公开(公告)号：CN102651385A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201110451784.6

申请日：2011-12-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 美浓浦优一 ,  吉川俊英 ,  多木俊裕

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/778 ,  H01L21/265 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/2654 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462

Abstract: 将选自例如Fe、C、B、Ti、Cr中的至少一种杂质从化合物半导体叠层结构的背面引入化合物半导体叠层结构的至少一个缓冲层中，以使缓冲层的电阻值变高。

公开(公告)号：CN102569379A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110408970.1

申请日：2011-12-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 远藤浩 ,  多木俊裕 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7839 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件以及用于制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：第一半导体层，置于衬底的上方；第二半导体层，置于第一半导体层的上方；栅极凹陷，通过去除部分或全部的第二半导体层而置于第一半导体层上方的预定区域中；绝缘膜，置于栅极凹陷和第二半导体层的上方；栅极，置于栅极凹陷的上方，在栅极与栅极凹陷之间具有绝缘膜；源极和漏极，置于第一半导体层或第二半导体层的上方，其中，栅极凹陷的中心部分高于栅极凹陷的周边部分。

公开(公告)号：CN102487080A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201110342604.0

申请日：2011-10-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/201 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件，其中设置有：第一AlGaN层，形成在衬底的上方；第二AlGaN层，形成在第一AlGaN层的上方；电子渡越层，形成在第二AlGaN层的上方；以及电子供应层，形成在电子渡越层的上方。当第一AlGaN层的构成由Alx1Ga1-x1N表示，第二AlGaN层的构成由Alx2Ga1-x2N表示时，“0≤x1＜x2≤1”的关系成立。存在于AlGaN层的上表面的负电荷多于存在于AlGaN层的下表面的正电荷。根据本发明的化合物半导体器件，在电子渡越层的下方设置有其中电荷被适当分布的第二AlGaN层，因此可以容易地进行常关操作。

公开(公告)号：CN101958345A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010106652.5

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法。其中该化合物半导体器件包括：单晶衬底；AlN层，形成在所述单晶衬底上；氮化物半导体的缓冲层，形成在所述AlN层上；氮化物半导体的沟道层，形成在所述缓冲层上；化合物半导体的载流子供应层，形成在所述沟道层之上；以及源电极、漏电极和栅电极，形成在所述载流子供应层之上，其中，所述AlN层和所述缓冲层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大，所述AlN层的上表面的斜度是正值。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN104638000B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201410645228.6

申请日：2014-11-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 西森理人 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 本申请涉及一种半导体器件及其制造方法。其中，一种半导体器件包括：形成在衬底上方的第一氮化物半导体层；形成在第一氮化物半导体层上方的第二氮化物半导体层；形成在第二氮化物半导体层和第一氮化物半导体层的一部分中的元件隔离区域；形成在第二半导体层和元件隔离区域上方的栅电极、源电极以及漏电极；以及以从漏电极的侧表面的上部突出的方式形成的漏极场板。

公开(公告)号：CN103715244A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310325362.3

申请日：2013-07-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7784 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供半导体器件以及半导体器件的制造方法。半导体器件包括：形成在衬底上的第一半导体层；形成在第一半导体层上的第二半导体层和第三半导体层；形成在第三半导体层上的第四半导体层；形成在第四半导体层上的栅电极；以及形成为与第二半导体层接触的源电极和漏电极。第三半导体层和第四半导体层形成在栅极正下方的区域中，第四半导体层由p型半导体材料形成，并且第二半导体层和第三半导体层由AlGaN形成，以及第三半导体层具有比第二半导体层的Al组成比低的Al组成比。

公开(公告)号：CN103367424A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310100368.0

申请日：2013-03-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76229 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供化合物半导体及其制造方法。本发明提供一种AlGaN/GaN HEMT，其包括化合物半导体堆叠结构；在化合物半导体堆叠结构上界定元件区的元件隔离结构；形成在元件区上而不形成在元件隔离结构上的第一绝缘膜；至少形成在元件隔离结构上并且氢含量高于第一绝缘膜的氢含量的第二绝缘膜；以及通过第二绝缘膜形成在化合物半导体堆叠结构的元件区上的栅电极。

公开(公告)号：CN103367419A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210589857.2

申请日：2012-12-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 西森理人 ,  吉川俊英 ,  今田忠纮

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件的一个实施方案包括：衬底；形成在衬底上的电子传输层；形成在电子传输层上的电子供给层；形成在电子供给层上的源电极和漏电极；形成在电子供给层上的在源电极和漏电极之间的栅电极；形成在电子供给层和栅电极之间的p型化合物半导体层；以及形成在电子供给层和p型化合物半导体层之间的包含n型杂质的化合物半导体层。

公开(公告)号：CN101958345B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201010106652.5

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法。其中该化合物半导体器件包括：单晶衬底；AlN层，形成在所述单晶衬底上；氮化物半导体的缓冲层，形成在所述AlN层上；氮化物半导体的沟道层，形成在所述缓冲层上；化合物半导体的载流子供应层，形成在所述沟道层之上；以及源电极、漏电极和栅电极，形成在所述载流子供应层之上，其中，所述AlN层和所述缓冲层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大，所述AlN层的上表面的斜度是正值。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN103094315A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210385127.0

申请日：2012-10-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 西森理人 ,  多木俊裕 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/458 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H03F1/3247 ,  H03F3/189 ,  H03F3/245

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法以及电子电路。化合物半导体器件包括：其中形成有载流子的第一化合物半导体层；设置在第一化合物半导体层上方的供给载流子的第二化合物半导体层；以及设置在第二化合物半导体层上方的第三化合物半导体层，其中第三化合物半导体层包括载流子浓度高于第二化合物半导体层的载流子浓度的区域。