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公开(公告)号：CN112938908B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202110382892.6
申请日：2021-04-09
Applicant: 安徽大学
IPC: C01B19/04
Abstract: 本发明公开一种固相法制备二硒化钛单晶材料的方法，属于二硒化钛单晶制备技术领域，该方法包括如下步骤：第一步、源材料的配比和混合：将硒粉和钛粉放在研钵研磨混合均匀，并放置于石英管底部；石英管用便携式真空阀封好后转移出手套箱；第二步、真空封管：使用真空封管系统首先对装有配比好并混合均匀的粉末的石英管进行洗气，抽真空，然后进行封管；第三步、源材料的煅烧：将封管后的石英管放入马弗炉中，在马弗炉中垫上隔热砖后进行煅烧。本发明制备得到的晶体尺寸较大，无团聚、制备工艺简单。为进一步研究二硒化钛和铁掺杂二硒化钛单晶的科研工作提供更广阔的研究领域。
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公开(公告)号：CN114988373A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210752219.1
申请日：2022-06-28
Applicant: 安徽大学
IPC: C01B19/02
Abstract: 本发明公开了一种准二维硒纳米片及制备方法，制备原料包括：亚硒酸钠、油酸和十六烷基三甲基溴化铵；按重量比计，亚硒酸钠：油酸：十六烷基三甲基溴化铵＝(1‑6)：(138‑190)：(2‑8)。所述油酸用于还原所述亚硒酸钠，所述十六烷基三甲基溴化铵为表面辅助剂。本发明首次通过油酸还原亚硒酸钠，以十六烷基三甲基溴化铵为表面辅助剂，采用水热/溶剂热工艺制备出了大尺寸的准二维硒纳米片，该硒纳米片中，硒元素分布均匀、不含杂质。
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公开(公告)号：CN113122819B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110382902.6
申请日：2021-04-09
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种钽掺杂大面积二维二硫化铌材料的制备方法，属于二维材料制备技术领域，用于解决多数研究中需要用到薄层样品都是采用机械剥离方法制备，这种方法存在耗时、费力、无法批量制备、难以精确控制厚度和尺寸等问题。本发明提供的一种钽掺杂大面积二维二硫化铌材料的制备方法，以过渡金属氧化物和硫粉为源物质，引入助熔盐氯化铵，采用氟金云母和硅片作为生长衬底，在氮氢混合载气下快速生长制备，制备出的二维材料具有较大的尺寸，二硫化铌最大可达115微米，钽掺杂的二硫化铌可达112微米，且本发明与传统机械剥离制备二维材料的方法相比，具有沉积速率高、晶体结构和表面形态可控及可重复性好等优点。
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公开(公告)号：CN113122819A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110382902.6
申请日：2021-04-09
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种钽掺杂大面积二维二硫化铌材料的制备方法，属于二维材料制备技术领域，用于解决多数研究中需要用到薄层样品都是采用机械剥离方法制备，这种方法存在耗时、费力、无法批量制备、难以精确控制厚度和尺寸等问题。本发明提供的一种钽掺杂大面积二维二硫化铌材料的制备方法，以过渡金属氧化物和硫粉为源物质，引入助熔盐氯化铵，采用氟金云母和硅片作为生长衬底，在氮氢混合载气下快速生长制备，制备出的二维材料具有较大的尺寸，二硫化铌最大可达115微米，钽掺杂的二硫化铌可达112微米，且本发明与传统机械剥离制备二维材料的方法相比，具有沉积速率高、晶体结构和表面形态可控及可重复性好等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112938908A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110382892.6
申请日：2021-04-09
Applicant: 安徽大学
IPC: C01B19/04
Abstract: 本发明公开一种固相法制备二硒化钛单晶材料的方法，属于二硒化钛单晶制备技术领域，该方法包括如下步骤：第一步、源材料的配比和混合：将硒粉和钛粉放在研钵研磨混合均匀，并放置于石英管底部；石英管用便携式真空阀封好后转移出手套箱；第二步、真空封管：使用真空封管系统首先对装有配比好并混合均匀的粉末的石英管进行洗气，抽真空，然后进行封管；第三步、源材料的煅烧：将封管后的石英管放入马弗炉中，在马弗炉中垫上隔热砖后进行煅烧。本发明制备得到的晶体尺寸较大，无团聚、制备工艺简单。为进一步研究二硒化钛和铁掺杂二硒化钛单晶的科研工作提供更广阔的研究领域。
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公开(公告)号：CN116575115A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310411434.X
申请日：2023-04-18
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种准一维TaxTi(1‑x)S3材料的可控生长方法及计算机设备，属于晶体生长技术领域，生长方法，其特征在于，包括如下步骤：按照摩尔比称取反应源粉末：Ta粉、Ti粉和S粉，混合后使用研钵对反应源粉末进行研磨；将研磨好的反应源粉末置于纯净的石英管底部，放入石英柱，并使用真空封管机对石英管抽真空，密封，使用焊枪将石英柱附近的管壁加热；将密封好的石英管放入双温区马弗炉内，将石英管置于双温端热偶的中心线位置，设置控温程序，进行化学气相输运合成。本发明中使用了化学气相输运法，所生长的准一维TaxTi(1‑x)S3.纯度高，并且实验方法操作简单，成本低廉并且可控性强。
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公开(公告)号：CN116456810A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310430099.8
申请日：2023-04-18
Applicant: 安徽大学
IPC: H10N52/01
Abstract: 本发明公开了一种基于中心反演对称材料的二阶非线性电信号诱导方法，包括以下步骤；步骤S1：取12根电极，将12根电极沿环形阵列状排列，通过干法转移技术，将WTe2材料薄膜覆盖到圆形电极上，在WTe2材料薄膜上覆盖一层绝缘材料保护层；步骤S2：在12根电极中不同的方向上施加不同直流电场强度的电压，诱导出二阶非线性电信号；采用施加直流电场破坏对称性的方法，便于在对称性限制的WTe2材料中诱导二阶非线性霍尔效应，产生二阶非线性电信号。
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公开(公告)号：CN114988373B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210752219.1
申请日：2022-06-28
Applicant: 安徽大学
IPC: C01B19/02
Abstract: 本发明公开了一种准二维硒纳米片及制备方法，制备原料包括：亚硒酸钠、油酸和十六烷基三甲基溴化铵；按重量比计，亚硒酸钠：油酸：十六烷基三甲基溴化铵＝(1‑6)：(138‑190)：(2‑8)。所述油酸用于还原所述亚硒酸钠，所述十六烷基三甲基溴化铵为表面辅助剂。本发明首次通过油酸还原亚硒酸钠，以十六烷基三甲基溴化铵为表面辅助剂，采用水热/溶剂热工艺制备出了大尺寸的准二维硒纳米片，该硒纳米片中，硒元素分布均匀、不含杂质。
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公开(公告)号：CN115863276A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211651146.3
申请日：2022-12-21
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓器件散热结构及其制备方法，包括：衬底，自上而下依次形成在衬底上的GaN器件层和过渡层；过渡层和衬底构成一异质结衬底。本发明的过渡层和衬底构成一种异质结衬底，实现GaN器件在高功率运行时所需的高效散热，进而大幅度提升GaN器件的功率密度以及可靠性。
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