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公开(公告)号：CN112382639B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202011109650.1
申请日：2020-10-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于绝缘层上硅衬底的可调性能光电传感器及其制备方法。本发明光电传感器包括：混合型衬底，氧化埋层，四个像素有源区，欧姆接触区域，三个顶层硅沟道区,以及在沟道区之上的栅氧化层,栅极，器件隔离侧墙，栅极侧墙，栅极金属接触，源极金属接触，漏极金属接触，衬底金属接触；本发明通过在像素有源区上引入额外的辅助控制栅极，来调控像素的有效有源区长度LA，成功实现具有传感性能可调的PISD器件。与通过工艺制造调整有源区实际物理长度相比，本发明通过辅助栅极的电学调控，可实现PISD在高灵敏度和高探测范围两种工作模式之间的自由切换，丰富了原有PISD器件的光电传感功能。
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公开(公告)号：CN114937636A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210346826.8
申请日：2022-03-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种三维互补场效应晶体管及其制备方法。本发明将两种不同极性的场效应晶体管进行三维堆叠，通过同一个共栅极同时控制两个晶体管的导通状态，经互连金属连接两个晶体管的漏电极端，构建成三维互补场效应晶体管；制备步骤包括：在SOI顶层硅上形成有源区硅；在有源区硅上形成源漏接触金属；沉积一下介质层；形成共栅极；沉积一上介质层；在上介质层上形成二维半导体材料；在二维半导体材料上形成源漏接触金属；进行互连通孔的光刻、刻蚀和金属淀积，形成互连金属。本发明提供的三维互补场效应晶体管，能够提高集成电路单位集成密度，在工艺上易于实现，在逻辑电路、光电集成系统中具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113311047B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110490876.9
申请日：2021-05-06
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种纳米金颗粒修饰的伪MOS生化分子传感器及其制备方法。本发明的伪MOS生化分子传感器包括衬底、氧化埋层、沟道、纳米金颗粒、生物分子或化学分子；衬底、氧化埋层和沟道共同组成伪MOS结构；纳米金颗粒通过电子束蒸发镀膜工艺修饰在伪MOS结构沟道表面，作为伪MOS结构沟道与生化分子或化学分子之间的“linker”，从而更好地固载生化分子，提高生化分子传感器的检测性能。本发明生化分子传感器可用于核酸、蛋白、酶等各种生物分子，以及无机小分子和有机小分子等的灵敏和超灵敏检测。
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公开(公告)号：CN111463310B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202010300626.X
申请日：2020-04-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开了一种单晶体管多维度光信息探测器，其包含：衬底、下氧化层、沟道层、上氧化层、源区、漏区、第一上栅极、第二上栅极、以及偏振光栅；其中，衬底、下氧化层、沟道层、上氧化层由下向上依次叠置，源区和漏区设在沟道层的两端；衬底作为下栅极；第一上栅极和第二上栅极设在上氧化层上；偏振光栅设在第一上栅极上或第二上栅极上。本发明的光电探测器具有3个栅极，调控两个上光电栅极与下栅极(衬底)的耦合效应，可以分别提取出入射光的光强，波长和偏振信息。相比于传统的多波长和偏振探测器，其光电功能更加丰富，体积小巧且成本低。
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公开(公告)号：CN110634955B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201910772805.0
申请日：2019-08-21
Applicant: 复旦大学
Inventor： 万景
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种基于体硅衬底的新型半导体场效应正反馈晶体管及方法，其源漏为反型重掺杂，一方为p+型，另一方为n+型掺杂，沟道为弱掺杂，临近沟道的是由栅极侧墙所定义的低漏极掺杂区域(LDD)，而衬底是与沟道反型的掺杂；传统的场效应正反馈器件，如Z2‑FET，建立在绝缘层上硅(SOI)的衬底上，价格高昂且结构不对称，与普通的体硅CMOS工艺和器件结构不兼容；本发明通过引入关键的LDD、沟道和衬底掺杂，在体硅衬底上形成结构对称的新型场效应正反馈器件。本发明的新型器件工艺成本更低，工艺难度更小，可广泛应用于高性能动态和静态存储器(DRAM和SRAM)，低亚阈摆幅开关，静电保护和传感等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111477685A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010339710.2
