公开(公告)号：CN101976686A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010504353.7

申请日：2006-06-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫本广信 ,  安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  大田一树 ,  分岛彰男 ,  笠原健资 ,  村濑康裕 ,  松永高治 ,  山之口胜己 ,  岛胁秀德

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/802 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管。所述场效应晶体管在高压操作以及高频特性方面表现出良好性能。在包括第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)的场效应晶体管(100)中，第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅极长度方向上的截面图上，当将其中第二场极板电极(118)与包括第一场极板电极(116)和栅电极(113)的结构的上部交叠的交叠区域的在栅极长度方向上的长度指定为Lol，和将栅极长度指定为Lg时，满足表示为0≤Lol/Lg≤1的关系。

公开(公告)号：CN100544024C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200580023067.6

申请日：2005-07-08

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫本广信 ,  中山达峰 ,  安藤裕二 ,  冈本康宏 ,  葛原正明 ,  井上隆 ,  幡谷耕二

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/338 ,  H01L29/423 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供了一种用于氮化物半导体器件的肖特基电极及其制作工艺，其具有高的势垒高度、低的漏电流性能和低电阻，并且热稳定。该氮化物半导体肖特基电极具有分层结构，该分层结构包括与氮化物半导体接触的铜(Cu)层和在铜(Cu)的上层上形成的第一电极材料。下述金属材料被用于第一电极材料，该金属材料具有比铜(Cu)的热膨胀系数低的热膨胀系数，并且在400℃或更高的温度下与铜(Cu)发生固相反应。

公开(公告)号：CN101390201A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200680053382.8

申请日：2006-10-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 井上隆 ,  中山达峰 ,  安藤裕二 ,  村濑康裕 ,  大田一树 ,  宫本广信 ,  山之口胜己 ,  黑田尚孝 ,  分岛彰男 ,  冈本康宏

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种第III族氮化物型场效应晶体管，该场效应晶体管通过在缓冲层中传导残余载流子而降低漏电流分量，并且实现了击穿电压的提高，且提高了沟道的载流子限制效应(载流子限制)以改善夹断特性(以抑制短沟道效应)。例如，在将本发明应用于GaN型场效应晶体管时，除了沟道层的GaN外，还将铝组分向顶部逐渐或阶梯式降低的组分－调制的(组分－梯度)AlGaN层用作缓冲层(异质缓冲)。对于将要制备的FET的栅极长度Lg，选择电子供应层和沟道层的层厚度之和a，以满足Lg/a≥5，并且在这样的情况下，在不超过在沟道层中室温下积累的二维电子气的德布罗意波长的5倍(约500)的范围内选择沟道层的层厚度。

公开(公告)号：CN101385132A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780005112.4

申请日：2007-01-29

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  冈本康宏 ,  中山达峰 ,  井上隆

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201

Abstract: 电子供给层(13)与沟道层(12)形成异质结且包含InzAlxGa1－z－xN，其中0≤z＜1，0＜x＜1和0＜x+z＜1。在电子供给层(13)上，与电子供给层(13)接触形成栅电极(17)。在电子供给层(13)和沟道层(12)之间的界面处的Al组分比x1，以及电子供给层(13)和栅电极(17)之间的界面处的Al组分比xa满足以下条件：x1/2≤xa＜x1和x1≤0.3。

公开(公告)号：CN1757120A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200380110067.0

申请日：2003-12-15

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 冈本康宏 ,  宫本广信 ,  安藤裕二 ,  中山达峰 ,  井上隆 ,  葛原正明

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种电场控制电极(5)，其形成在栅极(2)和漏极(3)之间。包括SiN薄膜(21)和SiO2薄膜(22)的多层薄膜形成在电场控制电极(5)下方。SiN薄膜(21)形成，使得AlGaN电子供应层(13)的表面被SiN薄膜(21)覆盖。