公开(公告)号：CN116247094A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310211017.0

申请日：2023-03-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王路宇 ,  张鹏浩 ,  徐敏 ,  王强 ,  潘茂林 ,  黄海 ,  黄自强 ,  谢欣灵 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种具有抑制衬底漏电结构的GaNHEMT器件，包括：衬底，以及形成于衬底上的缓冲层；第一P+型掺杂区与第一N+型掺杂区；其中，第一P+型掺杂区形成于缓冲层中；第一N+型掺杂区形成于部分第一P+型掺杂区的表层，且第一P+型掺杂区包裹第一N+型掺杂区；GaNHEMT结构；形成于缓冲层的顶端；其中，GaNHEMT结构包括栅极金属层与漏极金属层；栅极金属层与漏极金属层沿水平方向排列；其中，第一N+型掺杂区覆盖漏极金属层的下方区域，且延伸到第一掺杂区域；第一掺杂区域表征了栅极金属层与漏极金属层之间的下方区域。该方案解决了缓冲层产生漏电通道导致的器件的漏电流的加剧的问题，进而避免出现器件提前击穿现象，实现了器件性能的提高。

公开(公告)号：CN115548116A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211255558.5

申请日：2022-10-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王路宇 ,  张鹏浩 ,  徐敏 ,  潘茂林 ,  王强 ,  樊蓉 ,  杨妍楠 ,  谢欣灵 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供了一种具有栅极保护功能的GaN HEMT器件结构，该器件包括：GaN HEMT器件；第一成核层；所述第一成核层形成于所述GaN HEMT器件上；以及形成于所述第一成核层上的PN二极管；其中，所述PN二极管包括：分别形成于所述第一成核层上的第一区域与第二区域的p+型GaN层与n+型GaN层；以及形成于所述GaN HEMT器件上的阴极与阳极，所述阴极与所述p+型GaN层相连，所述阳极与所述n+型GaN层相连；所述第一区域与所述第二区域沿第一方向相对，所述第一方向表征了纸平面上水平方向；其中，所述PN二极管的击穿电压小于所述GaN HEMT器件的击穿电压。本发明提供的技术方案解决了传统结构GaN HEMT器件的栅极容易被击穿的问题，实现了保护GaN HEMT器件不被破坏的技术效果。

公开(公告)号：CN116799054A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310646525.1

申请日：2023-06-02

Applicant: 复旦大学

Inventor： 潘茂林 ,  王路宇 ,  徐敏 ,  王强 ,  张鹏浩 ,  谢欣灵 ,  黄海 ,  钱乐雯 ,  杨妍楠 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/36 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种具有pGaN插入结构的GaNHEMT器件，包括：衬底、沟道层、势垒层、源极金属层、栅极以及漏极金属层；一个或两个以上的第一P型插入结构，形成于P‑GaN层与漏极金属层之间靠近P‑GaN层的一侧，贯穿势垒层，且伸入沟道层的表层中；两个以上的第一P型插入结构沿第二方向依次排列；其中，栅金属层连接P‑GaN层与第一P型插入结构；第一P型插入结构中离子的掺杂浓度低于p‑GaN层中离子的掺杂浓度；隔离层；形成于第一P型插入结构与沟道层和势垒层之间；其中，一个或两个以上的第一P型插入结构分别与沟道层形成一PN结。该技术方案解决了如何在提高器件的击穿电压的同时，充分发挥GaN本征击穿电场的全部潜力的问题。

公开(公告)号：CN116364538A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310440159.4

申请日：2023-04-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王强 ,  张鹏浩 ,  徐敏 ,  潘茂林 ,  王路宇 ,  谢欣灵 ,  黄海 ,  杨妍楠 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明提供了一种增强型氮化镓功率器件的制备方法，包括：提供一衬底；形成缓冲层、沟道层、势垒层、源极金属层以及漏极金属层；缓冲层、沟道层以及势垒层沿远离衬底的方向上依次形成于衬底上；源极金属与漏极金属沿第一方向排列于势垒层表面；第一方向垂直于缓冲层、沟道层以及势垒层的堆叠方向；形成第一介质层；第一介质层形成于部分势垒层的表面；在部分势垒层表面的第一介质层中注入固定正电荷，并激活固定正电荷；形成栅金属层；栅金属层形成于栅极区域的势垒层的上方。本发明提供的技术方案，解决了如何提高增强型氮化镓功率器件的输出电流密度和驱动能力的问题。

公开(公告)号：CN116247095A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310211026.X

申请日：2023-03-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王路宇 ,  张鹏浩 ,  徐敏 ,  王强 ,  潘茂林 ,  黄自强 ,  谢欣灵 ,  黄海 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/267

Abstract: 本发明提供了一种基于SiC衬底的pGaN增强型HEMT器件结构及其制备方法，该器件结构包括：衬底，包括分别形成于所述衬底第一区域与第二区域的p+掺杂区与n+掺杂区；其中，所述第一区域与第二区域为沿所述衬底表面相对的两侧区域；肖特基势垒二极管，所述p+掺杂区与所述n+掺杂区接触形成PN结以构成所述肖特基势垒二极管；隔离层，形成于所述衬底上，且覆盖所述p+掺杂区与所述n+掺杂区；pGaN增强型HEMT器件，形成于部分所述隔离层上；其中，所述p+掺杂区及所述n+掺杂区分别与阳极及阴极电性连接，且所述阳极与所述pGaN增强型HEMT器件的源极电性连接；所述阴极与所述pGaN增强型HEMT器件的漏极电性连接。

