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公开(公告)号：CN113053161A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110262895.6
申请日：2021-03-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Inventor： 董志华
Abstract: 本发明公开了一种基于新一代移动通信物联网的数字车位系统及其工作方法，包括手机端、云管理平台和车位端，其中，所述云管理平台与手机端和车位端分别连接，所述手机端为用户提供车位查询、车位预约、车位导航和停车缴费信息；所述云管理平台分析各停车位占用信息给出用户停车建议，并管理分析用户账户和停车记录；所述车位端感知当前车位的状态信息并上传到云管理平台。本发明通过将车位升级成车位端，并配套相应的数字车位系统，使得可以将社会中的公共车位统一管理，解决了停车难的问题。
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公开(公告)号：CN113042022A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011566019.4
申请日：2020-12-25
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种能够在可见光照射下降解污染物的TiO2的制备方法，具体制备方法如下：将钛酸四丁酯和无水乙醇按照一定比例配置并搅拌均匀形成溶液A；将浓酸和超纯水按照一定比例配置形成溶液B；在不断搅拌下将溶液B逐滴加入溶液A中，然后将此混合溶液再持续搅拌30min；将搅拌均匀的混合溶液转移到水热釜中，密封水热釜并在一定的温度下加热一定的时间进行反应；待反应完全且水热釜冷却至室温后，将里面的溶液用离心机高速离心洗涤数次，得到白色凝胶，将此凝胶放入鼓风干燥箱中进行干燥处理，最后即可得到TiO2样品。本发明制备的样品大小分布均匀，在可见光下表现出很好的催化性能，且制备方法简单，成本较低。
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公开(公告)号：CN109037062B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810688668.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L35/28 , H01L35/32
Abstract: 本发明公开了一种具有温差发电机构的III‑V HEMT器件，包括源极、栅极、漏极、第一半导层、第二半导体层、第一金属层、N型热电材料、P型热电材料、第二金属层、第三金属层、电绝缘的热良导体散热层、电阻和二极管；而本发明在器件中引入了温差发电机构，回收了现有器件沟道中被浪费的能量，提高了器件的效率，减小了能量的损失，具有节约能源的优势。
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公开(公告)号：CN111430242A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010163797.2
申请日：2020-03-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L23/373 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开一种散热集成半导体晶体管及其制备方法，该方法包括步骤：在半导体衬底的正面沉积电极层，形成半导体晶体管；对半导体晶体管的表面进行预处理，以增加半导体晶体管表面的形核密度；在半导体晶体管的表面沉积纳米级金刚石层；在纳米级金刚石层的表面沉积微米级金刚石层，形成散热集成半导体晶体管。通过本发明方案，可以有效提升半导体晶体管的散热效率，通过实验表明，相同尺寸下，使用金刚石集成设计的半导体晶体管将拥有更大的功率密度。
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公开(公告)号：CN110844939A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911096768.2
申请日：2019-11-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种硫化钼碳纳米球碳纳米纤维复合电极材料及其制备方法，包括以下步骤：步骤S1，制备钼酸钠/硫脲/葡萄糖/细菌纤维素水凝胶复合材料；步骤S2，将钼酸钠/硫脲/葡萄糖/细菌纤维素水凝胶复合材料中的钼酸钠/硫脲转化成二硫化钼，葡萄糖转化为碳纳米球，细菌纤维素转化为碳纳米纤维以作为超级电容器电极材料。采用本发明的技术方案，能够构造出碳纳米纤维网状结构，并且结构中的二硫化钼沿碳纳米纤维生长，与二硫化钼/碳纳米纤维结构对比，添加的葡萄糖能够转化成碳纳米球，增加电极中的电子导电性，提高电极中电子的传输效率。该技术方案可以提供一种新型的制造电极材料的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110311640A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910570054.4
申请日：2019-06-27
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种宽带混合F/J类功率放大器及其设计方法，包括输入匹配模块、偏置电路模块、晶体管、混合谐波控制模块，输出基波匹配模块，其中，混合谐波控制模块与晶体管的输出端相连接，采用多点混合谐波控制匹配实现至少三个频率点的谐波阻抗控制，其中，控制中间频率点的二次谐波阻抗短路同时三次谐波阻抗开路，以实现F类功率放大器的特征；以及控制另外两个频率点的二次谐波短路，以实现J类功率放大器的特征。实现功率放大器混合；输出基波匹配模块与混合谐波控制模块相连接，用于将谐波控制电路后的阻抗匹配至负载阻抗，以实现最大效率传输。采用本发明的技术方案，能够使功率放大器在宽带下保证高效率以及平坦度。
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公开(公告)号：CN106374863B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201610888767.1
申请日：2016-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种提高功率回退动态范围的Doherty功率放大器及其实现方法，包括等分威尔金森功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和新型负载调制网络，其中，等分威尔金森功分器用于将输入功率进行等分后分别输出给载波功率放大电路和峰值功率放大电路，载波功率放大电路的输出端接86.6欧四分之一波长阻抗变换器T1，并与峰值功率放大电路的输出端相连接将功率合路输出给负载。相对于现有技术，本发明通过改进传统Doherty功率放大器的负载调制网络，增大低输入功率状态下主功放的负载阻抗，提高了Doherty功放的高效率功率回退范围。
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公开(公告)号：CN108493110A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810405243.1
申请日：2018-04-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L23/58
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L23/58 , H01L29/7786
Abstract: 本发明公开了一种利用全固态电池实现增强型III-V HEMT器件的方法，在衬底上依次形成第二半导体层和第一半导体层并在所述第二半导体层和第一半导体层之间形成异质结构；源电极和漏电极通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；栅电极用于控制所述异质结构中二维电子气的导通或断开；还包括设置在所述源电极和栅电极之间的全固态电池，所述全固态电池由至少1组电池单元串联或串并联构成，用于使异质结构相应区域中二维电子气耗尽。本发明能有效实现增强型工作模式，此外，全固态电池是与微纳加工工艺兼容的，可以在器件的工艺过程中一次完成。同时，器件的阈值电压可通过串联固态电池的单元数来改变。
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公开(公告)号：CN104733522B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201510160791.9
申请日：2015-04-07
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT压力传感器工艺实现方法，采用MOCVD或MBE方法在蓝宝石衬底上外延生长出单晶h‑BN移除层；然后在h‑BN移除层上外延常规的AlGaN/GaN HEMT结构层；在帽层上形成AlGaN/GaN HEMT的栅极、源极和漏极；把AlGaN/GaN HEMT器件的正面朝下粘贴在陶瓷载体上；施以外力克服h‑BN的范德瓦耳斯力将蓝宝石衬底剥离掉；把AlGaN/GaN HEMT器件的反面朝下粘贴在开有孔洞的金属铜衬底上。本发明通过h‑BN移除层可以转移器件的衬底，避免腐蚀工艺，使得器件可以生长在除外延材料质量硬度高的蓝宝石衬底上。
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公开(公告)号：CN106876467A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710087137.9
申请日：2017-02-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/45 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直沟道的MISFET(金属‑绝缘介质半导体场效应管)器件及其制备方法。所述MISFET器件包括源极、漏极、栅极以及MIS结构，所述MIS结构的轴线基本垂直于一选定平面，所述MIS结构包括半导体结构和环绕半导体结构设置的绝缘介质，且在所述半导体结构和绝缘介质的界面处形成有沟道，所述源极与漏极经所述沟道电连接，所述栅极分布于源极和漏极之间。本发明的MISFET器件具有栅控能力好、工作频率高，工艺难度低，易于制作，成品率高等优点。
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