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公开(公告)号：CN110429085B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN201910700991.7
申请日：2019-07-31
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11507 , H01L27/11509 , G11C11/22
Abstract: 本发明涉及一种铁电三位存储器、制备方法及其操作方法，所述铁电三位存储器包括铁电薄膜层、铁电存储单元和读写电极层，所述铁电存储单元设置于铁电薄膜层上方，所述读写电极层被间隙分割成两部分，形成第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极中至少之一搭在所述铁电存储单元表面的长度大于零且小于铁电存储单元的宽度。与现有技术相比，本发明具有三位信息存储功能，能够提高存储单元的存储密度，具有制备简单、成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN114496804A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210080620.5
申请日：2022-01-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/461 , H01L21/033 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C30B29/30 , C30B33/10
Abstract: 本发明属于光电器件制备技术领域，具体为一种铌酸锂材料的刻蚀方法。本发明方法包括：在铌酸锂表面制备金属钝化层，用来提高纳米图形的保形性以及侧壁刻蚀倾斜角；沉积硬掩膜，并采用微电子光刻技术进行图形化处理；在待刻蚀的铌酸锂区域沉积活性金属薄膜，以提高刻蚀深度；将覆盖有活性金属层的铌酸锂晶体在还原气氛中进行退火；然后采用相应的酸溶液和碱溶液去掉铌酸锂表面的金属及其与铌酸锂的反应物，得到具有一定刻蚀深度的铌酸锂纳米图形。所制备的大规模铌酸锂纳米器件阵列尺寸可控，保形性和重复性好，侧壁倾斜角大于80°，图形凸块表面光滑。铌酸锂纳米器件制备步骤简单，难度低，可降低大规模生产成本。
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公开(公告)号：CN108475523B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN201680061638.3
申请日：2016-04-12
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/22 , H01L27/115
Abstract: 一种非破坏大电流读出铁电单晶薄膜存储器及其制备方法和操作方法，属于铁电存储技术领域。该非破坏大电流读出铁电单晶薄膜存储器采用的铁电薄膜层(105)为铁电单晶薄膜层，在开态下的读电流大大增加，并且，数据保持特性和数据持久特性得到提升。
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公开(公告)号：CN110534573B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201910706362.5
申请日：2019-08-01
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/11585
Abstract: 本发明涉及一种集存算一体的全铁电场效应晶体管，包括基底、源电极、漏电极、栅电极和铁电凸块，所述源电极和漏电极通过铁电凸块相隔离地设置于基底上，栅电极和源电极、漏电极隔离设置，所述基底由具有畴壁导电特性的铁电材料制成。与现有技术相比，本发明从根本上解决了铁电体的高度集成化的问题。
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公开(公告)号：CN112466874A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011234815.8
申请日：2020-11-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11504 , H01L27/11507 , H01L27/11514 , H01L27/11587 , H01L27/1159 , H01L27/11597
Abstract: 本发明属于存储技术领域，具体为一种密排结构的面内读写铁电存储器阵列及其制备方法。本发明的面内读写铁电存储器阵列，其中字线集成于铁电存储单元层面内，位线包括第一位线和第二位线层，布局于铁电存储单元层面外，各位线层具有沿第一方向排列的多条位线及多个间隙，间隙包括交替排列的第一间隙群与第二间隙群。第一导电柱阵列连接字线层和第一位线层，第二导电柱阵列连接字线层和第二位线层，二者错开排列。各导电柱与邻接的字线交叉点间隙区域配置有存储器构件。本发明的铁电存储结构具有不破坏存储层器件的存储功能，能够提高存储单元的存储能力，N层字线层存储单元尺寸为4F2/N，F为特征尺寸，适用于高密度器件，且制备简单、成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112309946A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910690097.6
申请日：2019-07-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种剥离铁电单晶薄膜的方法，包括以下步骤：使用质子交换法在铁电单晶材料表面形成厚度可控的贫Li离子的第二相单晶层；采用离子注入法剥离出铁电单晶材料表面发生质子交换的所述第二相单晶层，获得薄膜层；使用反质子交换法补充所述薄膜层中缺失的Li离子，将薄膜层还原至原先铁电单晶材料的晶体结构和化学配比。与现有技术相比，本发明将质子交换法和离子束剥离技术相结合，降低使用离子束剥离制造大面积铁电单晶薄膜的难度，使离子束剥离铁电单晶薄膜更加有效快捷，可应用于铁电存储器和铁电晶体管制造等领域，降低铁电存储材料的制造成本，提高制造效率。
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公开(公告)号：CN109378313B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201811111419.9
申请日：2018-09-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11504 , H01L27/11507 , H01L27/11514
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种低功耗三维非易失性存储器及其制备方法。每个存储单元不仅具有二极管一样的电流单向导通特性，而且还存在像选择管一样的读出开启电压，且开启电压可调。以上特征为高密度存储单元的三维互联提供了条件。在一个或多个实施案例中，该三维铁电存储器包括：铁电存储阵列的堆叠，其包含通过绝缘材料而彼此分离的铁电存储单元阵列；参考单元，所述参考单元与存储单元为一体；其中所述铁电存储单元两侧存在实质上正交的字线和位线。本发明的铁电存储器可以实现电流方式的非破坏性读出，具有单向导通性，可避免电路中存储单元间信息读写的串扰，并且制备简单、成本低，最终提高存储密度。
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公开(公告)号：CN108475523A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680061638.3
申请日：2016-04-12
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/22 , H01L27/115
CPC classification number: G11C11/2273 , G11C11/22 , G11C11/2275 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/56
Abstract: 一种非破坏大电流读出铁电单晶薄膜存储器及其制备方法和操作方法，属于铁电存储技术领域。该非破坏大电流读出铁电单晶薄膜存储器采用的铁电薄膜层(105)为铁电单晶薄膜层，在开态下的读电流大大增加，并且，数据保持特性和数据持久特性得到提升。
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公开(公告)号：CN105655342A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610098138.9
申请日：2016-02-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C11/22
CPC classification number: H01L27/11507 , G11C11/223 , H01L27/115
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种非易失性铁电存储器及其制备方法和读/写操作方法。该铁电存储器包括铁电薄膜层及其表面刻蚀铁电存储单元以及设置在铁电存储单元左右制备面内读写电极层；其电畴的极化方向基本不平行所述读写电极层的法线方向。当改变存储单元的面内结构，可以实现多位信息存储。读操作和写操作可以通过表面所刻蚀的存储单元左右沉积读写电极层完成，也可通过在刻蚀铁电存储单元顶部增加一个额外读电极与另外读写电极对任一实现读操作。本发明的铁电存储器结构简单、制备简单、成本低，可以实现以大电流方式对所存储的电畴逻辑信息进行非破坏性快速读出。
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公开(公告)号：CN104637948A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510036526.X
申请日：2015-01-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/115 , G11C11/22
Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和读/写操作方法。该铁电存储器包括铁电薄膜层和设置在铁电薄膜层上的读写电极层，读写电极层中设置有将其分为至少两个部分的间隙，铁电薄膜层的电畴的极化方向基本不平行所述读写电极层的法线方向；其中，读操作和写操作都可以通过读写电极层完成。本发明的铁电存储器结构简单、制备简单、成本低，可以实现电流方式的非破坏性读出，适合于高密度应用。
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