公开(公告)号：CN103168362A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201080069639.5

申请日：2010-10-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉 ,  美浓浦优一

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/338 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/205 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置设有：GaN层（2）、与GaN层（2）的Ga面形成肖特基接合的阳极电极（4）以及位于阳极电极（4）的至少一部分与GaN层（2）之间的InGaN层（3）。

公开(公告)号：CN102169894B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201110055876.2

申请日：2006-09-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 多木俊裕 ,  冈本直哉

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L21/335

Abstract: 一种化合物半导体装置，其具有：基板；半导体层叠结构，其包括形成在所述基板上方的由氮化物半导体构成的载流子传输层；形成于所述半导体层叠结构上方的栅电极、源电极和漏电极；绝缘膜，其位于所述半导体层叠结构上方，且形成在栅电极与源电极之间、以及栅电极与漏电极之间；所述绝缘膜中的、形成在栅电极与源电极之间、以及栅电极与漏电极之间的开口；以及填入所述开口的氧化铝膜。

公开(公告)号：CN103035683A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210320857.2

申请日：2012-08-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 多木俊裕 ,  冈本直哉 ,  美浓浦优一 ,  牧山刚三 ,  尾崎史朗

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种HEMT(高电子迁移率晶体管)具有：化合物半导体层、具有开口并且覆盖化合物半导体层的上侧的保护膜以及填充开口并且具有骑在化合物半导体层上的形状的栅电极，其中保护膜具有不含氧的下绝缘膜与包含氧的上绝缘膜的堆叠结构，并且，开口包括形成在下绝缘膜中的第一开口和形成在上绝缘膜中且比第一开口宽的第二开口，第一开口与第二开口彼此连通。

公开(公告)号：CN103035522A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210270691.8

申请日：2012-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 美浓浦优一 ,  冈本直哉 ,  吉川俊英 ,  牧山刚三 ,  多木俊裕

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H02M1/4225 ,  H02M3/33569 ,  H02M2001/007 ,  Y02B70/126

Abstract: 在化合物半导体层叠结构上形成钝化膜，通过干蚀刻来使钝化膜的电极形成预定位置变薄，通过湿蚀刻来穿透钝化膜的变薄部分以形成开口，并且在钝化膜上形成栅电极，使得电极材料嵌入该开口。

公开(公告)号：CN101335247B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200810127301.5

申请日：2008-06-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该方法包括在绝缘衬底上形成GaN层和n型AlGaN层，然后在这些层上形成栅电极、源电极和漏电极。接着在源电极、GaN层和n型AlGaN层中形成开口至少到达绝缘衬底的表面。然后在开口中形成镍(Ni)层。之后从后侧进行干法蚀刻工艺，同时用镍(Ni)层充当蚀刻阻挡层，在绝缘衬底中形成导孔到达镍(Ni)层。然后形成导孔布线，导孔布线从导孔的内部延伸到绝缘衬底的后表面。本发明能够减少与形成导孔相关的产量下降现象。

公开(公告)号：CN104766882B

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201410820297.6

申请日：2014-12-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 多木俊裕 ,  朱雷 ,  冈本直哉 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体器件包括：形成在衬底之上并由氮化物半导体形成的第一半导体层；形成在第一半导体层之上并由氮化物半导体形成的第二半导体层；形成在第二半导体层之上并由氮化物半导体形成的第三半导体层；形成在第三半导体层之上的源电极和漏电极；形成在源电极与漏电极之间、在第二半导体层和第三半导体层中的开口；形成在开口的侧表面和底表面上的绝缘层；以及经由绝缘层形成在开口中的栅电极。

公开(公告)号：CN104112672B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201410132262.3

申请日：2014-04-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  冈本直哉 ,  牧山刚三 ,  多木俊裕

IPC: H01L21/441 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/283 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/315 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/408 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H02M5/458 ,  H03F3/19 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体设备，包括：第一电极；第二电极；由多孔绝缘材料制成并且形成在第一电极和第二电极之上的层间绝缘膜；以及分别电连接到第一电极和第二电极的连接部，其中在层间绝缘膜与第一电极的表面、第二电极的表面以及连接部的部分表面之间形成空腔。

公开(公告)号：CN103972283B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201310541183.3

申请日：2013-11-05

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/04 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：形成在衬底上的氮化物半导体的第一半导体层；形成在第一半导体层上的氮化物半导体的第二半导体层；以及各自形成在第二半导体层上的栅电极、源电极、漏电极和空穴提取电极，其中在源电极与空穴提取电极之间或者在源电极正下方的区域中，第一半导体层与第二半导体层形成近似垂直于所述衬底的表面的垂直界面，并且第一半导体层的被构造成形成垂直界面的表面为N极性表面。

公开(公告)号：CN105977209A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610509548.8

申请日：2010-10-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉 ,  美浓浦优一

IPC: H01L21/8252 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L21/329 ,  H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/205 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置设有：GaN层(2)、与GaN层(2)的Ga面形成肖特基接合的阳极电极(4)以及位于阳极电极(4)的至少一部分与GaN层(2)之间的InGaN层(3)。

公开(公告)号：CN103329273B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180064898.3

申请日：2011-01-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 美浓浦优一 ,  冈本直哉

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/26 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/2654 ,  H01L24/73 ,  H01L27/0814 ,  H01L27/095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/417 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66196 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。在半导体装置中设置有半导体层（1）、和与半导体层（1）肖特基接合的肖特基电极（2）。在肖特基电极（2）中包含有：金属部（2a），其包含与半导体层（1）肖特基接合的金属；和氮化物部（2b），其形成于金属部（2a）的周围，包含上述金属的氮化物，并与半导体层（1）肖特基接合。