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公开(公告)号：CN1453823A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03122138.6
申请日：2003-04-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , G03F7/26 , G03F7/00
CPC classification number: H01L21/0279 , G03F7/0035 , H01L21/0275 , H01L21/0277 , H01L21/0278
Abstract: 一种图案形成方法，包括：在衬底上设置被加工膜；在所述被加工膜上设置抗蚀剂膜；对所述抗蚀剂膜进行构图；覆盖所述构图过的抗蚀剂膜并在所述被加工膜上设置放射线感受性化合物的膜；对所述放射线感受性化合物的膜实施放射线照射和显影处理并使所述抗蚀剂膜的上表面露出，对所述放射线感受性化合物的膜进行构图；以及将所述构图过的放射线感受性化合物的膜作为掩模来除去所述抗蚀剂膜，同时对所述被加工膜进行加工。
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公开(公告)号：CN103003918B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201180035598.2
申请日：2011-07-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , B82B3/00 , G03F7/26 , G03F7/40 , G03F7/42 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/3081 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/0337
Abstract: 本发明提供一种图案形成方法，其能短时间内形成高取向的图案以及在聚合物合金上的相分离结构；还提供聚合物合金基材。提供图案形成方法，该方法包括：将自组装单层和聚合物膜层压在基质上；用能量射线照射所得层压材料以将聚合物膜与自组装单层化学键合，从而在自组装单层膜上形成聚合物表面层；和在聚合物表面层上形成具有在其上形成的相分离结构图案的聚合物合金。
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公开(公告)号：CN103003918A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180035598.2
申请日：2011-07-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , B82B3/00 , G03F7/26 , G03F7/40 , G03F7/42 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/3081 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/0337
Abstract: 本发明提供一种图案形成方法，其能短时间内形成高取向的图案以及在聚合物合金上的相分离结构；还提供聚合物合金基材。提供图案形成方法，该方法包括：将自组装单层和聚合物膜层压在基质上；用能量射线照射所得层压材料以将聚合物膜与自组装单层化学键合，从而在自组装单层膜上形成聚合物表面层；和在聚合物表面层上形成具有在其上形成的相分离结构图案的聚合物合金。
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公开(公告)号：CN100403167C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN03122138.6
申请日：2003-04-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0279 , G03F7/0035 , H01L21/0275 , H01L21/0277 , H01L21/0278
Abstract: 一种图案形成方法，包括：在衬底上设置被加工膜；在所述被加工膜上设置抗蚀剂膜；对所述抗蚀剂膜进行构图；覆盖所述构图过的抗蚀剂膜并在所述被加工膜上设置放射线感受性化合物的膜；对所述放射线感受性化合物的膜实施放射线照射和显影处理并使所述抗蚀剂膜的上表面露出，对所述放射线感受性化合物的膜进行构图；以及将所述构图过的放射线感受性化合物的膜作为掩模来除去所述抗蚀剂膜，同时对所述被加工膜进行加工。
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