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公开(公告)号:CN105027436B
公开(公告)日:2018-04-24
申请号:CN201480009131.4
申请日:2014-02-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25 , H01L21/683 , H03H3/08 , H03H9/145
CPC classification number: H01L21/6835 , B32B7/02 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B9/005 , B32B9/04 , B32B18/00 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/283 , B32B37/10 , B32B38/10 , B32B2264/105 , B32B2307/20 , B32B2307/206 , B32B2307/538 , B32B2309/02 , B32B2309/105 , B32B2457/00 , B32B2457/14 , H01L21/78 , H01L41/1873 , H03H3/08 , H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/25 , Y10T428/12597
Abstract: 一种复合基板10,其是将压电基板12与热膨胀系数比压电基板12低的支撑基板14粘合在一起所形成的复合基板。支撑基板14通过以刀片可剥离的强度将由相同材料制成的第1基板14a和第2基板14b以直接接合方式接合在一起来形成,并以第1基板14a中的第1基板14a与第2基板14b的接合面的相反一侧的表面,与压电基板12粘合在一起。
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公开(公告)号:CN105074868A
公开(公告)日:2015-11-18
申请号:CN201480009140.3
申请日:2014-02-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , H03H3/08 , H03H9/145 , H03H9/25
CPC classification number: H01L21/6835 , B32B7/02 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B9/005 , B32B9/04 , B32B18/00 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/283 , B32B37/10 , B32B38/10 , B32B2264/105 , B32B2307/20 , B32B2307/206 , B32B2307/538 , B32B2309/02 , B32B2309/105 , B32B2457/00 , B32B2457/14 , H01L21/78 , H01L41/1873 , H03H3/08 , H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/25 , Y10T428/12597
Abstract: 复合基板(10)由半导体基板(12)和绝缘性的支撑基板(14)粘合而成。支撑基板(14)为由相同绝缘材料制作的第1基板(14a)和第2基板(14b)以用刀片可剥离的强度接合而成,半导体基板(12)粘合在第1基板(14a)中与第2基板(14b)的接合面相反一侧的表面上。
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公开(公告)号:CN103999366A
公开(公告)日:2014-08-20
申请号:CN201380003307.0
申请日:2013-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/0838 , H01L41/312 , H03H9/02574
Abstract: 本发明的复合基板是压电基板与支承基板介由含Ar的非晶层接合而成的复合基板,所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板,所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层从压电基板向着复合基板,具有第1层、第2层及第3层。其中,第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素(Ta等),第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素(Si),第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
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公开(公告)号:CN203851109U
公开(公告)日:2014-09-24
申请号:CN201320884800.5
申请日:2013-12-30
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
IPC: H03H9/19
Abstract: 本实用新型涉及复合基板(10),其具备压电基板(12)和支撑基板(14)。压电基板(12)和支撑基板(14)的相互的定位平面(12a)、(14a)所呈的角度θ为2°~60°。另外,在沿着相互的连接面的方向中,将沿压电基板(12)的定位平面(12a)的方向设为第1方向,将与第1方向垂直的方向设为第2方向时,相互的中心(12b)、(14b)在第1方向上的距离即第1距离D1、在第2方向上的距离即第2距离D2的其中一个为超过压电基板(12)的直径的0%且在1%以下,另一个为压电基板(12)的直径的0%以上1%以下。压电基板(12)和支撑基板(14)通过含有Ar的非晶体层而连接。支撑基板(14)是硅制的,并且在方位(111)面上与压电基板(12)连接。
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