-
公开(公告)号：CN103839607A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310597960.6
申请日：2013-11-22
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , H01B1/08 , Y10T428/265
Abstract: 提供结晶性优良，比电阻小的透明导电性膜。本发明的透明导电性膜（1），包含：膜基材（2）、和在该膜基材上形成的铟锡氧化物的多晶层（3）。多晶层（3），在厚度方向具有氧化锡的浓度梯度，多晶层（3）的厚度方向的氧化锡浓度的最大值为6重量%～12重量%。此外，多晶层（3）的总厚度为10nm～35nm，构成多晶层（3）的晶粒的最大尺寸的平均值为380nm～730nm。
-
公开(公告)号：CN102737848A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210105777.5
申请日：2012-04-11
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01G9/2077 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01G9/2095 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供染料敏化型太阳能电池及用于其的密封材料。其中带透明导电电极层(5)的对电极侧基板(1)与具有透明导电电极层(5′)的工作电极侧基板(1′)在使两电极层(5，5′)为内侧的状态下对向配置，一对基板(1，1′)间的空隙被配置于这些基板内侧面周缘部的密封材料(4)密封，在密封的空隙内封入电解质溶液(6)。两基板(1，1′)由高分子树脂材料形成，在基板(1，1′)和电极层(5，5′)之间分别配置无机层(2，2′)，(3，3′)，密封材料4由以特定氢化弹性体衍生物为必要成分的光聚合性组合物(A)的固化物形成，与密封材料(4)接触的无机层(3，3′)的部分被(甲基)丙烯酰氧基烷基硅烷类硅烷偶联剂被覆。
-
公开(公告)号：CN102667545A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080052126.3
申请日：2010-11-09
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 公开了一种红外线反射基板，其设置有红外线反射层、配置在所述红外线反射层表面上的保护层和从背面侧支承所述红外线反射层的透明基板，其中所述保护层由聚环烯烃层形成。
-
公开(公告)号：CN105492653B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201580001716.6
申请日：2015-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和在所述高分子膜基材的至少一个面侧利用使用含有氩的溅射气体的溅射法形成的透明导电层的透明导电性膜，所述透明导电层中的氩原子的存在原子量为0.24原子％以下，所述透明导电层中的氢原子的存在原子量为13×1020原子/cm3以下，所述透明导电层的电阻率为1.1×10‑4Ω·cm以上且2.8×10‑4Ω·cm以下。
-
公开(公告)号：CN105452520B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201580001267.5
申请日：2015-03-11
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、配置在透明基材(2)的厚度方向的一侧且由树脂层形成的第1光学调整层(4)、在第1光学调整层(4)的厚度方向的一侧以与第1光学调整层(4)接触的方式配置的无机物层(5)、以及配置在无机物层(5)的厚度方向的一侧的透明导电层(6)。无机物层(5)的厚度为10nm以下，透明导电层(6)的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为1.40nm以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104919542B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201480005116.2
申请日：2014-01-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/58 , C23C14/5806 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜在有机高分子薄膜基材上的至少一个面具有透明导电膜，前述透明导电膜是{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的结晶质膜，膜厚为10nm～40nm的范围，电阻率值为1.3×10‑4～2.8×10‑4Ω·cm，并且自前述薄膜基材侧夹着至少1层底涂层设置有前述透明导电膜，且前述底涂层的至少1层通过干法而形成。本发明的透明导电性薄膜具有透明导电膜，所述透明导电膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且薄膜的结晶质膜构成。
-
公开(公告)号：CN104937676B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201480005117.7
申请日：2014-01-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B1/08 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/5806 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/265
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜在有机高分子薄膜基材上的至少一个面具有透明导电膜，前述透明导电膜是{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的结晶质膜，膜厚为10nm～40nm的范围，电阻率值为1.3×10‑4～2.8×10‑4Ω·cm，并且在(222)面和(440)面具有X射线衍射峰的主峰，(440)面的峰的强度(I440)与(222)面的峰的强度(I222)的峰强度比(I440/I222)小于0.2。本发明的透明导电性薄膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且薄膜的结晶质膜构成。
-
公开(公告)号：CN103839607B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201310597960.6
申请日：2013-11-22
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , H01B1/08 , Y10T428/265
Abstract: 提供结晶性优良，比电阻小的透明导电性膜。本发明的透明导电性膜（1），包含：膜基材（2）、和在该膜基材上形成的铟锡氧化物的多晶层（3）。多晶层（3），在厚度方向具有氧化锡的浓度梯度，多晶层（3）的厚度方向的氧化锡浓度的最大值为6重量%～12重量%。此外，多晶层（3）的总厚度为10nm～35nm，构成多晶层（3）的晶粒的最大尺寸的平均值为380nm～730nm。
-
公开(公告)号：CN105473756A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201580001616.3
申请日：2015-05-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/58 , B32B7/02 , B32B9/00 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , H01B1/02 , H01B3/426 , H01B3/427 , H01L31/022466
Abstract: 提供能够飞跃性提高晶体转化处理后的透明导电层相对于晶体转化处理前的透明导电层的电特性、实现进一步的低电阻化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备薄膜基材(2)和形成于该基材的一个主表面(2a)的结晶质透明导电层(3)。晶体转化处理前的非晶质透明导电层的载流子密度na×1019为(10～60)×1019/cm3、霍尔迁移率μa为10～25cm2/V·s，晶体转化处理后的结晶质透明导电层(3)的载流子密度nc×1019为(80～150)×1019/cm3、霍尔迁移率μc为20～40cm2/V·s，由{(nc-na)2+(μc-μa)2}1/2定义的移动距离L为50～150。
-
公开(公告)号：CN104937678A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201480005118.1
申请日：2014-01-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/354 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/3407 , C23C14/542 , C23C14/58 , C23C14/5806 , H01J37/3277 , H01J37/3402 , H01J37/3429 , H01J37/3444 , H01J37/3464 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜的制造方法具有形成透明导电膜的工序(A)，该工序(A)为：在有机高分子薄膜基材的至少一个面上，利用辊对辊的装置，使用{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的靶，在该靶表面的水平磁场为85～200mT的高磁场下、在非活性气体的存在下，利用RF叠加DC溅射成膜法形成透明导电膜，并且，前述透明导电膜为前述铟系复合氧化物的结晶质膜，前述透明导电膜的膜厚为10nm～40nm的范围，前述透明导电膜的电阻率值为1.3×10-4～2.8×10-4Ω·cm。根据本发明的制造方法得到的透明导电性薄膜具有透明导电膜，所述透明导电膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且薄膜的结晶质膜构成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.025 seconds)
