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公开(公告)号：CN114752997B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202210438009.5
申请日：2022-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种双坩埚液相外延生长装置，涉及液相外延生长设备技术领域，包括第一炉体、第二炉体、坩埚组件和驱动组件，所述第一炉体与所述第二炉体通过通孔相连；所述坩埚组件包括两个坩埚，两个所述坩埚分别设置于所述第一炉体和所述第二炉体内部；所述驱动组件用于分别驱动两个所述坩埚穿过所述通孔以对调在所述第一炉体和所述第二炉体内的位置。本发明通过两个坩埚连续调换进而实现液相外延生长薄膜的连续生长，突破膜厚的技术瓶颈，提高薄膜的质量和制备效率，有利于进行批量化生产。
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公开(公告)号：CN114657639B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202011530106.4
申请日：2020-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种单相磁致伸缩与磁致负热膨胀材料及其制备方法。本发明属于负热膨胀材料及其制备领域。本发明的目的在于解决现有Fe2TiO4单晶样品不是化学整比，存在Ti缺位的技术问题。本发明的单相磁致伸缩与磁致负热膨胀材料为Fe2TiO4单晶。制备方法：将三氧化二铁、钛粉与二氧化钛混合均匀，然后在等静压机中压制成棒材，置入真空密封的石英管中，然后放在管式炉烧结，再将烧结好的预制体置于光学浮区炉中，在纯净的氩气气氛中生长单晶，得到磁致负热膨胀材料Fe2TiO4单晶。Fe2TiO4单晶在室温下是立方相尖晶石结构，当磁场超过1kOe时，其在2K～120K温度区间内表现出巨负热膨胀效应，可用于航空航天、机密机械制造等领域。
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公开(公告)号：CN114657639A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011530106.4
申请日：2020-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种单相磁致伸缩与磁致负热膨胀材料及其制备方法。本发明属于负热膨胀材料及其制备领域。本发明的目的在于解决现有Fe2TiO4单晶样品不是化学整比，存在Ti缺位的技术问题。本发明的单相磁致伸缩与磁致负热膨胀材料为Fe2TiO4单晶。制备方法：将三氧化二铁、钛粉与二氧化钛混合均匀，然后在等静压机中压制成棒材，置入真空密封的石英管中，然后放在管式炉烧结，再将烧结好的预制体置于光学浮区炉中，在纯净的氩气气氛中生长单晶，得到磁致负热膨胀材料Fe2TiO4单晶。Fe2TiO4单晶在室温下是立方相尖晶石结构，当磁场超过1kOe时，其在2K～120K温度区间内表现出巨负热膨胀效应，可用于航空航天、机密机械制造等领域。
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公开(公告)号：CN112023959A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202011023638.9
申请日：2020-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01J27/185 , C25B11/06 , C25B1/04
Abstract: 本发明提供了一种相结型NiP2电催化剂及其制备方法和应用，属于电催化剂技术领域。所述相结型NiP2电催化剂包括导电基底和原位生长于所述导电基底上的NiP2催化剂，所述NiP2催化剂包括单斜相NiP2和立方相NiP2。本发明采用真空封管和高温烧结，构筑了富磷相磷化镍纳米片，同时电催化剂具有m相NiP2和c相NiP2形成的独特异质结结构，成功解决了不同物质之间形成复合催化剂的界面电阻和界面空隙问题，并可优化界面电子排布、促进Volmer反应的发生，因此具有优异的析氢催化性能和结构稳定性。
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公开(公告)号：CN111270205A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010099720.3
申请日：2020-02-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 尖晶石相p型铁酸镍半导体氧化物薄膜的制备方法，本发明涉及一种p型半导体性氧化物薄膜的制备方法，制备方法：一、清洗衬底，得到清洗处理后的衬底；二、将清洗处理后的衬底放在托盘上，利用机械泵和分子泵将生长室抽至本底真空，衬底加热到530～580℃，以NiFe2O4陶瓷材料为靶材，调整高能脉冲激光器，控制脉冲激光输出为能量100～250mJ进行脉冲激光沉积薄膜，薄膜沉积过程中生长氧分压为0.1～20mTorr，得到尖晶石相p型半导体性氧化物薄膜。本发明采用脉冲激光沉积方法生长NiFe2O4半导体氧化物薄膜，在较低氧分压下得到的四面体Fe缺失的NiFe2O4薄膜是一种p型半导体材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110568011A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910875937.6
