公开(公告)号：CN101404456B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200810134166.7

申请日：2008-07-23

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 陈纪翰 ,  李宝男 ,  徐膺杰

IPC: H02M5/04 ,  H01F17/00

Abstract: 一种变压器包括四个电容及四个电感。第一电容电串连于一第一端点与接地之间。第一电感电串连于第一端点。第二电容电串连于第一电感与接地之间。第二电感电串连于第一电感与第二电容之间。第三电容电串连于一第二端点与接地之间。第三电感电串连于第二端点。第四电容电串连于一第三端点与接地之间。第四电感电串连于第三电感与第三端点之间。

公开(公告)号：CN119651339A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202410970230.4

申请日：2024-07-19

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 杨佩蓉 ,  林桎苇 ,  吕美如 ,  陈纪翰

IPC: H01S5/0235 ,  H01S5/02375 ,  H01S5/02253

Abstract: 本发明提供了一种用于制造光电结构的方法和一种封装结构。所述方法包含：提供衬底，且提供光源模块和光子组件至所述衬底上方；以及将透镜结构调整到相对于所述衬底的单元特定位置，以将来自所述光源模块的光学信号耦合到所述光子组件。

公开(公告)号：CN116825855A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202210280333.9

申请日：2022-03-21

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 林桎苇 ,  吕美如 ,  府玠辰 ,  陈纪翰

IPC: H01L31/0203 ,  H01L31/02

Abstract: 本公开实施例涉及一种半导体封装件。该半导体封装件包括：电子元件、第一封装层和第二封装层，其中，第一封装层和第二封装层分别覆盖电子元件的上表面和下表面，第一封装层包覆电子元件和第二封装层，第一封装层接触第二封装层的侧面。本发明的目的在于至少改善半导体封装件的翘曲。

公开(公告)号：CN111952294A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201910628122.8

申请日：2019-07-12

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 吕美如 ,  陈纪翰 ,  杨宗谕 ,  杨佩蓉

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  G02B6/42

Abstract: 本公开提供一种半导体模块，其包含光子集成电路和插座。所述光子集成电路包含衬底、安置于所述衬底上的波导，以及在所述衬底中且具有第一宽度的凹进部分。所述插座接合到所述衬底的顶部表面，且与所述凹进部分对准。所述插座和所述凹进部分共同形成腔，且所述插座具有大于第一宽度的第二宽度。还公开一种用于制造所述半导体模块的方法。

公开(公告)号：CN111952255A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201911241362.9

申请日：2019-12-06

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 陈纪翰 ,  林弘毅

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488

Abstract: 本公开提供一种半导体封装结构，其包含：第一半导体裸片，其具有有源表面和与所述有源表面相对的无源表面；导电元件，其与所述第一半导体裸片齐平；第一再分布层RDL，与接近所述有源表面相比，其更接近所述无源表面；第二RDL，其与接近所述无源表面相比，更接近所述有源表面；以及第二半导体裸片，其在所述第二RDL之上，且通过所述第二RDL电耦合到所述第一半导体裸片。在所述第一RDL、所述导电元件、所述第二RDL和所述第一半导体裸片的所述有源表面之间建立第一导电路径。

公开(公告)号：CN111384004A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201910854476.4

申请日：2019-09-10

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 林长佑 ,  陈纪翰 ,  府玠辰

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/535

Abstract: 一种半导体装置封装包含：第一半导体装置，其具有第一表面；互连元件，其具有与所述第一半导体装置的所述第一表面基本上共面的表面；第一囊封件，其囊封所述第一半导体装置和所述互连元件；以及第二半导体装置，其安置在所述第一半导体装置和所述互连元件上并且横跨所述第一半导体装置和所述互连元件。

公开(公告)号：CN104051440B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201410046552.6

申请日：2014-02-10

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 陈纪翰 ,  邱基综

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/66 ,  H01Q1/22

CPC classification number: H01Q1/2283 ,  H01L23/552 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/3025 ,  H01Q9/0457 ,  H01Q21/0093 ,  H01Q21/065 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体结构包括基板、电路部、芯片及天线。基板具有相对的第一表面与第二表面。电路部形成于基板的第一表面上且包括波导槽及微带线，微带线与波导槽重迭。芯片设于电路部上。天线形成于基板的第二表面且与波导槽重迭。

公开(公告)号：CN103367314B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201310243104.0

申请日：2013-06-19

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 陈纪翰 ,  李宝男 ,  邱基综 ,  陈建桦

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01F27/2804 ,  H01F41/046 ,  H01L23/5227 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种半导体变压器，包括一第一线圈电感以及一第二线圈电感。第一线圈电感具有一第一端口、一第二端口以及一第一线圈电感墙，第一线圈电感墙具有一高度，而高度实质上相等于基板的一厚度。第二线圈电感具有一第三端口、连接至第三端口的一第一延伸墙、一第四端口、连接至第四端口的一第二延伸墙以及一第二线圈电感墙。

公开(公告)号：CN104795390A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201410028580.5

申请日：2014-01-22

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 陈建桦 ,  李德章 ,  李宝男 ,  陈纪翰

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包含衬底、至少一电容器、第一保护层、再分布层以及第二保护层。所述电容器位于所述衬底上，且接触所述衬底的导电通孔。所述第一保护层覆盖所述电容器。所述再分布层位于所述第一保护层上，且电连接到所述电容器。所述第二保护层覆盖所述再分布层和所述第一保护层。借此，可有效提高电特性及增加线路布局区域。

公开(公告)号：CN101673865B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN200910132445.4

申请日：2009-03-27

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 陈纪翰

IPC: H01P5/10

Abstract: 一种使用整合被动组件工艺制造的巴伦器，包括一基板、一第一共平面螺旋结构体及一第二共平面螺旋结构体。第一共平面螺旋结构体的最内圈的第一左线圈的一端经由第一桥接部与最内圈的第一右线圈电性连接。第一共平面螺旋结构体的两端分别与最外圈的第一左线圈与第一右线圈电性连接。第二共平面螺旋结构体的最内圈的第二左线圈的一端经由第二桥接部与最内圈的第二右线圈电性连接。第二共平面螺旋结构体的两端分别与最外圈的第二左线圈与第二右线圈电性连接。第一左线圈与第二左线圈交错配置，第一右线圈与第二右线圈交错配置。