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公开(公告)号：CN118100098A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410225970.5
申请日：2021-01-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 一种能应用于多种使用方案的半导体装置。半导体装置具备：半导体封装，半导体封装具有具备第一电极、第二电极和第一控制电极的n型沟道常断晶体管、具有电连接于第二电极的第三电极、第四电极和第二控制电极的常通晶体管、具有电连接于第二控制电极的第一阳极和电连接于第三电极的第一阴极的第一二极管及具有电连接于第一电极的第二阳极和电连接于第二电极的第二阴极的齐纳二极管；第一端子，设于半导体封装，电连接于第一电极；多个第二端子，电连接于第一电极，排列于第一方向上；第三端子，电连接于第四电极；多个第四端子，电连接于第一控制电极，排列于第一方向上；以及多个第五端子，电连接于第二控制电极，排列于第一方向上。
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公开(公告)号：CN114242712A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110878854.X
申请日：2021-08-02
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L29/778 , H01L29/78
Abstract: 实施方式的半导体装置具备：第一氮化物半导体层，具有第一面和第二面；第一源极电极，设置于第一面；第一漏极电极，设置于第一面；第一栅极电极，设置于第一源极电极与第一漏极电极之间的第一面；第二氮化物半导体层，设置于第二面，具有第三面和第四面，与第一氮化物半导体层相比带隙小，该第三面与第二面对置；以及第一半导体器件，设置于第四面，具有为第四面以下的大小且与第四面对置的第五面，包含与第二氮化物半导体层相比带隙的第一半导体材料。
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公开(公告)号：CN102299078A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110053043.2
申请日：2011-03-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/336 , H01L21/266 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/0865 , H01L21/2815 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/66734
Abstract: 半导体器件的制造方法，形成将第1半导体区域的表面选择性地开口的掩膜。蚀刻在掩膜的开口部分露出的第1半导体区域，贯通第1半导体区域，形成到达第1导电型的半导体层的沟槽。扩大掩膜的开口，使第1半导体区域的表面的一部分露出。在沟槽内隔着绝缘膜形成控制电极。用掩膜选择性地遮蔽第1半导体区域，在第1半导体区域的一部分注入第1导电型的杂质，在第1半导体区域的表面选择性地形成第1导电型的第2半导体区域。去除开口被扩大的掩膜。在形成有第2半导体区域的部分以外的第1半导体区域注入第2导电型的杂质，在第1半导体区域的表面选择性地形成具有比第1半导体区域的杂质浓度高的杂质浓度的第2导电型的第3半导体区域。
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公开(公告)号：CN1430289A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN02160870.9
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/74 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/7802
Abstract: 一种半导体器件包括一层形成于第一导电类型的半导体层内的扩散区。该扩散区包括分别为第一和第二导电类型的第一和第二杂质扩散区。该扩散区所具有的第一和第二区由第一和第二杂质扩散区的杂质浓度所决定，在第一区与第二区之间的结被形成于其中第一和第二杂质扩散区彼此重叠的部分中。第一或第二区在半导体层的平面方向内杂质浓度的周期小于用于组成第一或第二区的第一和第二杂质扩散区在半导体层的平面方向内的最大宽度。
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公开(公告)号：CN113270487B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202010854186.2
申请日：2020-08-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 小林仁
IPC: H01L29/417 , H01L29/778