申请日：2020-04-26
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/36 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体衬底的凹槽型场效应正反馈晶体管及制备方法，该正反馈晶体管通过凹槽型栅氧化层结构以改进平面栅氧化层正反馈晶体管的缺陷，通过引入关键的沟道区域掺杂以及与沟道区域掺杂反型的衬底掺杂和低漏掺杂区域，形成正反馈机理所需的特殊能带结构，从而达到与普通正反馈晶体管相似的电学性能与功能；此外，该正反馈晶体管具有与MOSFET相似的对称物理结构，在正栅极和栅极侧墙的掩蔽作用下，可通过与MOSFET类似的自对准离子注入工艺在沟道区域上形成低漏掺杂区域和阴极区域/阳极区域掺杂；本发明的正反馈晶体管制备工艺与传统的CMOS兼容，增加了栅氧化层电容，使电荷保留时间上升，延长了数据存储时间，提升了该器件作为存储器的性能。
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公开(公告)号：CN106876421A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710033236.9
申请日：2017-01-18
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146 , H01L21/77
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于动态耦合效应的半导体光电传感器及其制备方法。本发明传感器建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的源漏区域为金属‑半导体的肖特基接触，无须任何掺杂；沟道为不掺杂或者低掺杂；正栅极覆盖沟道的部分区域且一般在沟道中间，而衬底作为背栅极。此器件的工作机理基于绝缘层上硅的动态耦合效应，背栅施加电压后会在沟道的背面形成导电的高载流子层；此时，正栅极在瞬态电压偏置下，通过绝缘层上硅的动态耦合效应产生深度耗尽，夹断背部的导电层；而光产生的载流子在正栅极下的沟道处聚集，从而隔绝正栅极对于背部导电沟道的耗尽，使得器件能被光触发而导通。相较于普通的光电反偏二极管，此器件具有工作电流高和易于组成传感阵列等优点。
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公开(公告)号：CN101350364A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810042500.6
申请日：2008-09-04
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/36
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种纳米氧化锌场效应晶体管的制作方法。其特点在于：通过选择性淀积籽晶层实现氧化锌纳米棒的定向生长，在薄膜晶体管的源漏电极之间横向生长氧化锌纳米棒作为导电沟道层，利用单晶氧化锌纳米棒优良的电学特性制作高迁移率的氧化锌场效应晶体管。该方法能够有效提高氧化锌器件的迁移率，同时又具备工艺方法简单、可以大面积生长的优点。
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公开(公告)号：CN118400999A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410462225.2
申请日：2024-04-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于绝缘层上硅的单晶体管原位传感随机存取存储器件。本发明器件，电荷存储在掩埋氧化物下方的N阱中，且通过界面耦合效应直接调制顶部晶体管漏电流，能够原位读出存储器的状态；背栅电极直接连接垂直齐纳二极管；二极管的P+重掺杂区与金属电极相连，N+重掺杂区和N阱连接，形成连接到背栅电容的电路，实现电荷的写入和擦除；当背栅电极加正电压时二极管导通，正电荷流入阱中并存储在与氧化埋层的界面上；背栅电压归零时，实现存储效应；当背栅电极加负电压时，二极管的隧穿作用注入负电荷，实现存储数据擦除。本发明器件不需要额外电容，读区域和写区域在不增加额外存储单元面积的同时实现非破坏性读操作。
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公开(公告)号：CN117882177A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202180101044.1
申请日：2021-10-30
IPC: H01L21/336
Abstract: 本申请的实施例提供了一种晶体管、集成电路以及电子设备，涉及半导体技术领域，能够降低晶体管的亚阈值摆幅。上述的晶体管包括：衬底；衬底上沿平行于衬底的第一方向依次设置有第一源区、第二源区、沟道以及漏区；沟道上设置有绝缘层；绝缘层上设置有第一栅极；漏区上设置有漏极；第一源区上设置有源极；晶体管还包括导体，其中，第一源区与第二源区接触形成接触面，导体与第一源区以及第二源区接触，并且接触面与导体垂直。
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