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公开(公告)号：CN103715345A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201410026124.7
申请日：2011-06-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/16 , H01L2933/0058
Abstract: 根据一个实施例，一种光学半导体装置，包括发光层、透明层、第一金属柱、第二金属柱和密封层。发光层包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极。第二主表面是与第一主表面相对的表面，且第一电极和第二电极形成在第二主表面上。透明层设置在第一主表面上。第一金属柱设置在第一电极上。第二金属柱设置在第二电极上。密封层设置在第二主表面上。该密封层被配置为覆盖发光层的侧表面，并且密封第一金属柱和第二金属柱，而使第一金属柱的端部和第二金属柱的端部暴露在外。
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公开(公告)号：CN103415937A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201180068665.0
申请日：2011-09-12
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L2924/0002 , H01L2933/0066 , H05K1/181 , H05K2201/10106 , H05K2201/10454 , H01L2924/00
Abstract: 根据一个实施例，发光器件(10)包括半导体层(15)、p侧电极(16)、n侧电极(17)、第一绝缘层(18)、p侧互连层(21)、n侧互连层(22)和第二绝缘层(25)。第二p侧互连层(21)的部分具有L形截面，其被配置成包括在第三表面(30)处从第一绝缘层(18)和第二绝缘层(25)暴露出的p侧外部端子(23a)，所述第三表面具有不同于第一表面和第二表面的平面取向。第二n侧互连层的部分具有L形截面，其被配置成包括在第三表面(30)处从第一绝缘层(18)和第二绝缘层(25)暴露出的n侧外部端子(24a)。
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公开(公告)号：CN103035826A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210433703.4
申请日：2012-09-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/56
CPC classification number: H01L33/56 , H01L27/15 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明为半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，制备发出光的发光单元、包括荧光体并且被提供在发光单元的主表面上的波长变换单元、以及提供在波长变换单元的顶部上的透明树脂。透明树脂比波长变换单元具有大的弹性模量和/或高的肖氏硬度。
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公开(公告)号：CN101277580B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200810090518.3
申请日：2008-03-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32137 , H01J37/32165
Abstract: 本发明提供一种在平行平板型等离子处理装置中具有适于基板加工的离子能量，还可使该离子能量宽度减小来精细控制加工形状的基板的等离子处理装置。等离子处理装置构成为包括：内部保持真空的室；配置于其内部、并构成为在主面上保持要处理的基板的RE电极；以及与该RF电极相对配置的对置电极；用于对所述RE电极外加规定频率的RE电压的RE电压外加装置；以及用于对所述RF电极外加规定的脉冲电压以便其与所述RF电压叠加的脉冲电压外加装置。所述脉冲电压外加装置具有调整所述脉冲电压的所述外加的定时、并设定不外加所述脉冲电压的停止时间的控制机构。
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公开(公告)号：CN102683557A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210068814.X
申请日：2012-03-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/508 , H01L33/0079 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L2933/0016 , H01L2933/0041
Abstract: 根据一个实施方案，半导体发光装置包括发光部和波长转换部。配置所述发光部以发光。所述波长转换部设于所述发光部的一个主表面侧上。所述波长转换部含有磷光体。所述波长转换部的磷光体的量的分布基于从所述发光部发出的光的波长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102336392B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201110253951.6
申请日：2009-02-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B2201/0221 , B81B2203/04 , B81C1/00476
Abstract: 本发明涉及一种构建到半导体集成电路中的电器件。基底包括功能元件。绝缘的第一膜与基底一起形成容纳功能元件的腔体并且包括多个通孔。绝缘的第二膜覆盖所述多个通孔，形成在第一膜上，并且其透气性高于第一膜的透气性。绝缘的第三膜形成在第二膜上，并且其透气性低于第二膜的透气性。
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公开(公告)号：CN102270710B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201110192487.4
申请日：2011-06-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/508 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 半导体发光装置的制造方法具备在含有半导体层、第一电极、第二电极、第一绝缘层的层叠体的第一绝缘层的第一开口部，形成第一布线层的工序，第一绝缘层具有与第二电极相连的第二开口部；在第一绝缘层的第二开口部形成第二布线层的工序；在与第一布线层上的第一电极相对的相反侧的面上，形成第一金属柱的工序；在与第二布线层的第二电极相对的相反侧的面上，形成第二金属柱的工序；在第一金属柱的侧面和第二金属柱的侧面之间形成第二绝缘层的工序；基于从第一主面侧得到的光的发光光谱，在选自多个半导体层的半导体层的第一主面上形成对于光呈透明的透明材料的工序；在透明材料上及多个半导体层的第一主面上，形成荧光体层的工序。
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公开(公告)号：CN104617203A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410812272.1
申请日：2011-06-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/16 , H01L2933/0058
Abstract: 根据一个实施例，一种光学半导体装置，包括发光层、透明层、第一金属柱、第二金属柱和密封层。发光层包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极。第二主表面是与第一主表面相对的表面，且第一电极和第二电极形成在第二主表面上。透明层设置在第一主表面上。第一金属柱设置在第一电极上。第二金属柱设置在第二电极上。密封层设置在第二主表面上。该密封层被配置为覆盖发光层的侧表面，并且密封第一金属柱和第二金属柱，而使第一金属柱的端部和第二金属柱的端部暴露在外。
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公开(公告)号：CN104465970A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410407696.X
申请日：2014-08-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/60
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/385 , H01L33/42 , H01L33/502
Abstract: 有关实施方式的半导体发光装置具备包含发光层在内的层叠体、设在上述层叠体之上的第1及第2电极、将上述层叠体、上述第1及第2电极覆盖的绝缘层、电连接在上述第1电极上的第1再配线、电连接在上述第2电极上的第2再配线、和将上述层叠体的侧面覆盖的遮光部。上述第1再配线、上述第2再配线及上述遮光部在与上述绝缘层接触的面上包含对于上述发光层的放射光的反射率为80％以上的部件。
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公开(公告)号：CN103828053A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280044655.8
申请日：2012-03-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/153 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/0079 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L51/50 , H01L2224/24 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
Abstract: 公开了一种包括多个芯片（3）半导体发光器件（10a）。每一个所述芯片（3）包括：半导体层（15），所述半导体层（15）具有第一面（15a）、形成在与所述第一面（15a）相对的一侧的第二面、以及发光层（12a）；以及被设置在所述第二面上的p侧电极（16）和n侧电极（17），并且每一个所述芯片（3）彼此分离开。p侧外部端子（23a）是电连接至所述第二面一侧上的至少一个所述芯片（3）的所述p侧电极（16）的p侧金属柱（23）的端面。n侧外部端子（24a）是电连接至所述第二面一侧上的至少一个所述芯片（3）的所述n侧电极（17）的n侧金属柱（24）的端面。层（25）将p侧金属柱（23）与n侧金属柱（24）分离开，并且具有比所述半导体层（15）的硬度更低的硬度。
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