公开(公告)号：CN112216751A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201910624743.9

申请日：2019-07-11

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 何鹏 ,  张墅野 ,  胡平安 ,  林铁松 ,  张彦鑫

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/072 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  C23C16/30

Abstract: 本发明公开了GaSe/MoS2异质结的制备方法，属于光电器件的技术领域。本发明要解决现有制备GaSe/MoS2异质结存在MoS2纳米片形状不规则而且层数不可控、难以精确控制的技术问题。本发明采用化学气相沉积法得到单层MoS2，然后采用PDMS作为转移的媒介利用转移平台将机械剥离的GaSe与MoS2结合获得GaSe/MoS2异质结。本发明制备的GaSe/MoS2异质结是具有很好的光电性能，是许多光电器件的核心组件，比如紫外光电探测器等。

公开(公告)号：CN109231192A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201811417182.7

申请日：2018-11-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张墅野 ,  何鹏 ,  胡平安 ,  林铁松 ,  张彦鑫

IPC: C01B32/194 ,  C01B32/186

Abstract: 一种利用PMMA洁净转移单层石墨烯的方法，涉及一种单层石墨烯的转移方法。本发明要解决现有转移石墨烯方法存在决现有石墨烯在特定基片(如硅片)上生长不稳定的问题以及转移石墨烯方法存在不完整、易卷曲的问题。本发明方法如下：一、在铜箔基底上生长单层石墨烯；二、然后悬涂PMMA胶，然后置于加热板上，加热固化，裁边；三、将铜箔浮在腐蚀液液面上，待铜箔变透明时捞出；四、水中静置；五、重复步骤四的操作，六、用目标基底捞起，用氮气吹干，烘箱中烘烤，至表面变为紫色；七、然后滴加PMMA，静置；八、浸泡于丙酮中，加热，清洗；即完成单层石墨烯的转移。本发明在光电器件等领域具有广阔的前景。

公开(公告)号：CN109267016A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201811384942.9

申请日：2018-11-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 何鹏 ,  张墅野 ,  王先杰 ,  林铁松 ,  张彦鑫

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了脉冲激光沉积MoS2薄膜的方法，属于MoS2薄膜的制备领域。本发明要解决现有方法制备MoS2薄膜存在尺寸较小、产量较低、缺陷较多技术问题。本发明方法如下：一、硅片表面处理；二、将MoS2靶材安装于真空室中，再将步骤一处理后的硅片放置在样品台上，调节靶基距，光路准直；三、首先开启冷却水，抽真空至真空室内气压小于5*10-5Pa，然后将真空室内温度加热至450～550℃；四、开启并预热激光器，通过激光将靶材上的MoS2沉积至硅片上，沉积完毕后关闭激光，并将真空室内温度降低至室温，停止抽真空，关闭冷却水，取出，退火，硅片上沉积有MoS2。本发明应用于光电子器件领域。