公开(公告)号：CN115714134A

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202211255562.1

申请日：2022-10-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张鹏浩 ,  王路宇 ,  徐敏 ,  王强 ,  潘茂林 ,  樊蓉 ,  杨妍楠 ,  谢欣灵 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明提供了一种增强型p沟道氮化镓功率器件及其制备方法，在不对p‑GaN进行栅槽刻蚀的情况下即可实现p沟道增强型氮化镓晶体管，避免了栅刻蚀方法导致的沟道迁移率降低以及刻蚀表面形成的高密度陷阱态对p沟道增强型器件产生的负面影响，从而有效提高了增强型p沟道氮化镓晶体管的性能。

公开(公告)号：CN103972022B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410167541.3

申请日：2014-04-24

Applicant: 复旦大学 ,  中国环境监测总站 ,  聚光科技(杭州)股份有限公司

Inventor： 党乾坤 ,  徐福兴 ,  陈斌 ,  杨凯 ,  王强 ,  韩双来 ,  俞晓峰 ,  王冠军 ,  丁传凡

IPC: H01J49/42 ,  H01J49/02

Abstract: 本发明属于质量分析仪器的技术领域，具体为一种含高阶场成分的线性离子阱。本发明的线性离子阱由两对不同的横截面为梯形与圆弧组合图形的柱状电极围绕着一中心对称轴合围而成；相邻的两根电极形状不同，相对的电极形状完全相同；梯形为等腰梯形，圆弧与梯形的两腰相切，切点为梯形的两个顶点，该顶点为梯形较短的底边与两腰的交点。两对电极不同之处在于该圆弧的圆心角或半径不同，梯形的底角或高也相应不同，由于两对电极的不对称性而引入较多高阶场成分，如八极场、十二极场等。一定量高阶场成分的引入有利于提高质量分析的性能。本发明可以用于离子存储，也可以用于质量分析。本发明引入高阶场成分具有加工简单，成本低廉等优点。

公开(公告)号：CN102688283A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210197227.0

申请日：2012-06-15

Applicant: 复旦大学附属中山医院

Inventor： 秦万章 ,  杨春欣 ,  王强 ,  沈熊

IPC: A61K36/486 ,  A61K9/48 ,  A61P37/02

Abstract: 本发明公开了一种治疗红斑狼疮的中药胶囊及其制备方法，所述的治疗红斑狼疮的中药胶囊，其特征在于，其原料包含去皮根的雷公藤15～45重量份、鸡血藤15～45重量份和红藤15～45重量份。本发明还提供了上述治疗红斑狼疮的中药胶囊的制备方法。本发明能够有效地提取出三种原料药的有效成分，所制得的胶囊比原三藤合剂具有更好的药效；可以有效地控制质量，服用和携带方便，储存时间更长。

公开(公告)号：CN116246956A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310219238.2

申请日：2023-03-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张鹏浩 ,  王路宇 ,  徐敏 ,  王强 ,  潘茂林 ,  谢欣灵 ,  黄海 ,  黄自强 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明提供了一种用于氮化物半导体器件的钝化层的制备方法，包括：将待钝化的样品传至经预处理的反应腔中，并对反应腔进行第一处理；在反应腔中通入前驱体气体，使其吸附在样品表面；在反应腔中通入惰性气体进行吹扫；在反应腔中通入氮氢混合气体，并形成氮氢等离子体，使其与吸附在样品表面的前驱体气体发生反应生成第一钝化层；在反应腔中通入惰性气体，对多余的氮氢等离子体和反应副产物进行吹扫；在反应腔中通入惰性气体，形成第二等离子体，对第一钝化层进行处理，增加其致密度；在反应腔中通入惰性气体，对多余的第二离子体进行吹扫；重复上述步骤，以获得目标厚度的第一钝化层。

公开(公告)号：CN115954357A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202310070433.3

申请日：2023-02-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 潘茂林 ,  王路宇 ,  徐敏 ,  王强 ,  张鹏浩 ,  谢欣灵 ,  黄海 ,  樊蓉 ,  杨妍楠 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8252

Abstract: 本发明提供了一种GaN HEMT功率器件与驱动模块的集成芯片，包括：衬底；衬底包括第一区域与第二区域；第一区域与第二区域沿第一方向依次排列；第一方向平行于衬底所在的平面；GaN HEMT功率器件与驱动模块；GaN HEMT功率器件与驱动模块分别形成于第一区域与第二区域；第一外延层与第二外延层；第一外延层与第二外延层沿远离衬底的方向上依次形成于衬底上，且位于驱动模块与衬底之间；其中，第一外延层是N+型掺杂、N‑型掺杂或N型掺杂，第二外延层是P+型掺杂。该技术方案解决了传统的GaN HEMT功率器件与驱动模块的互连方式存在的寄生电容电感的的问题，同时避免了集成之后的GaN HEMT功率器件与驱动模块，在GaN HEMT功率器件的高压应用中可能出现的背栅问题。