公开(公告)号：CN105655342B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201610098138.9

申请日：2016-02-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  耿文平

IPC: H01L27/11585 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种非易失性铁电存储器及其制备方法和读/写操作方法。该铁电存储器包括铁电薄膜层及其表面刻蚀铁电存储单元以及设置在铁电存储单元左右制备面内读写电极层；其电畴的极化方向基本不平行所述读写电极层的法线方向。当改变存储单元的面内结构，可以实现多位信息存储。读操作和写操作可以通过表面所刻蚀的存储单元左右沉积读写电极层完成，也可通过在刻蚀铁电存储单元顶部增加一个额外读电极与另外读写电极对任一实现读操作。本发明的铁电存储器结构简单、制备简单、成本低，可以实现以大电流方式对所存储的电畴逻辑信息进行非破坏性快速读出。

公开(公告)号：CN104637949B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201510036586.1

申请日：2015-01-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  耿文平 ,  江钧

IPC: H01L27/11507 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和操作方法。该非破坏性读出铁电存储器包括第一电极层、第二电极层和设置在第一电极层与第二电极层之间的铁电薄膜层，其中，第一电极层中设置有将其分为至少两个部分的间隙，铁电薄膜层的电畴的极化方向基本不垂直且基本不平行第一电极层的法线方向；其中，在第一电极层中的邻接间隙的两个部分之间偏置某一方向的读信号时，对应间隙的部分铁电薄膜层的电畴局部被反转而建立畴壁导电通道。本发明的铁电存储器可以实现电流方式的非破坏性读出，适合于高密度应用，并且制备简单、成本低。

公开(公告)号：CN104637949A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510036586.1

申请日：2015-01-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  耿文平 ,  江钧

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和操作方法。该非破坏性读出铁电存储器包括第一电极层、第二电极层和设置在第一电极层与第二电极层之间的铁电薄膜层，其中，第一电极层中设置有将其分为至少两个部分的间隙，铁电薄膜层的电畴的极化方向基本不垂直且基本不平行第一电极层的法线方向；其中，在第一电极层中的邻接间隙的两个部分之间偏置某一方向的读信号时，对应间隙的部分铁电薄膜层的电畴局部被反转而建立畴壁导电通道。本发明的铁电存储器可以实现电流方式的非破坏性读出，适合于高密度应用，并且制备简单、成本低。

公开(公告)号：CN108475523B

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN201680061638.3

申请日：2016-04-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  耿文平

IPC: G11C11/22 ,  H01L27/115

Abstract: 一种非破坏大电流读出铁电单晶薄膜存储器及其制备方法和操作方法，属于铁电存储技术领域。该非破坏大电流读出铁电单晶薄膜存储器采用的铁电薄膜层(105)为铁电单晶薄膜层，在开态下的读电流大大增加，并且，数据保持特性和数据持久特性得到提升。

公开(公告)号：CN108475523A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680061638.3

申请日：2016-04-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  耿文平

IPC: G11C11/22 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C11/2273 ,  G11C11/22 ,  G11C11/2275 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56

Abstract: 一种非破坏大电流读出铁电单晶薄膜存储器及其制备方法和操作方法，属于铁电存储技术领域。该非破坏大电流读出铁电单晶薄膜存储器采用的铁电薄膜层(105)为铁电单晶薄膜层，在开态下的读电流大大增加，并且，数据保持特性和数据持久特性得到提升。

公开(公告)号：CN105655342A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610098138.9

申请日：2016-02-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  耿文平

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11507 ,  G11C11/223 ,  H01L27/115

Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种非易失性铁电存储器及其制备方法和读/写操作方法。该铁电存储器包括铁电薄膜层及其表面刻蚀铁电存储单元以及设置在铁电存储单元左右制备面内读写电极层；其电畴的极化方向基本不平行所述读写电极层的法线方向。当改变存储单元的面内结构，可以实现多位信息存储。读操作和写操作可以通过表面所刻蚀的存储单元左右沉积读写电极层完成，也可通过在刻蚀铁电存储单元顶部增加一个额外读电极与另外读写电极对任一实现读操作。本发明的铁电存储器结构简单、制备简单、成本低，可以实现以大电流方式对所存储的电畴逻辑信息进行非破坏性快速读出。