公开(公告)号：CN119783539A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411972348.7

申请日：2024-12-30

Applicant: 复旦大学宁波研究院

Inventor： 张俊然 ,  刘盼 ,  樊嘉杰 ,  雷光寅 ,  马宏平 ,  张清纯

IPC: G06F30/27 ,  G16C10/00 ,  G06F119/14

Abstract: 本申请提供一种基于机器学习和分子动力学的仿真方法及相关装置，应用于半导体制造领域，在接收工艺菜单后；针对工艺菜单中的每一个工艺条件，将工艺条件输入至力场预测模型，输出得到所述工艺条件下的机器学习力场；最后，依据所述工艺条件下的机器学习力场进行分子动力学仿真，得到所述工艺条件下的仿真结果。通过机器学习方法，学习高精度的第一性原理计算数据，生成机器学习力场，模拟碳化硅在离子注入过程中发生的相互作用，从而对离子注入工艺进行仿真，实现高精度和高效的仿真计算，进而综合考虑不同工艺条件对器件设计工艺的影响，开发特定的工艺菜单，为碳化硅离子注入提供优化方案。

公开(公告)号：CN118198126A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410137803.5

申请日：2024-01-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 段于涵 ,  刘盼 ,  张清纯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种改善体二极管反向恢复性能的超级结器件及制备方法。改善体二极管反向恢复的超结半导体结构包括衬底，具有第一表面和第二表面；外延基层，形成于第一表面上；外延多层结构，形成于外延基层的表面上；外延顶层，形成于外延多层结构的表面上；阱区，设置于外延顶层内；所述外延多层结构包括若干组第一外延层和第二外延层，第一外延层形成于外延基层的顶部或第二外延层的顶部，第二外延层形成于第一外延层的顶部。本发明的超级结器件可以改善超级结MOSFET体二极管反向恢复特性差的问题。

公开(公告)号：CN117096193A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202311085654.4

申请日：2023-08-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 段于涵 ,  刘盼 ,  张清纯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种碳化硅超级结MOSFET结构及其制备方法，其中，一种碳化硅超级结MOSFET结构，包括：漏极、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第二导电类型阱区、第一导电类型源区和第二导电类型源区、第二导电类型柱区、第二导电类型重掺杂区、第一导电类型重掺杂区、栅极结构以及源极等结构，本发明公开的结构相较于传统超级结结构具有更加优异的性能，在正向导通时导通电阻更低，而反向时能更好的横向耗尽，增强了耐压能力，并降低了表面峰值电场，同时该结构还具有一个更好的耐电荷失衡能力，解决了现有技术中超级结结构中柱区电荷不能过高及电荷不平衡带来的超级结结构性能下降的问题。

公开(公告)号：CN113540209A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110658972.X

申请日：2021-06-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙博韬 ,  张清纯

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种基于分布电容的辐射加固SiC器件结构；本发明在有源区的低掺杂浓度的第一掺杂类型的外延层内，交错插入分布的浮空的高掺杂浓度的第二掺杂类型结构，纵向位置相同的同层高掺杂浓度的第二掺杂类型结构间隔若干有源区元胞设置；各层之间的低掺杂浓度的第一掺杂区域与高掺杂浓度的第二掺杂区域交替复合结构形成PN交替电容，从顶部电极到底部电极呈纵向排布状态，分别与非有源区内的对应同一层的用于存储电荷的浮空的PN结电容连接。本发明通过多个串联PN结分布电容形成的稳压作用，限制单粒子输入时的局部电场，并对单粒子路径上的局部电流进行分流，以“暂存至分布电容处”，从而限制器件的局部功率，防止过热的产生。