公开(公告)号：CN113228322A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202080007813.7

申请日：2020-01-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李忠贤 ,  安藤崇志 ,  A·雷茨尼采克 ,  张婧芸 ,  P·哈什米

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L27/088 ,  H01L21/28

Abstract: 提供了一种电阻式存储器结构。该电阻式存储器结构包括衬底上的垂直鳍部，其中，垂直鳍部的侧壁各自具有{100}晶面。该电阻式存储器结构还包括垂直鳍部上的鳍部模板、以及垂直鳍部上的栅极结构。该电阻式存储器结构还包括在垂直鳍部的相对侧壁上的顶部源极/漏极，以及在顶部源极/漏极上的底部电极层，其中，底部电极层在鳍部模板的相对侧上。该电阻式存储器结构还包括在底部电极层的一部分上的第一中间电阻层、在第一中间电阻层上的顶部电极层及在底部电极层的一部分上的第一电触点。

公开(公告)号：CN111480238A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201880081159.7

申请日：2018-12-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李忠贤 ,  望月省吾 ,  鲍如强 ,  H.贾甘纳坦

IPC: H01L29/06

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成鳍片。在鳍片相对侧上的衬底上布置源极/漏极区域。该方法包括在源极/漏极区域上沉积半导体层。该方法包括在鳍片和半导体层上沉积含锗层。该方法还包括施加退火操作，该退火操作被配置为使半导体层与含锗层化学反应并形成氧化硅层。

公开(公告)号：CN111183518A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201880065420.4

申请日：2018-10-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  李俊涛 ,  李忠贤 ,  许鹏

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/336

Abstract: 半导体器件及其制造方法包括：对包括沟道层，沟道层之间的第一牺牲层以及沟道层与第一牺牲层之间的第二牺牲层的层堆叠进行构图，以形成一个或多个器件区域。第一牺牲层由具有与第一牺牲层的材料相同的晶格常数的材料形成，并且第二牺牲层由具有与第一牺牲层的材料不匹配的晶格的材料形成。从一个或多个器件区域中的沟道层的侧壁形成源极区域和漏极区域。蚀刻掉第一和第二牺牲层，以使沟道层从源极和漏极区域悬挂下来。在沟道层上沉积栅极叠层。

公开(公告)号：CN110651365A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201880033254.X

申请日：2018-06-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 鲍如强 ,  李忠贤 ,  望月省吾 ,  杨振荣

IPC: H01L27/04

Abstract: 一种形成具有不同沟道长度的多个垂直传输鳍式场效应晶体管(VT FinFETs)的方法，包括：在衬底的第一区域上形成垂直鳍和在衬底的第二区域上形成垂直鳍；在衬底的第二区域上的垂直鳍上形成盖块；在衬底的第一区域上形成第一底部源极/漏极，其中第一底部源极/漏极覆盖第一区域上的垂直鳍的下部；去除盖块；以及在衬底的第二区域中形成第二底部源极/漏极，其中第二底部源极/漏极在衬底的表面下方，其中第二底部源极/漏极不覆盖第二区域上的垂直鳍的下部。