申请日：2019-09-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种液氮温区热电势测量仪及其测量方法，包括采集控制单元、冷却单元、探头组件单元、真空密封单元和测试探头单元，测试探头单元用于夹持样品，受采集控制单元控制对样品进行加热，同时向采集控制单元传输温度信号及电压信号；探头组件单元用于承载测试探头单元，调节探头间距，以及减少外界温度对测试探头单元的影响；采集控制单元用于对测试探头单元进行温度控制，并接收测试探头单元的探头温度信号及电压信号；冷却单元用于通过液氮使探头组件单元和样品快速降温；真空密封单元用于在测试探头单元对样品加热时提供真空环境。本发明的设备操作简单方便、降温和测量耗时短，成本低廉，并且能同时满足机械强度较高材料和机械强度较低材料的测试。
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公开(公告)号：CN110510584B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201910912645.5
申请日：2019-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种CoSbSe纳米片材料的制备方法及其应用，本发明属于纳米材料制备技术领域，它的目的是针对CoSbSe作为热电材料所存在的制备过程所需温度较高、时间较长、能耗较高的问题。CoSbSe纳米片的制备方法：一、对碳布进行超声清洗；二、按照化学计量比Sb:Se＝1:1的比例将锑粉和硒粉混合；三、将钴盐、尿素和氟化铵加入到超纯水中搅拌溶解；四、碳布浸入步骤三的反应液中水热反应；五、将锑硒粉混合物和前驱体一同放入石英管中，抽真空密封，分两个阶段加热反应，得到CoSbSe纳米片。本发明得到的CoSbSe纳米片所需的制备温度大幅度降低，所需的制备时间大幅度减少，有利于清洁高效制备CoSbSe纳米片。
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公开(公告)号：CN115074820A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210684574.X
申请日：2022-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种单晶RIG厚膜的双坩埚液相外延制备方法，涉及液相外延生长单晶薄膜技术领域，包括：采用双坩埚液相外延炉进行制备，其中，第一炉体用于厚膜外延生长和衬底更换，第二炉体用于备用熔体保温和原料更换；将原料加入位于第一炉体内的坩埚A内，加热并搅拌成均匀熔体；在第二炉体放置坩埚B，将原料加入坩埚B内，加热并搅拌成均匀熔体后备用；待坩埚A内的熔体表面呈现镜面后，将清洗后衬底放入熔体中进行液相外延生长，并通过替换备用坩埚实现持续液相外延生长，重复上述内容，维持液相外延生长至所需薄膜厚度后，取出衬底，并降温至室温后，得到单晶RIG厚膜。本发明实现薄膜持续生长并保证薄膜的生长质量。
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公开(公告)号：CN110265504A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910588485.3
申请日：2019-07-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种紫外光电探测器，包括衬底、设置在所述衬底上的源电极和漏电极，还包括设置在所述衬底上的量子点修饰的纳米线，所述量子点修饰的纳米线的两端分别与所述源电极和所述漏电极连接；所述量子点修饰的纳米线包括氮化铝纳米线和氧化镍量子点，所述氧化镍量子点附着在所述氮化铝纳米线表面且与所述氮化铝纳米线之间形成p-n结。本发明提供的紫外光电探测器，利用氮化铝纳米线和氧化镍量子点之间形成的p-n结，有效提高氮化铝纳米线载流子的浓度，从而提高紫外光电探测器的光电导增益，实现紫外光电探测器对VUV紫外线的探测。
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公开(公告)号：CN109267016A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811384942.9
申请日：2018-11-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了脉冲激光沉积MoS2薄膜的方法，属于MoS2薄膜的制备领域。本发明要解决现有方法制备MoS2薄膜存在尺寸较小、产量较低、缺陷较多技术问题。本发明方法如下：一、硅片表面处理；二、将MoS2靶材安装于真空室中，再将步骤一处理后的硅片放置在样品台上，调节靶基距，光路准直；三、首先开启冷却水，抽真空至真空室内气压小于5*10-5Pa，然后将真空室内温度加热至450～550℃；四、开启并预热激光器，通过激光将靶材上的MoS2沉积至硅片上，沉积完毕后关闭激光，并将真空室内温度降低至室温，停止抽真空，关闭冷却水，取出，退火，硅片上沉积有MoS2。本发明应用于光电子器件领域。
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