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公开(公告)号：CN101017668A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710005511.2
申请日：2007-02-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3163 , G11B5/3929 , G11B2005/3996 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F10/3281 , H01F41/303 , H01F41/325
Abstract: 一种用于制造磁阻效应元件的方法，该磁阻效应元件具有依次层叠的磁化固定层、非磁性中间层以及磁化自由层。该方法包括：形成将成为磁化固定层或磁化自由层之一的至少部分磁性层；形成功能层，该功能层包括位于该磁性层的部分上的氧化物、氮化物以及氟化物中的至少一种；以及通过将功能层暴露于离子束辐射或等离子体辐射之一从而去除部分功能层。
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公开(公告)号：CN1278306C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200310124302.1
申请日：2003-12-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/00 , G11B5/313 , G11B5/3143 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/30 , H01F10/3254 , H01F10/3268
Abstract: 一种磁电阻元件，包括磁电阻薄膜，所述磁电阻薄膜具有磁化方向基本上被钉扎在一个方向的磁化被钉扎层；磁化自由层，所述磁化自由层的磁化方向可以根据外磁场自由改变；以及非磁性中间层，所述非磁性中间层形成在磁化被钉扎层和磁化自由层之间并具有第一非金属中间层/金属中间层/第二非金属中间层的叠置结构。所述磁电阻元件还包括一对电极薄膜，所述电极薄膜设置成允许电流沿基本上垂直于磁电阻薄膜表面的方向流动并电连接到磁电阻薄膜上。
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公开(公告)号：CN1674094A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510053078.0
申请日：2005-03-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B2005/3996 , H01F10/3259 , H01F10/3272 , H01F41/325
Abstract: 磁电阻元件具有磁化受钉扎层、包括非磁性金属层、增加电阻层和另一个非磁性金属层叠层的非磁性间隔层、具有fcc晶体结构的磁化自由层、具有fcc、hcp或bcc晶体结构并且具有比磁化自由层更大的最近邻原子之间原子间距的磁化自由层，以及一对电极，提供所述电极从而在基本上垂直于磁化受钉扎层、非磁性间隔层、磁化自由层和盖层的平面的方向上供应检测电流。
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公开(公告)号：CN1637859A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410094160.3
申请日：2004-12-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3272 , B82Y25/00 , G11B5/39 , G11C11/16 , H01F10/3259 , H01F10/3263 , H01F41/325
Abstract: 提供一种磁致电阻效应元件、磁头、磁再生装置和磁存储器。该磁致电阻效应元件可控制晶体取向性和晶粒粒径，可实现高的磁致电阻变化量。该一种磁致电阻效应元件，其特征在于包括：磁致电阻效应膜，该磁致电阻效应膜具有：磁化方向实质上固定在一个方向上的磁化固定层、在上述磁化固定层上形成的非磁性金属中间层、在上述非磁性金属中间层上形成的具有磁化方向随外部磁场变化的磁性体膜的磁化自由层，且上述磁化固定层或非磁性中间层包含调节电阻的绝缘部；以及用来在与上述磁致电阻效应膜的膜面大致垂直的方向上通检测电流的电气连接的一对电极，且上述磁化自由层包含晶体结构是体心立方晶格的体心立方晶格层，上述体心立方晶格层的厚度≥2nm。
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公开(公告)号：CN1137466C
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN98108804.X
申请日：1998-04-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , Y10S428/90 , Y10T428/1107
Abstract: 本发明涉及一种交换结合膜，使用了该交换结合膜的磁阻效元件，使用了该磁阻效应元件的磁头和使用了所述光换结合膜的磁存储装置。本发明的交换结合膜，具有RMn合金和RMnFe合金等反强磁性膜构成的反强磁性膜(R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru和Cu中的至少一种)和与该反强磁性膜层叠的强磁性膜。反强磁性膜进行面内取向。而且反强磁性膜具有5nm以上的粗大晶粒直径。该反强磁性膜，例如使用氧含量为重量百分比1%以下的合金靶进行成膜而得到。使用这样的反强磁性膜的交换结合膜具有良好的耐蚀性和热特性，而且在室温和高温区显示大的交换结合力。交换结合膜设置用于在强磁性膜中进行电流通电的电极。
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公开(公告)号：CN113889152B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202110214042.5
申请日：2021-02-26
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于第1磁极与第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第3磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第3磁性层之间的第2非磁性层及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。沿第2方向的第1磁极的第1磁极长度比沿第2方向的第2磁极的第2磁极长度短，第2方向相对于从第1磁性层向第2磁性层的第1方向垂直且沿第1磁极的介质对置面。沿第3方向的第1磁性层的长度比沿第3方向的第2磁性层的长度长，第3方向相对于第1方向垂直。
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公开(公告)号：CN112614517B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202010933146.7
申请日：2020-09-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头以及磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头和电气电路。磁头包括磁极、第1屏蔽件、和设置在磁极与第1屏蔽件之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、第2磁性层、设置在第1磁性层与第2磁性层之间的第1层以及设置在第1磁性层与第1层之间的第1非磁性层，所述第1层包含选自由Ta、Zr、Hf、Mo、W、Tc、Re、Ru、Rh、Os、Ir、Pd、Pt、Mn、Cr、V、Ti、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、GD、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中的至少一种。电气电路向层叠体供给电流。
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公开(公告)号：CN114550754A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110947763.7
申请日：2021-08-18
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/39
Abstract: 提供能够进行稳定的动作的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、及层叠体。层叠体包括第1磁性部件、设置于第1磁性部件与第2磁极之间的第2磁性部件、及设置于第1磁性部件与第2磁性部件之间且包含选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个的第1层。第1磁性部件包括多个第1磁性区域和第1非磁性区域。第1非磁性区域包含选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个。多个第1磁性区域包含选自由Fe、Co及Ni构成的群的至少1个。第1层的沿着第1方向的厚度比第1非磁性区域的沿着第1方向的厚度厚。
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公开(公告)号：CN113763993A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110210042.8
申请日：2021-02-25
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: G11B5/127
Abstract: 本公开提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和层叠体。层叠体包括第1～第3磁性层和第1～第4非磁性层。第1磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个。第2磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个。第3磁性层包括第1元素和第2元素，第1元素包括Fe、Co及Ni中的至少1个，第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个。
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公开(公告)号：CN113129932A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010950143.4
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高记录密度的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括记录部。所述记录部包括磁极、屏蔽件以及设置在所述磁极与所述屏蔽件之间的层叠体。所述层叠体包括：第1磁性层；第1层，其设置在所述第1磁性层与所述磁极之间，与所述磁极相接，包含选自IrMn、PtMn、FeMn、PdMn、NiMn、RhMn、MnCr以及PtCr中的至少一种；以及第1中间层，其设置在所述第1磁性层与所述屏蔽件之间，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Cr以及Ru构成的第1组中的至少一种。
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