构具有凸起，该凸起被设置为它们的顶点之间的间距为100至600nm，且这些顶点从金属电极层的表面起算的高度为200至700nm。

公开(公告)号：CN102741988B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080031490.1

申请日：2010-05-12

Applicant: 株式会社东芝 ,  旭化成电子材料株式会社

Inventor： 浅川钢儿 ,  北川良太 ,  藤本明 ,  白江良章 ,  赖末友裕 ,  池田章彦

IPC: H01L21/312 ,  C08F297/00 ,  C08L25/02 ,  C08L33/06 ,  C08L53/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L33/22

CPC classification number: C08L33/06 ,  C08F220/14 ,  C08F297/02 ,  C08L25/06 ,  C08L35/06 ,  C08L53/00 ,  C08L2205/03 ,  G03F7/0002 ,  H01L2933/0091 ,  C08L2666/02 ,  C08F212/08

Abstract: 本发明提供能够直至光的波长程度稳定地形成图案的图案形成用树脂组合物、使用了该组合物的海岛结构图案的形成方法及实现高发光效率特性的发光元件的制造方法。一种图案形成用树脂组合物，其是包含(a)包含含芳香环的聚合物和聚(甲基)丙烯酸酯作为嵌段部分的规定的嵌段共聚物；(b)规定的含芳香环的聚合物的均聚物；以及(c)规定的聚(甲基)丙烯酸酯的均聚物的图案形成用树脂组合物，其中，含芳香环的均聚物(b)和聚(甲基)丙烯酸酯均聚物(c)的总量相对于该树脂组合物整体的质量比为0质量％～90质量％，并且该嵌段共聚物(a)中作为嵌段部分所含的含芳香环的聚合物部分和含芳香环的均聚物(b)的总量相对于该树脂组合物整体的质量比为10质量％～60质量％。

公开(公告)号：CN103003918A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180035598.2

申请日：2011-07-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部繁树 ,  浅川钢儿 ,  中村裕子 ,  北川良太 ,  清野由里子 ,  菅野正洋 ,  比嘉百夏

IPC: H01L21/027 ,  B82B3/00 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3081 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337

Abstract: 本发明提供一种图案形成方法，其能短时间内形成高取向的图案以及在聚合物合金上的相分离结构；还提供聚合物合金基材。提供图案形成方法，该方法包括：将自组装单层和聚合物膜层压在基质上；用能量射线照射所得层压材料以将聚合物膜与自组装单层化学键合，从而在自组装单层膜上形成聚合物表面层；和在聚合物表面层上形成具有在其上形成的相分离结构图案的聚合物合金。

公开(公告)号：CN102709352A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210054850.0

申请日：2012-03-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤本明 ,  中西务 ,  中村健二 ,  益永久美 ,  浅川钢儿

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0288 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种光电转换元件包括光电转换层以包括层叠的第一金属层、半导体层和第二金属层。此外，第一金属层和第二金属层中的至少一个是具有多个通孔的纳米网状金属或者具有多个彼此分开设置于半导体层上的金属点的点状金属。光电转换层包括长波长吸收层，该长波长吸收层包含的杂质不同于用于半导体层的p型掺杂和n型掺杂的杂质。长波长吸收层位于距离纳米网状金属或者点状金属5纳米内的深度。