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公开(公告)号：CN1674101A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059290.8
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325
Abstract: 本发明涉及磁记录介质和磁记录设备。在衬底上形成一个大粒径底层，其包括选自Cu、Ni或者Rh中的至少一种，具有大于或等于50nm的较大的平均直径的晶粒，(100)晶面的取向平行于衬底表面。然后，在该底层上淀积磁记录层。带有这种结构的磁记录介质在磁性层中表现出了非常小的磁性晶粒，在高纪录密度下具有优良的重写性能和信噪比。
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公开(公告)号：CN1487507A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03154627.7
申请日：2003-07-11
Abstract: 一种磁记录介质包括非磁性基片，在这个基片上有至少一层软磁性下膜、一层控制直接在其上的膜定向的定向控制膜、一层具有基本上垂直于基片的易磁化轴的垂直磁记录膜，和一层保护膜，其中定向控制膜具有形成C11b结构的材料组成。该磁记录介质采用一种方法生产，该生产方法包括按顺序实施以下步骤：至少一个在非磁性基片上形成软磁性下膜的步骤、形成控制直接在其上的膜定向的定向控制膜的步骤、形成具有基本上与基片垂直的易磁化轴的垂直磁记录膜的步骤，和形成保护膜的步骤。一种磁记录和再现设备包括磁记录介质和在磁记录介质上记录和再现信息的磁头，其中磁头是磁单极头。
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公开(公告)号：CN104465817A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410478173.4
申请日：2014-09-18
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L27/14601 , H01L27/14643 , H01L31/028 , H01L31/03044 , H01L31/035209 , H01L31/035227 , H01L31/06 , Y02E10/547
Abstract: 本公开提供了含有半导体和分散于其中的多个含金属微小结构的光电转换层。所述微小结构是包含金属材料(α)的微小结构(A)或否则包含金属材料(α)和材料(β)的微小结构(B)，所述材料(β)选自由不同于所述金属材料(α)和所述半导体中的任一个的物质的氧化物、氮化物和氧氮化物组成的组。在所述微小结构(B)中，所述材料(β)在所述金属材料(α)的表面上。所述微小结构中的每一个都具有基于当从特定方向观察时的投影面积的1nm到10nm且包括端值的等圆直径。在该方向上，所述微小结构具有最小总投影面积。相邻两个所述微小结构之间的最近距离是3nm到50nm且包括端值的。本公开还提供了所述光电转换层于太阳能电池、光电二极管和图象传感器的应用。
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公开(公告)号：CN1294561C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200410007300.9
申请日：2004-02-27
Abstract: 本申请公开了一种磁记录介质和磁记录/再现设备。其中形成一个多层(4)，其包括磁记录层(2)和高磁致形变层(3)，后者具有大于磁记录层(10)的磁致形变常数。
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公开(公告)号：CN1282163C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200410007277.3
申请日：2004-02-27
CPC classification number: G11B5/732 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 磁记录介质和包含该磁记录介质的磁记录/再现装置，其中磁记录介质包含具有粒状结构的取向控制层(3)，该取向控制层在衬底(1)和磁记录层(4)之间形成并包含基底材料和分散在基底材料上的颗粒并且具有小于颗粒粒径的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1270294C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN03154627.7
申请日：2003-07-11
Abstract: 一种磁记录介质包括非磁性基片，在这个基片上有至少一层软磁性下膜、一层控制直接在其上的膜定向的定向控制膜、一层具有基本上垂直于基片的易磁化轴的垂直磁记录膜，和一层保护膜，其中定向控制膜具有形成C11b结构的材料组成。该磁记录介质采用一种方法生产，该生产方法包括按顺序实施以下步骤：至少一个在非磁性基片上形成软磁性下膜的步骤、形成控制直接在其上的膜定向的定向控制膜的步骤、形成具有基本上与基片垂直的易磁化轴的垂直磁记录膜的步骤，和形成保护膜的步骤。一种磁记录和再现设备包括磁记录介质和在磁记录介质上记录和再现信息的磁头，其中磁头是磁单极头。
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公开(公告)号：CN1538390A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031899.X
申请日：2004-03-31
IPC: G11B5/62
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656
Abstract: 本文公开了垂直磁记录介质和磁记录/再现装置。一种垂直磁记录介质(10)，在垂直磁记录层(4)之下形成了一个内涂层(3)，它具有若干晶体颗粒和一种含有碳化物或硼化物的颗粒边界材料，在上述内涂层(3)之下形成了另一个内涂层(2)，它含有形成晶体颗粒的元素之一。通过进一步缩小垂直磁记录层(4)的颗粒尺寸，它能够进行高密度记录。
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公开(公告)号：CN1505006A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310118358.6
申请日：2003-11-25
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656 , G11B5/84
Abstract: 本发明涉及垂直磁记录介质、其制造方法以及磁记录－再现装置，其中的垂直磁记录介质(10)包括在280－450℃下用磁层形成材料形成的垂直磁层(2)，所述磁层形成材料包含至少一种从包括钴、铂、铬、钼和钨的组中选择的添加成分，垂直磁层(2)构造为包括相互之间被晶粒边界分离开的多个磁晶粒，并且提供在晶粒边界中偏析所述添加成分的垂直磁层(2)。
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公开(公告)号：CN105321536A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410742709.9
申请日：2014-12-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/732
Abstract: 本发明提供可获得磁性微粒的良好的晶体取向性和低粒径分散、具有良好的记录再现特性且可以实现高密度记录的磁记录介质以及磁记录再现装置。实施方式的磁记录介质在非磁性基板上具有；取向控制层，其包含具有fcc结构的Ni合金或者Ag合金；非磁性种子层，其包含Ag、Ge和选自包括Al、Mg、Au及Ti的组中的金属X；非磁性中间层，其包含Ru或者Ru合金；以及磁记录层。取向控制层与非磁性种子层接触。
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公开(公告)号：CN105280200A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410720604.3
申请日：2014-12-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/84 , G11B5/7305 , G11B5/733 , G11B5/855
Abstract: 本发明的实施方式提供能够得到基板与粒子之间的良好密合性的磁记录介质的制造方法。实施方式涉及的磁记录介质的制造方法包括：在基板上形成熔敷层，在熔敷层上形成含有硅的保持层，使用含有能够与熔敷层熔敷的金属的粒子在保持层上形成单粒子层，使用含有氢氟酸和过氧化氢的蚀刻溶液对保持层中的二氧化硅进行蚀刻，将粒子埋入保持层内直到与熔敷层接触，通过加热使粒子与熔敷层熔敷，以及在单粒子层上形成磁记录层。
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