Abstract: 提供的低电阻的半导体装置具备：第1及第2氮化物半导体层及设于它们间的氮化物绝缘层；多个第1～第4漏极电极及多个第1及第2源极电极，各自的一部分设于氮化物绝缘层之上及之下，在第1方向上分别隔开第1、第2、第5、第6、第9、第10长度；多个第2漏极电极在第1、第2方向上从多个第1漏极电极分别偏移第3、第4长度；多个第3漏极电极在第2方向上与多个第1及第2漏极电极分别隔开；多个第4漏极电极在第1、第2方向上分别从多个第3漏极电极偏移第7、第8长度，从多个第1、第2漏极电极分别隔开；多个第2源极电极在第1、第2方向上从多个第1源极电极分别偏移第11、第12长度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117747639A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211664373.X
申请日：2022-12-23
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有：半导体层；第一绝缘膜，设置于半导体层上；第一电极膜，设置于第一绝缘膜上；第二电极膜，设置于第一电极膜上；以及第一场板电极，设置于第二电极膜上，第一场板电极的下端相比于第一电极膜的与第一绝缘膜接触的第一面而位于第二电极膜侧的第二面。
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公开(公告)号：CN115810624A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202210076987.X
申请日：2022-01-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式提供一种能够抑制因漏极电极与基板之间的基板电容引起的振铃的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一端子；第二端子；第一芯片，具有与所述第二端子电连接的基板、设置在所述基板上的氮化物半导体层、设置在所述氮化物半导体层上并与所述第一端子电连接的第一漏极电极、设置在所述氮化物半导体层上并与所述第二端子电连接的第一源极电极、以及所述第一漏极电极与所述基板之间的基板电容；以及电阻部，串联连接在所述第一漏极电极与所述第二端子之间的包括所述基板电容的路径上。
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公开(公告)号：CN114256344A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110022665.2
申请日：2021-01-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/06
Abstract: 提供可靠性优异的半导体装置，从下到上具备：第一氮化物半导体层、带隙更大的第二氮化物半导体层、电连接于第一氮化物半导体层的第一电极，还具备：第一氮化物半导体层之上且与其电连接的第二电极；第一电极与第二电极间的栅极电极；栅极电极上且与其电连接的栅极场板电极；第一场板电极，位于第二氮化物半导体层上且栅极场板电极与第二电极间，与第一电极电连接；以及位于第一场板电极与栅极场板电极间且与第一电极电连接的第二场板电极。第二场板电极的底面与第一氮化物半导体层的距离，比栅极场板电极的最向第二电极侧突出的部分的底面与第一氮化物半导体层的距离短，比第一场板电极的第一电极侧的端面的底部与第一氮化物半导体层的距离短。
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公开(公告)号：CN114188411A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110023207.0
申请日：2021-01-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L27/085 , H01L23/528
Abstract: 提供输出电容小的半导体装置，从下到上具备：基板；第一氮化物半导体层；带隙更大的第二氮化物半导体层；第一源极电极；第二源极电极，还具备：设于第一源极电极与第二源极电极间的第二氮化物半导体层之上的第一栅极电极；设于第二源极电极与第一栅极电极间的第二氮化物半导体层之上的第二栅极电极；漏极电极，设于第一栅极电极与第二栅极电极间的第二氮化物半导体层之上，具有第一布线、设于第二栅极电极与第一布线间的第二布线、设于第一布线与第二布线间的下方的第二氮化物半导体层的元件分离区域、和设于第一布线、第二布线以及元件分离区域之上并与第一布线以及第二布线电连接的第四布线；以及设于元件分离区域与第四布线间的绝缘膜。
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公开(公告)号：CN113270487A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010854186.2
申请日：2020-08-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Inventor： 小林仁
IPC: H01L29/417 , H01L29/778
Abstract: 提供的低电阻的半导体装置具备：第1及第2氮化物半导体层及设于它们间的氮化物绝缘层；多个第1～第4漏极电极及多个第1及第2源极电极，各自的一部分设于氮化物绝缘层之上及之下，在第1方向上分别隔开第1、第2、第5、第6、第9、第10长度；多个第2漏极电极在第1、第2方向上从多个第1漏极电极分别偏移第3、第4长度；多个第3漏极电极在第2方向上与多个第1及第2漏极电极分别隔开；多个第4漏极电极在第1、第2方向上分别从多个第3漏极电极偏移第7、第8长度，从多个第1、第2漏极电极分别隔开；多个第2源极电极在第1、第2方向上从多个第1源极电极分别偏移第11、第12长度。
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