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公开(公告)号：CN118385569A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410841005.0
申请日：2024-06-27
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供一种多组元金属纳米复合粉末和粉末制备工艺，在得到均匀分散的复合粉末浆料后，通过冷冻干燥法制备多组元基体和高含量纳米粒子的金属复合粉末。通过冷冻条件下产生的冰晶将复合粉末浆料的均匀分散状态保留下来，随着冰晶升华，利用粉末之间的范德华力，制备分散度高、包覆均匀的纳米修饰金属复合粉末。上述制备方法操作简单，绿色环保，成本低廉，适合大规模制备，且在制备过程中不会引入杂质，保护了浆料原始的化学特性。该粉末制备工艺制备出的复合粉末能够面向3D打印，实现增材制造过程中新相的原位形成，从而通过合金设计提高3D打印产品性能。
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公开(公告)号：CN118275850A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410704907.X
申请日：2024-06-03
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种消除负载干扰的功率半导体器件结温监测模型建立方法，该方法采用多元线性回归与矩阵运算相结合的方式，建立一个仅反映温敏电参数与结温之间映射关系的数学模型，消除了负载条件对结温测量的影响，避免了传统方法中因负载变化带来的测量误差。此外，本发明提供的结温模型结合了多个温敏电参数实现对于结温的监测，多个参数综合反应了功率半导体器件在不同工作条件下的热特性，进一步提高了结温监测的准确性。
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公开(公告)号：CN117849569B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410251482.1
申请日：2024-03-06
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明揭示了一种纳秒量级延时的功率器件测试电路及方法，所述纳秒量级延时的功率器件测试电路包括双脉冲测试电路，应力时长控制电路和接口控制电路；应力时长控制电路用于控制待测晶体管的漏极电压应力时长，并在时长内实现双脉冲测试电路产生既定的电流；双脉冲测试电路用于在待测晶体管导通时向待测晶体管施加电流，测试待测晶体管的特性；接口控制电路用于控制待测晶体管漏极的连接位置。本发明能够在任意设定的待测晶体管的漏极电压应力时长内产生既定的电流，从而进行测试时无需等待额外的充电时间，并且能够在任意漏极电压应力时长、漏极电压应力和负载电流下迅速检测待测晶体管的开关特性和导通电阻等状态。
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公开(公告)号：CN118039690A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410430808.7
申请日：2024-04-11
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , G01R31/26 , G01R19/00
Abstract: 本发明提供半导体结构、制备方法和栅极异质结上分压标定测算方法，在同一异质结上制备了物理化学性能稳定的肖特基型p‑GaN HEMTs器件和欧姆型p‑GaN HEMTs器件，实现了集成化设计，提高了后续性能测试以及标定测算的可操作性和效率。在具体测试过程中，测试两种器件的正向栅极电压电流（I‑V）特性，基于欧姆型p‑GaN HEMTs栅极的单PIN结I‑V特性，得出等量栅极电流下肖特基型p‑GaN HEMTs栅极异质结中PIN结的电压，随后根据双结串联分压特性得到MS结电压，实现对于p‑GaN HEMTs器件栅极异质结内部双结分压的标定计算。
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公开(公告)号：CN117849569A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410251482.1
申请日：2024-03-06
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明揭示了一种纳秒量级延时的功率器件测试电路及方法，所述纳秒量级延时的功率器件测试电路包括双脉冲测试电路，应力时长控制电路和接口控制电路；应力时长控制电路用于控制待测晶体管的漏极电压应力时长，并在时长内实现双脉冲测试电路产生既定的电流；双脉冲测试电路用于在待测晶体管导通时向待测晶体管施加电流，测试待测晶体管的特性；接口控制电路用于控制待测晶体管漏极的连接位置。本发明能够在任意设定的待测晶体管的漏极电压应力时长内产生既定的电流，从而进行测试时无需等待额外的充电时间，并且能够在任意漏极电压应力时长、漏极电压应力和负载电流下迅速检测待测晶体管的开关特性和导通电阻等状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116760302B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311013642.0
申请日：2023-08-14
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种同步整流控制系统与方法，采样电路用于采集所述变换器的输出电流信号和输出电压信号；根据输出电流信号和输出电压信号计算出变换器中储存的电荷值和负载的阻值；输出电压信号与比较模块内的参考电压进行比较，得到一误差信号；误差信号经过比例‑积分控制器计算后得到一脉冲频率调制信号；根据脉冲频率调制信号、电荷值和负载的阻值计算出所述同步整流导通时间。算法简单且计算时间更短，缩短了同步整流流过MOSFET二极管的时间，降低了导通损耗，提高了转换器的效率。
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公开(公告)号：CN116435417B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310692124.X
申请日：2023-06-13
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种具有栅极自发光功能的氮化镓器件和制备方法，氮化镓器件的栅极结构自上而下包括：半透明金属层，P型层，势垒层和沟道层。当对栅极施加正向驱动电压时，电子与空穴分别从沟道和栅极金属双向注入到异质结中，部分电子与空穴发生复合并产生光子，并穿过半透明金属电极发射出栅极。器件栅极结构在制备过程中采用半透明栅极金属技术，利用耐等离子体刻蚀的金属层保护栅极结构不受等离子体的刻蚀，并且保持良好的透光性。本发明使得相关测试仪器能够捕捉分析透过半透明栅极产生的电致发光，从而实现光学测试与电学测试同步分析。
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公开(公告)号：CN116456810A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310430099.8
申请日：2023-04-18
Applicant: 安徽大学
IPC: H10N52/01
Abstract: 本发明公开了一种基于中心反演对称材料的二阶非线性电信号诱导方法，包括以下步骤；步骤S1：取12根电极，将12根电极沿环形阵列状排列，通过干法转移技术，将WTe2材料薄膜覆盖到圆形电极上，在WTe2材料薄膜上覆盖一层绝缘材料保护层；步骤S2：在12根电极中不同的方向上施加不同直流电场强度的电压，诱导出二阶非线性电信号；采用施加直流电场破坏对称性的方法，便于在对称性限制的WTe2材料中诱导二阶非线性霍尔效应，产生二阶非线性电信号。
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公开(公告)号：CN118444122A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410903381.8
申请日：2024-07-08
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种SiC MOSFET栅氧老化状态在线监测电路与方法，通过漏源电压检测单元和信号判定单元实时监测栅极电压和漏源电压的变化，得到关于栅极电压变化的第二比较信号和关于漏源电压变化的第一比较信号，并将两个比较信号进行逻辑运算，根据逻辑运算结果的高电平持续时间得出两个能够体现SiC MOSFET栅氧层状况的参数，准确评估SiC MOSFET栅氧层的健康状况，有效提高SiC MOSFET的可靠性和使用寿命。且仅需一个电路即可实现两个时间参数的检测，具备电路结构简单，制备成本低的优点。
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公开(公告)号：CN115863276A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211651146.3
申请日：2022-12-21
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓器件散热结构及其制备方法，包括：衬底，自上而下依次形成在衬底上的GaN器件层和过渡层；过渡层和衬底构成一异质结衬底。本发明的过渡层和衬底构成一种异质结衬底，实现GaN器件在高功率运行时所需的高效散热，进而大幅度提升GaN器件的功率密度以及可靠性。
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